Передатчик импульсный СВЧ диапазона (стр. 3 из 4)

Напряжение на выходе модулятора U, равное анодному напряжению магнетрона Еа.

Величины, характеризующие форму импульса, задаем из условий

ф = (0.1...0.2); с = (0.2...0.3); = u / u = (0.03...0.05), где ф - длительность фронта импульса; с - длительность спада импульса; U - изменение напряжения на плоской части импульса.

3.2.1. Расчет разрядной цепи накопителя

Расчет начинаем с выбора типа модуляторной лампы и режима работы.

Определяем напряжение на аноде лампы:

Для выбранной лампы определяем режим работы. (Чаще всего положение рабочей точки рекомендуется брать в области граничного или слегка перенапряженного режима). Именно для такого режима приведены данные в таблице 4.

Таблица 4.

Выписываем данные режима с учетом, что eа_макс = Eа + eа_мин

Статическое внутреннее сопротивление лампы.

Динамическое внутреннее сопротивление модуляторной лампы.

Напряжение питания управляющей сетки VL1.

3.2.2 Расчет зарядной цепи накопителя

Относительное снижение напряжения на нагрузке за счет шунтирующего действия инд-ти L = 0.5(U/U) = 0.5

Напряжение возбуждения магнетрона, определяемое из соотношения Eab = Eа (1 - rг / Rг) = (0.8 ... 0.9) Eа

Паразитная емкость модулятора, включающая выходную емкость модуляторной лампы, емкость монтажа, входную емкость магнетрона и составляющая Cп = (100...150) пФ.

3.2.3 Расчет цепи шунтирующего диода

Из таблицы 4 проводим выбор шунтирующего диода VL2 по следующим показателям:

обратное напряжение диода

ток эмиссии катода ,

внутреннее сопротивление диода ,

мощность рассеивания на аноде диода Paq = PL1.

Таблица 5.

По вычисленным показателям выбираем вакуумный диод типа ВИ2-30/25.

Выбираем источник питания, исходя из следующих значений

3.3 Расчет блокинг-генератора

В качестве подмодулятора возьмём блокинг-генератор (рисунок 4).

Сформулируем требования к блокинг-генератору на основе данных выбранной лампы-тиратрона - лампы ГМИ-2Б

Относительное изменение периода колебаний при изменении температуры от -60 до 60oC.

Руководствуясь требованиями к току нагрузки и длительности фронта выбираем высоковольтный кремниевый транзистор КТ 958 А.

Паспортные данные транзистора КТ 958 А:

Принимаем Eк примерно в 1.5...2 раза меньше максимально допуст. напряжения коллектор-эмиттер при закрытом транзисторе.

Пересчитаем сопротивление и ёмкость нагрузки в первичную обмотку

Оптимальный коэффициент трансформации цепи обратной связи:

Сопротивление стабилизирующего резистора:

Оценим величину длительности фронта выходных импульсов:

Оптимальный коэффициент трансформации цепи обратной связи: