Импульсный усилитель (стр. 2 из 2)
(мА);(4.1.1)Тогда:
(мА)(4.1.2)Напряжение питания рассчитывается по формуле:
(В)Расчёт величин резисторов производится по следующим формулам:
Ом;(4.1.3) 
(4.1.4) 
(Ом);(4.1.5) 
(Ом);(4.1.6)Данная методика расчёта не учитывает напрямую заданный диапазон температур окружающей среды, однако, в диапазоне температур от 0 до 50 градусов для рассчитанной подобным образом схемы, результирующий уход тока покоя транзистора, как правило, не превышает (10-15)%, то есть схема имеет вполне приемлемую стабилизацию.
4.2 Пассивная коллекторная термостабилизация
Рисунок 4.2 - Схема пассивной коллекторной термостабилизации.
Пусть URк=10В
Rк=
(Ом);(4.2.1)Еп=Uкэо+URк=10+10=20В(4.2.2)
Rб=
=5,36 (кОм)(4.2.3)Ток базы определяется Rб. При увеличении тока коллектора напряжение на Uкэо падает и следовательно уменьшается ток базы, а это не даёт увеличиваться дальше току коллектора. Но чтобы стал изменяться ток базы, напряжение Uкэо должно измениться на 10-20%, то есть Rк должно быть очень велико, что оправдывается только в маломощных каскадах.
4.3 Активная коллекторная термостабилизация
Рисунок 4.3 - Схема активной коллекторной термостабилизации
Сделаем так чтобы Rб зависело от напряжения Ut. Получим что при незначительном изменении тока коллектора значительно изменится ток базы. И вместо большого Rк можно поставить меньшее на котором бы падало небольшое (порядка 1В) напряжение.
Статический коэффициент передачи по току первого транзистора bо1=30. UR4=5В.
R4=
= 
=85 (Ом)(4.3.1) 
(4.3.2)Iко1 = Iбо2 =
Pрас1 = Uкэо1*Iко1 = 5*1,68*10-3 = 8,4 мВт
R2=
= 
=2,38 (кОм)(4.3.3)R1=
= 
=672 (Ом)(4.3.4)R3 =
(Ом)(4.3.5)Еп = Uкэо2+UR4 = 10+5 = 15В(4.3.6)
Данная схема требует значительное количество дополнительных элементов, в том числе и активных. При повреждении емкости С1 каскад самовозбудится и будет не усиливать, а генерировать, т.е. данный вариант не желателен, поскольку параметры усилителя должны как можно меньше зависеть от изменения параметров его элементов. Наиболее приемлема эмиттерная термостабилизация.