Смекни!
smekni.com

Модулятори оптичних сигналів (стр. 2 из 2)

, (7)

де

– потужність оптичного випромінювання на вході модулятора;

і
– відповідно, що керує напруга і напруга повного придушення, В.

З даного вираження випливає, що лінійна модуляція може бути досягнута тільки в лінійній області функції

.

Приведена конструкція має ряд особливостей, що дозволяють забезпечити:

– ефективне узгодження модулятора з джерелом напруги, що модулює, на високих частотах завдяки компланарної лінії передачі;

– незалежність електричного імпедансу від довжини взаємодії, що дозволяє варіювати максимальним рівнем керуючої напруги;

– широку смугу частот модуляції, тому що електрична й оптична хвилі поширюються в одному напрямку.

В ідеалі, коли швидкості обох хвиль однакові, хвилевід може бути нескінченно довгим, а керуюча напруга може бути зменшена до нуля.

Для того щоб проаналізувати частотну залежність коефіцієнта модуляції оптичного сигналу постійної потужності, прикладемо електричний

імпульс (імпульс нульової тривалості) до смугової лінії передач із нескінченною смугою частот. Якщо розглядати модулятор, для якого при нульовій напрузі на електричному вході на оптичному виході сигнал буде відсутній, глибина модуляції імпульсу буде визначатися оптичним імпульсом кінцевої тривалості
, рівної різниці часу надходження на вихід швидкої оптичної і повільний електричної хвиль, тобто.

, (8)

де

і
– показники заломлення для електричної й оптичної хвиль, відповідно;
– довжина ділянки взаємодії електричного полючи з оптичною хвилею; с= 3 х 1010 см/с – швидкість світла.

Для модулятора з нiобата літію LiNb03,

, a
тоді
пс/см.

Використовуючи перетворення Фур'є прямокутного імпульсу в частотну область, можна визначити залежність коефіцієнта перетворення модулятора від частоти як

, (9)

що відповідає функції

. Для модулятора довжиною 2 см перший нуль має місце при 7.7 ГГц, однак на практиці нулі менш виражені через втрати у смуговій лінії передачі.

У першому наближенні оптична хвиля як всередині, так і зовні оптичного хвилеводу описується гауссовським променем, тому для того, щоб досягти гарної ефективності оптичного з'єднання, діаметри модових плям джерела і хвилеводу і хвилеводу з приймачем повинні бути узгоджені. На практиці волокно приєднується до модулятора за допомогою пігтейла чи використовуючи лінзу, у зв'язку з цим типові внесені втрати модулятора звичайно складають не більш 3–5 дБ, включаючи втрати введення й ослаблення.

У табл. 1 приведені характеристики одного з кращих високошвидкісних електрооптичних амплітудних модуляторів (рис. 5)

Рисунок 5 – Високошвидкісний електрооптичний амплітудний модулятор, вироблений компанією Laser 2000

Дані модулятори були розроблені для волоконнооптичних систем передач і SONET, SDH, а також для хвильового групостворення чи видалення в WDM системах.

Таблиця 1 – Характеристики електрооптичного амплітудного модулятора

Основні параметри 2.5 Гбіт/с амплітудний модулятор 10 Гбіт/с амплітудний модулятор
Оптичні
Довжина хвилі, нм 1300/1550 1550
Оптична смуга частот, нм ±25 +25
Внесені втрати, дБ <5 <5
Відношення загасання, дБ > 20 > 20
Електричні
Смуга частот, ГГЦ 0–2.5 0–8
Пікова напруга (при 1Гц), В <4 <4
Напруга зсуву, В ±10 ±10
Механічні
Підтримуюче поляризацію з'єднання оптичного входу Super PC Super PC
З'єднання оптичного виходу ОдномодовеSuper PC ОдномодовеSuper PC
Електричне з'єднання 50 Ом butterfly pin
Доступність із з'єднувачем Так Так
Температурний діапазон, °С 0–70 0–70

Використання LiNb03, крім іншого, забезпечує електричні зсуви двулучезаломлення, що лежить в основі роботи фазових модуляторів.

Як відомо, фазові модулятори звичайно використовуються в когерентних системах передач, і зокрема, з фазовою маніпуляцією сигналу (PSK і DPSK). Тому в цій області інтерес представляють тільки інтегральні модулятори, що найбільш пристосовані до сполучення з одномодовим волокном. У таких модуляторах показник заломлення змінюється в напрямку прикладеного електричного поля, що використовується потім для створення змінюваної затримки оптичної хвилі. Найбільш ефективним шляхом реалізації останньої також є застосування ниобата літію, що характеризується значним електрооптичним ефектом, однак у цьому випадку одномодовий хвилевід створюється дифузією або імплантацією іонів титана. Тому можливі два способи реалізації пристрою, обумовлених напрямком розрізування кристала.

Звичайно кристал розрізається таким чином, щоб при впливі на нього електричним полем мав місце найбільший електрооптичний ефект, що у нiобата літію досягається при ідентичному напрямку електричних полів світлової хвилі й електричного модулюючого сигналу (рис. 6).


Рисунок 6 – Напрямок розрізування кристала

У пристроях з z-зрізом це забезпечується при взаємодії вертикальних складових модулюючого електричного поля й електричного поля оптичної хвилі, так називаної ТМ – хвилі. Для того щоб не створювати значні оптичні втрати в хвилеводі через близько розташовані металеві електроди, між ними й оптичним хвилеводом вводиться ізоляційний шар з Si02.

У пристрої з х-зрізом використовується горизонтальний компонент електричного поля, тому в цьому випадку електричне поле світлової хвилі повинне бути розташоване горизонтально, що відповідає Т-хвилі. Модулятори з х-зрізом не вимагають використання ізоляційного шару, у зв'язку з чим у них необхідне керуюча напруга менше, ніж у модулятора х, що використовують z-зріз.

Таблиця 2 – Характеристики фазових модуляторів компанії Laser 2000

Фазові модулятори 300-х-8 300-х-106 300-х-106 300-х-106
Робоча довжина хвилі, нм 800 1060 1320 1550
Смуга частот(3 дБ) [х в коді], Гц 3, 5, 10, 20 3, 5, 10, 20 3, 5, 10, 20 3, 5, 10, 20
Модулююча напруга,1 ГГц(3, 5, 10 ГГц),В модель 20 ГГц, В 5.06.4 6.08.0 7.09.6 9.011.6
Оптична потужність, мВт 5 10 50 75
Електричні зворотні втрати, дБ <-10 <-10 <-10 <-10
Внесені втрати при між – волоконному з'єднанні, дБ <4.5 <4.5 <4.5 <4.5
Оптичне зворотнє відбиття, дБ <-50 <-50 <-50 <-50
Вхідні /вихідні пігтейли PANDA PANDA PANDA PANDA
Розмір пристрою, мм 77 х 35 х 13 77 х 35 х 13 77 х 35 х 13 77 х 35 х 13

У табл. 2 дані характеристики фазових модуляторів компанії Laser 2000, що були розроблені для використання в тестовому устаткуванні, когерентних комунікаційних системах, а також для SONET, SDH і хвильового групостворення чи видалення.