Смекни!
smekni.com

Схема трансформаторного усилителя (стр. 1 из 2)

ПЕТЕРБУРГСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ПУТЕЙ СООБЩЕНИЯ (ПГУПС / ЛИИЖТ)

Кафедра:"Автоматика и телемеханика на железных дорогах"

ОТЧЕТ ПО ВЫПОЛНЕНИЮ КОНТРОЛЬНОЙ РАБОТЫ

по дисциплине «Электронные устройства железнодорожной автоматики, телемеханики и связи».

Санкт-Петербург2010

ЗАДАНИЕ № 1. Построить принципиальную схему однотактного резистивного трансформаторного усилителя и рассчитать его параметры

Исходные данные (шифр. 25):

схема включения транзистора – ОБ;

ток эмиттера Iэ = 10 мА;

амплитуда входного сигнала Uвх = 0,1 В;

напряжение на коллекторе в рабочей точке U0 = 6 В;

напряжение источника питания Eк = 12 В.

РЕШЕНИЕ

1.Принципиальная электрическая схема простейшего однотактного резистивного транзисторного усилителя, выполненного по схеме с общей базой (ОБ), представлена на рис. 1.1а.

В транзисторном усилителе с общей базой (рис. 1.1а) источник входного сигнала Uвх подключен через разделительный конденсатор Ср к эмиттеру транзистора VTи общему проводу, соединенному с базой.

Эмиттерный переход транзистора VTоткрыт током, текущим от источника сигнала смещения G1через резистор Rэ . Коллекторный ток практически равен эмиттерному. Эти токи устанавливаются подбором резистора Rэ , но их можно и рассчитать, вычитая из напряжения источника смещения G1 примерно 0,6 В (напряжение база-эмиттер открытого кремниевого n-p-n транзистора) и поделив получившееся напряжение на Rэ.

Коллекторная цепь транзистора питается от основного источника питания G2 через сопротивление нагрузки Rн, величину которого выбирают таким, чтобы на нем "падало" около половины напряжения коллекторного питания - тогда на выходе можно получить наибольшую амплитуду усиленного сигнала.

Данный каскад не усиливает ток сигнала, поскольку коллекторный ток составляет около 0,99 эмиттерного. Но усиление по напряжению может быть значительным (порядка 100), поскольку в коллекторную цепь включено большее сопротивление. Таким же будет и усиление по мощности.

Однако входное сопротивление каскада очень низкое и составляет всего десятки-сотни Ом, так как вход усилителя нагружен на открытый эмиттерный переход, потребляющий значительный ток не только от источника питания G1, но и от источника сигнала. По этой причине данную схему включения не применяют в усилителях низкой, например звуковой, частоты.

Другой недостаток - необходимость дополнительного источника смещения, который, однако, можно заменить с помощью резисторных цепей смещения. Пример такого подхода представлен на схеме рис 1.1б, где условия работы транзистора в режиме постоянного тока (начальная рабочая точка) устанавливаются резисторами R1, и R2.

Достоинствами схемы с общей базой являются: отличная температурная стабильность и полное использование частотных свойств транзистора. Например, широко распространенный и дешевый транзистор серии КТ315, при использовании в данной схеме включения, может усиливать сигналы частотой до 250 МГц (граничная частота транзистора). На высоких частотах в качестве нагрузки чаще всего включают уже не резистор, а колебательный контур. Низкое же входное сопротивление хорошо согласуется со стандартными волновыми сопротивлениями коаксиальных кабелей 50 или 75 Ом. Схема с общей базой не вносит изменений в фазу сигнала между входом и выходом.

Благодаря всем этим особенностям область применения усилителя с общей базой сильно ограничена, однако эта схема обеспечивает усиление по напряжению и часто используется для усиления сигналов от источников с низким сопротивлением, таких, как микрофоны, различные датчики и антенны.

2. По значению напряжения источника питания (Ек = 12 В) и данным рабочей точки А (Iэ = 10 мА; U0 = 6 В) на семействе выходных характеристик усилителя (рис. 1.2) строим нагрузочную линию:

На основании рис.2 определяем значение выходного тока усилителя в точке А и сопротивление нагрузки Rн :

Rн = (Eк – U0) / Iвых = (12 – 6) / 0,009 = 666,7 Ом

3. По данным выходной динамической характеристики (точки пересечения НЛ со статическими характеристиками транзистора) с учетом семейства входных статических характеристик (рис.3) определим параметры входных динамических характеристик усилителя Iвх = f(Uвх), Uвых = f(Iвх), для чего в каждой точке пересечения НЛ с выходными статическими характеристиками транзистора определяем значения Iвх иUвых. При этом:

Iвх = Iэ; Iвых = Iк; Uвых = Eк – Uкб

Пример определения параметров для режима точки А на семействе входных статических характеристик показан на рис.1.3.

В результате получим следующие данные (табл.1.1), по которым можно построить искомые входные динамические характеристики усилителя.

Расшифровка данных таблицы 1.1: Uвх – входное напряжение источника сигнала;Iвх – входной ток усилителя (ток эмиттера);Iвых – выходной ток усилителя (ток коллектора); Uк – падение напряжения на сопротивлении Rк;Uвых – выходное напряжение усилителя.

Ниже приведены графики входных динамических характеристик усилителя Iвх = f(Uвх), Uвых = f(Uвх)

4. По заданной амплитуде входного сигнала (Uвх м = 0,1 В) на основании таблицы 1.1 и рис. 2, 3, 4 определим для заданной рабочей точки:

полный размах изменений входного тока:

Iвх =Iвх maxIвх min =16 – 6 = 10 мА;

полный размах изменений выходного тока:

Iвых =Iвых maxIвых min = 15 – 5,2 = 9,8 мА

полный размах изменений выходного напряжения:

Uвых =Uвых maxUвых min = 9,8 – 3,5 = 6,3 В

коэффициенты усиления по току:

Ki = Iвых/Iвх= 9,8/10 = 0,98

напряжению:

Ku = Uвых/Uвх= 6,3 / 0,2 = 31,5

мощности:

Kp = KiKu = 0,98 * 31,5 = 31

ЗАДАНИЕ № 2 Используя значения h – параметров транзистора для схемы с ОБ и пересчетные формулы табл.4 определим значения h – параметров для схем с ОЭ и ОК

1.1 Заданные значения h – параметров транзистора для схемы с ОБ (вариант 5):h21Б = - 0,95; h11Б = 20 Ом; h22Б = 0,000005 Сим; h12Б = 0, 0012;

1.2 Полученные расчетным путем значения h – параметров транзистора для схемы с ОЭ:

h21Э = - h21Б /(1 + h21Б ) = 0,95 /(1-0,95) = 19,0;

h11Э = h11Б /(1 + h21Б ) = 20 / 0,05 = 400,0 Ом;

h12Э = (h11Б *h22Б )/1 + h21Б ) - h12Б = (20*0,000005)/ 0,05 - 0,0012 = 0,0008;

h22Э = h22Б /(1 + h21Б ) = 0, 000005 /0,05 = 0, 0001 Сим;

1.3 Полученные расчетным путем значения h – параметров транзистора для схемы с ОК:

h21К = - 1/(1 + h21Б ) = - 20,0;

h11К = h11Э = 400,0 Ом;

h12К = 1;

h22К = h22Э = 0, 0001 Сим;

2. На основании полученных данных с помощью расчетных формул, предложенных в МУ, определим коэффициенты усиления по току Ki, напряжению KU, входное Rвх и выходное Rвых сопротивление для всех трех схем включения.

Для удобства дальнейшего использования сведем значения полученных ранее h - параметров в единую таблицу 2.1:

Вспомогательные расчеты:

Rвх б = 24,172/ (1+0, 00012) = 23,75 Ом

h = 0,000005*20 – (0,0012*(-0,95)) = + 0, 001192

h* Rн = 4,172

Rвх э = (400,0 + 86,8)/ (1+0,35) = 360,6 Ом

h = 0, 0001*400 – 0,0008*19 = 0,0248

h* Rн = 86,8

Rвх к = (400+ 70140) / (1+0,35) = 52,252 кОм

h = 0, 0001*400 + 20 = 20,04

h* Rн = 70,14 кОм

Rвых б = (20 + 75)/(0,001192 +0,000005*75) = 105/ 0,004515 = 60,625 кОм

Rвых э = (400 + 75)/(0,0248 +0,0001*75) = 475 / 0,0323 = 14,706 кОм

Rвых к = (400 + 75)/(20,04 +0,0001*75) = 475 /33,33 = 23,7 Ом

Ki б = - 0,95/(1+0,000005*3500) = - 0,93

Ki э = 19/ (1+0,0001*3500) = 14,1

Ki к = - 20/(1+0,0001*3500) = - 14,8

KUб = 0,95*3500/20 = 166,25

KUэ = -19*3500/400 = - 166,25

KUк = 20*3500/400 = 175,0

Результаты расчета представлены ниже в таблице 2.2

Таблица 2.2

ОБ ОЭ ОК
Rвх 23,75 Ом 360,6 Ом 52,25 кОм
Rвых 60,62 кОм 14,7 кОм 23,7 Ом
Ki - 0,93 14,1 - 14,8
KU 166,25 - 166,25 175,0
Kp 154,6 2344,1 2590,0

Из сравнения параметров таблицы 2.2, можно сделать следующие выводы:

С точки зрения величин входного и выходного сопротивлений усилителя схема с ОБ является предпочтительной, так как весьма высокое входное сопротивление (малое потребление энергии от источника сигнала) сопровождается весьма низким выходным сопротивлением. В положительную сторону отличается данная схема и с точки зрения величин коэффициентов усиления.

ЗАДАНИЕ 3.Для схемы рис. 3.1 (вариант 5) составим таблицу переключений

Таблица переключений

Х1 Х2 Х3 У1 У2
0 0 0 0 1
0 0 1 1 0
0 1 0 1 0
0 1 1 1 0
1 0 0 1 0
1 0 1 1 0
1 1 0 1 0
1 1 1 1 0

ЗАДАНИЕ 4

1. Схема и заданные параметры (вариант 5) неинвертирующего операционного усилителя представлены на рис. 4.1.

R1= 100 Ом; R2= 26 кОм; напряжение смещения Uоп = - 1 В; напряжение питания 5 В.

2. На основании заданных параметров и схемы неинвертирующего операционного усилителя (рис. 4.1) определим его коэффициент усиления Коу.