Радиоприемные устройства (стр. 3 из 5)

Выберем d_эр=0,04

(3.3)

где

- полная емкость схемы; - волновое сопротивление фидера;

=13 мСм.

Так как используется настроенная антенна, то

Ом

Подставив известные значения в (3.3) найдем коэффициент включения фидера:

=0,127

(3.4)

- входное сопротивлении УВЧ (ОЭ); d – собственное затухание контура.

Рис. 3. Зависимость входной проводимости транзистора ГТ311Е от частоты и тока коллектора

Пользуясь графиком (рис. 3.) найдем параметр

при f_c=120 МГц и токе коллектора 3 мА. =12,6 мСм. Тогда

Подставив полученные значения в (3.4) найдем

0,112

Емкость контура рассчитаем по формуле

(3.5)

где

- паразитная емкость катушки контура;

- емкость монтажа;

- входная емкость каскада.

Из графика (рис. 3.) определим параметр

. Тогда

пФ

Подставив значения в (3.5) найдем

пФ

Находим индуктивность контура:

Находим индуктивность катушки связи с антенной

Для снижения паразитной емкости между

и коэффициент связи между ними, обеспечивая согласование, должен быть наименьшим. Найдем минимальный коэффициент связи при котором обеспечивается согласование.

(3.6)

Подставив данные в (3.6) найдем коэффициент связи:

Найдем коэффициент передачи входной цепи:

(3.7)

где

- коэффициент передачи фидера определяемый из графика (рис. 4.) по произведению ( - затухание в фидере; - длина фидера); - коэффициент передачи собственно входной цепи при согласовании равный

(3.8)

Рис. 4. Зависимость

от произведения

Из графика находим

=0,88

Подставив значения в (3.8) получим

Подставив полученное значение в (3.7) найдем коэффициент передачи входной цепи:

Обобщенная расстройка зеркального канала при нижней настройке гетеродина и заданном эквивалентном затухании (было выбрано d_эр=0,04) рассчитывается по формуле:

(3.9)

Подставив значения в (3.9) получим, что

23,6 раз≈27 дБ

Рис. 5.

Выбрав структурную схему преселектора вида (рис. 6)

Рис. 6.

Найдем из графика (рис. 5.) ослабление по зеркальному каналу Se_зк=56 дБ. Обобщенная расстройка соседнего канала на краях полосы пропускания преселектора определяется по формуле:

Рис. 7.

Используя график (рис. 7.) найдем ослабление для выбранной структурной схемы преселектора: Se_пр= 1,5 дБ

Рассчитать ослабление которое можно допустить в ФСИ по формуле:

Для выбранного преселектора обобщенную растройку для соседнего канала определяем по формуле:

П_пч=1,5 МГц =

(растройка, соответствующая соседнему каналу)

По графику (рис. 7.) найдем значение ослабления соседнего канала создаваемого преселектором.

3,0 дБ.

Определить ослабление соседнего канала

требуемое от ФСИ можно по формуле:

где

- полное ослабление соседнего канала, требуемое в приемнике. Для бытовых приемников обычно принимают =30 дБ.

3.3 Расчет УВЧ

По техническому заданию схема УВЧ ОЭ (рис. 8).

Рис. 8. Принципиальная схема УВЧ.

Используя графики (рис. 9.-рис.11.) и справочные таблицы определю параметры транзистора ГТ311Е и его рабочую точку

Параметры транзистора:

Определение рабочей точки транзистора:

По ТЗ

. Тогда: І_б=0,1 мА.U_бэ=0,32 В; U_кэ=3 В; Пусть Е_К=9 В.

Рис. 9. Зависимость проводимости прямой передачи Y_21Э от частоты и тока коллектора.

Рис. 10. Зависимость входной проводимости Y_11Э от частоты и тока коллектора.

Рис. 11. зависимость выходной проводимости Y_22Э от частоты и тока коллектора.

Изменение обратного тока коллектора І_кбо=0,83мкА;(Т₀=293К)

Для транзисторов серии ГТ –

Т₀=293К

Т_тах=+55⁰С=328К

Т_тіп= -25⁰С=248К

Тогда

Тепловое смещение напряжения базы определяется по формуле: