Конструирование (стр. 3 из 6)
| Наименование элемента | lо·10-61/час |
| Микросхемы средней степени интеграции Большие интегральные схемы | 0,013 0,01 |
| Транзисторы германиевые: Маломощные Средней мощности Мощностью более 200мВт | 0,7 0,6 1,91 |
| Кремниевые транзисторы: Мощностью до 150мВт Мощностью до 1Вт Мощностью до 4Вт | 0,84 0,5 0,74 |
| Высокочастотные транзисторы: Малой мощности Средней мощности | 0,2 0,5 |
| Транзисторы полевые | 0,1 |
| Конденсаторы Бумажные Керамические Слюдяные Стеклянные Пленочные Электролитические(алюминиевые) Электролитические(танталовые) Воздушные переменные | 0,05 0,15 0,075 0,06 0,05 0,5 0,035 0,034 |
| Резисторы: Композиционные Плёночные Угольные Проволочные | 0,043 0,03 0,047 0,087 |
| Диоды: Кремниевые Выпрямительные Универсальные Импульсные | 0,2 0,1 0,05 0,1 |
| Стабилитроны Германиевые | 0,0157 |
| Трансформаторы: Силовые Звуковой частоты Высокочастотные Автотрансформаторные | 0,25 0,02 0,045 0,06 |
| Дроссели: Катушки индуктивности Реле | 0,34 0,02 0,08 |
| Антенны Микрофоны Громкоговорители Оптические датчики | 0,36 20 4 4,7 |
| Переключатели, тумблеры, кнопки Соединители Гнёзда | 0,07n 0.06n 0.01n |
| Пайка навесного монтажа Пайка печатного монтажа Пайка объёмного монтажа | 0,01 0,03 0,02 |
| Предохранители | 0,5 |
| Волноводы гибкие Волноводы жёсткие | 1,1 9,6 |
| Электродвигатели Асинхронные Асинхронные вентиляторы | 0,359 2,25 |
Определим произведение коэффициентов влияний:
li = a х lо, (2.1)
где:
li - произведение коэффициентов влияний;
a - коэффициент влияния температуры;
lо - интенсивность отказов.
li =0,5
0,2=0,1В двенадцатой колонке определяем:
lс = li х n, (2.2)
где:
li - произведение коэффициентов влияний;
n - количество элементов.
lс=0,1
1=0,1Определим среднее время наработки на отказ:
, (2.3)где:
Тср – среднее время наработки на отказ
Slс – суммарное значение двенадцатой колонки
Slс = 7,83
Тср = 1/7,83
10-6 = 1,3 105 часов3. Конструкторская часть
3.1 Обоснование выбора элементов схемы
3.1.1 Обоснование выбора транзисторов
В ключевом режиме работает транзистор VT2 ПДУ. Произведём выбор наиболее подходящего полупроводникового прибора из ниже приведённого списка.
Таблица 3.1
| Тип транзистора | Обратный ток коллектора | Номинальный прямой ток коллектора |
| КТ315Б | 1мкА | 0,3А |
| КТ101А | 1мкА | 0,1А |
| КТ312А | 1мкА | 0,2А |
Выбираем транзистор с наибольшим допустимым прямым током типа КТ315Б.
Цепи усиления принятого приёмником сигнала построены на биполярных транзисторах.
Таблица 3.2
| Тип транзистора | Статический коэффициент усиления | Номинальный прямой ток стока |
| КТ315Б | 150-200 | 0,3А |
| КТ3102А | 350 | 0,3А |
| КТ312А | 150 | 0,2А |
Выбираем транзисторы с наибольшим статическим коэффициентом усиления типа КТ3102А.
3.1.2 Обоснование выбора диодов
Диоды VD2 – VD4 приёмника универсальные. Проходящий через них ток не превышает 10мА.
Таблица 3.3
| Тип диода | Допустимый прямой ток | Максимальный обратный ток |
| КД522А | 30мА | 1,5мкА |
| КД105В | 1А | 5мкА |
| КД209А | 2А | 5мкА |
Нашим требованиям удовлетворяют все диоды, но выбираем наиболее дешёвый малогабаритный диод типа КД522А.
Диоды VD5-VD8 выбираем по протекающему номинальному току и обратному напряжению. Ток, определяется мощностью подключаемой лампочки. При нагрузке 100Вт, ток равен 0,5А.
Таблица 3.4
| Тип диода | Допустимое обратное напряжение | Допустимый прямой ток | Максимальный обратный ток |
| КД213А | 350В | 5А | 2мкА |
| КД202В | 400В | 10А | 3мкА |
| КД2997А | 60В | 5А | 3мкА |
Опираясь на вышеизложенные требования выбираем диоды типа КД213А.