Розробка і оформлення конструкторської документації гібридних інтегральних мікросхем (стр. 5 из 6)
2.5 Топологічне креслення окремих шарів
При переробці першого варіанту топології звичайно не вдається отримати досконалу конфігурацію шарів, тому робота над наступними варіантами топології зводиться до усунення недоліків першого варіанту для того, щоб креслення відповідало всім конструктивно-технологічним вимогам і обмеженням.
Після того, як остаточно вибраний варіант топології, приступають до виконання креслень шарів мікросхеми по елементам (резистори, провідники, контактні площадки і т.д.).Наприклад, для резистивного шару виконується таблиця координат, в якій приводяться координати всіх вершин кожного із резисторів. Відповідно цим координатам виконуються всі плівкові резистори. Окрім резистивного шару більше нічого не зображується. Також приведені розміри для довідок.
2.6 Розробка складального креслення плати ГІМС
Розробку складального креслення починаємо з розмітки, місць для виводів основного надпису і специфікації. Складальне креслення поєднує в собі плату, плівкові елементи, навісні елементи, які клеяться та припаюються з дротяними виводами, тобто це плата на якій вже повністю установлені, припаяні та приклеєні всі елементи схеми. Подальша робота включає елементи конструювання: розміщуємо плівкові елементи у відповідності з завданням, надаючи їм належні форми та розміри, а також - навісні елементи. Навісні елементи підбирає по типу, вказаному в таблиці завдання. Плівкові елементи - резистори.
При встановленні резисторів і діодних матриць дотримуємось послідовності розташування виводів. Ці елементи можна повертати в одній площині на 90, 180 і 270°.
Провідники і контактні площадки умовно виділені штриховкою під 45° не позначуючи розріз. Виводи мікросхеми необхідно пронумерувати і написати позиційні позначення елементів. В якості матеріалу моїх елементів, таких як конденсатор обираємо мідь, у якості резестивного шару - ніхром. Після цього креслення оформлюємо специфікацію.
Специфікацію (перелік складових частин виробу) виконуємо на окремих аркушах з особливими формами основних надписів для першого і слідуючих аркушів.
Специфікація складається з наступних складових:
Документація-записують найменування і позначення складального креслення специфіруємого виробу та інших схем. В специфікацію складальної одиниці записують її найменування та позначення.
Складальні одиниці записують позначення і найменування вхідних складальних одиниць, послідовності зростання позначень.
Деталі-записують позначення і найменування деталей, які не ввійшли в складальні одиниці, в порядку зростання їх позначень.
Стандартні вироби-записують вироби, які застосовуються по ГОСТам, в алфавітному порядку.
Матеріали-записують спочатку дроти, потім стрічку поліхлорвінілову, і трубку поліхлорвінілову, також по зростанню розмірів і інших параметрів із вказанням кількості.
2.7 Розробка складального креслення ГІМС в корпусі
Відповідно принциповій схемі, на плату ГІМС встановлюють навісні елементи і компоненти і оформляють такі плати як складальні креслення. В даному випадку мікросхему 740 УД5-1 приклеюють до плати, а її виводи приварюють. Навісний конденсатор К10-17-1В припаюється до плати мікропаяльником. На складальному кресленні зображені всі шари та їх технічні дані, а також технічні вимоги до виконання креслення, тобто зображення плати після всіх складальних операцій, способи встановлення компонентів на плату, технологічні вимоги, а також додається специфікація.
Корпус необхідний для захисту мікросхеми від механічних, кліматичних та інших впливів. Необхідні вимоги, яким повинна задовольняти конструкція корпусу, зводяться до наступних:
-захист мікросхем від впливу зовнішнього середовища і механічних впливів;
- забезпечення надійного електричного з’єднання контактних площадок мікросхем з виводами корпусу;
- забезпечення надійного кріплення корпусу при монтажі в апаратурі;
-забезпечення надійності монтажу.
Крім того, конструкція повинна мати високу надійність, мати корозійну і радіаційну стійкість, а також бути простою та економічною у виготовлені.
Висновки
В курсовому проекті виконано розробку конструкторської документації гібридної інтегральної мікросхеми. При цьому розраховано геометричні розміри елементів, площу плати і вибраний її типорозмір. Для даного варіанту площа становить 51,381 мм2. отже розмір плати було взято 15,3
12,9 мм.Також розроблено топологію для якої був обраний варіант з найменшою площею, та мінімальною кількістю перетинів і рівномірним розміщенням елементів по площі плати.
Виконано креслення резистивного шару, під час виконання якого було визначено координати чотирьох кутів кожного з резисторів, розробку складального креслення плати гібридної інтегральної мікросхеми і розробку.
Також для завершення розробки гібридної інтегральної мікросхеми було виконано специфікацію до складального креслення.
Поєднання плівкових та навісних елементів на одній основі явно спрощує розробку мікросхеми, і зменшує її площу. Отже розміщувати елементи на платі необхідно з мінімальними затратами площі цієї плати, тоді це призведе до покращення плати шляхом мінімізації, а складність її збирання не впливає на швидкодію.
ГІМС відрізняються малою площею та високою надійністю, потребують небагато енергії, тому вони набувають широкого використання у сучасних електронних пристроях.
Список використаних джерел
1. Александров, Є.Г. Кузьмина Електротехнічні креслення і схеми – М.: Енерговидавництво. – 1990. – 288с.
2. А.М. Хаскін Креслення – К.: Вища школа. – 1976. – 436с.
3. В.Н. Дулин Электрические приборы – М.: Энэргоиздательство, 1989. – 303с.
4. Методичні вказівки до виконання курсової роботи з курсу „Нарисна геометрія та машинна графіка” на тему: „Розробка та оформлення конструкторської документації ГІМС”. Частина 1. Уклад. Кормановський С.І., Колесницький О.К., Вітюк О.П., Пащенко В.Н.- Вінниця, ВДТУ, 1997. – 32с.
5. Р.М. Терещук, К.М. Терещук, С.А. Сєдов Справочник радиолюбителя – К.: Наукова думка, 1981. – 671с.
6. Г.Д. Дорощенков, О.К. Колесницький, С.Є. Тужанський Радіо компоненти та мікроелектронна технологія: навчальний посібник – В.:ВНТУ, 2006. – 147с.
Додаток А
Таблиця 1
| № | Умовне позначення | Найменуванняшарів | Позначенняматеріалу | Електричніхарактеристики | Метододержання | Номер листаКреслення і таблиці |
| 1 |  | Резистори | Кермет | R0=1000 Ом/м | Напилення в вакумі | |
| 2 |  | Контактні площадки | Алюміній А99 ГОСТ 11069-74 | R0=0.08Oм | ||
| 3 |  | Контактні площадки і провідники | Мідь вакуумна МВТУ 11Яе0.021.040-Т2 | R0=0.06Oм | ||
| 4 |  | Контактні площадки і з’єднувальні провідники | Боросилікатне скло Е70.035.015ТУ | С0=10000пФ/Ом2 | ||
| 5 |  | Верхній слой плівкового конденсатора | Матеріал для напилення обкладок Алюміній А99(ГОСТ 11069-64) | С0=2 1О4 пФ/см2 | ||
| 6 |  | Діалектрик | Боросилікатне склоE70.035.015ТУ | С0=10000пФ/Ом2 |
Додаток Б
Таблиця 2
| № вимірів | Поз. Означення | Точки вимірів | Провіряючий номінальний допуск | |
| 1 | R1 | 1-3 | 6 кОм±10% | |
| 2 | R2 | 4-2 | 26 кОм±10% | |
| 3 | R3 | 4-2 | 26 кОм±10% | |
| 4 | С1 | 4-2 | 220пФ±15% | |
| 5 | C2 | 1-8 | 0.01мкФ±10% | |
1. * Розміри для довідок.
2. Поверхня А полірована.
3. Конфігурацію плівчастих елементів виконувати по координатам, вказаним в Табл.. 3-7.
4. Елементи шарів виконуються через маску по ОСТ4 ГО.054.238.
5. Опір R і ємність С повинні відповідати значенням Табл..2.
Додаток В
Таблиця 3
| Номери точок | Координати | |
| x | Y | |
| 1 | 16 | 23 |
| 2 | 51 | 23 |
| 3 | 16 | 17 |
| 4 | 51 | 17 |
| 5 | 57 | 63 |
| 6 | 62 | 63 |
| 7 | 57 | 31 |
| 8 | 62 | 31 |
| 9 | 13 | 63 |
| 10 | 18 | 63 |
| 11 | 18 | 31 |
| 12 | 41 | 31 |
1. * Розміри для довідок
Додаток Г
1. *Розміри для довідок
2. Установку без корпусних компонентів виконувати по ОСТу ТО.010,220
3. Компоненти поз. 2,6 клеїти до плати поз.1 клеєм ВК-9ОСТ ГО.029.204 по ОСТу.054.21С.
4. Виводи елементів поз. 2 варити на установці „Контакт-3А” по ОСТу ГО.054.242.
5. Довжина вільних кінців дротяних виводів компонентів в місцях приєднання до контактних доріжок 0,5 мм max в границях контактних доріжок.
6. Позначення без корпусних елементів і контактних доріжок показано умовно.
Додаток Д
