Основные качества полупроводников (стр. 8 из 9)
Элемент — это часть ИС, реализующая функцию какого-либо простого электрорадиоэлемента (например, транзистора, диода, резистора, конденсатора). Элемент нельзя отделить от кристалла ИС (или ее подложки) как самостоятельное изделие, следовательно, его нельзя испытать, упаковать и эксплуатировать. Примеры интегральных элементов: пленочный резистор в гибридной ИС, транзистор в полупроводниковой ИС.
Компонент — это часть ИС, также реализующая функцию какого-либо электрорадиоэлемента, однако компонент перед сборкой ИС был самостоятельным изделием в специальной упаковке (комплектующее изделие). Компонент в принципе может быть отделен от изготовленной ИС (например, для замены при ремонте). Примеры интегральных компонентов: бескорпусный транзистор, керамический конденсатор в гибридной ИС.
Классификация ИС
В зависимости от технологии изготовления ИС могут быть полупроводниковыми, пленочными или гибридными. В ГОСТ 17021—75 даются следующие определения этим трем разновидностям ИС.
В полупроводниковой ИС все элементы и межэлементные соединения выполнены в объеме и на поверхности полупроводника.
В пленочной ИС все элементы и межэлементные соединения выполнены только в виде пленок проводящих и диэлектрических материалов. Вариантами пленочных являются тонкопленочные и толстопленочные ИС.
Различие между тонкопленочными и толстопленочными ИС может быть количественным и качественным. К тонкопленочным условно относят ИС с толщиной пленок до 1 мкм, а к толстопленочным — ИС с толщиной пленок свыше 1 мкм. Качественные различия определяются технологией изготовления пленок. Элементы тонкопленочной ИС наносятся на подложку, как правило, с помощью термовакуумного осаждения и катодного распыления, а элементы толстопленочной ИС изготавливаются преимущественно методом шелкографии с последующим выжиганием.
Наконец, к гибридным микросхемам относят ИС, содержащие, кроме элементов, простые и сложные компоненты (например, кристаллы полупроводниковых ИС). Частным случаем гибридной ИС является многокристальная ИС (совокупность нескольких бескорпусных ИС на одной подложке).
В зависимости от функционального назначения ИС делятся на две основные категории — аналоговые и цифровые. Аналоговые ИС (АИС) предназначены для преобразования и обработки сигналов, изменяющихся по закону непрерывной функции. Частным случаем АИС является ИС с линейной характеристикой (линейная микросхема, ЛИС). К цифровым относятся ИС, с помощью которых преобразуются и обрабатываются сигналы, выраженные в двоичном или другом коде. Вариантом определения ЦИС является термин логическая микросхема (операции с двоичным кодом описываются логической алгеброй).
При появление микропроцессорной техники в 1981 г. в ГОСТ 17021—75 были добавлены четыре термина. Микропроцессор определен как устройство, управляемое программным способом, осуществляющее процесс обработки цифровой информации и управления. Это устройство изготовлено на основе одной или нескольких БИС.
Операционные усилители
Операционным усилителем (ОУ) принято называть интегральный усилитель постоянного тока с большим коэффициентом усиления, с помощью которого можно строить узлы аппаратуры с параметрами, зависящими только от свойств цепи отрицательной обратной связи, в которую он включен. ОУ можно использовать для построения самых разнообразных узлов аппаратуры (по различным источникам — более 200).
К140УД1А, К140УД1Б, К140УД1В, КР140УД1А, КР140УД1Б, КР140УД1В
Микросхемы представляют собой операционные усилители средней точности без частотной коррекции. Содержат 22 интегральных элемента. Корпус К140УД1А-К140УД1В типа 301.12-1, масса не более 1,5 г, КР140УД1А-КР140УД1В — типа 201.14-1. масса не более 1,5 г.
Условное графическое обозначение К140УД1, КР140УД1
Назначение выводов: К140УД1: 1 - напряжение питания (- Un); 2, 3, 12 — контрольные; 4 - общий; 5 - выход; 7 - напряжение питания (+Un); 9 - вход инвертирующий; 10 - вход неинвертирующий.
КР140УД1: 1 - напряжение питания (- Un); 2, 4, 14 - контрольные; 5 - общий; 7- выход; 8 - напряжение питания (+Un); 10 - вход инвертирующий; 11 - вход неинвертирующий.
Общие рекомендации по применению
При одновременной подаче на входы ИС синфазного и дифференциального входных напряжений потенциал на каждом входе не должен превышать 1,5 и З В для К140УД1, КР140УД1А, 3 и 6 В для К140УД1Б, К140УДВ, КР140УДБ, КР140УДВ.
Электрические параметры
Номинальное напряжение питания:
К140УД1 А, КР140УД1А…………………… ± 6,3 В ± 0,5%
К140УД1Б, К140УД1В, КР140УД1Б,
КР140УД1В .......................................... .. ± 12,6 В ± 0,5%
Максимальное выходное напряжение:
при Uп = ± 6,3 В, Rн=5,05к0м, Uвх = ± 0,1 В:
К140УД1А ………………………………………………. >±2,8 В
КР140УД1А ………………………………………….... >ЗВ
при Uп = ± 12.6 В, Rн = 5,05 кОм:
К140УД1Б, К140УД1В, КР140УД1Б,
КР140УД1В при Uвх = -0,1 В……………………………….. >6В
К140УД1Б, К140УД1В при Uвх=0,1 В ..................................... >-5,7 В
Напряжение смещения нуля:
при Uп = ± 6,3 В, Rн =5,05 кОм для К140УД1А,
КР140УД1А ………………………………………………. < ±7 мВ
при Un = ± 12,6 В, Rн= 5,05 кОм:
К140УД1Б. К140УД1В, КР140УД1В………………………… <±7 мВ
КР140УД1Б …………………………………………. < ±5 мВ
Ток потребления:
К140УД1А, КР140УД1А…………………………… < 4,5 мА
К140УД1Б, К140УД1В, КР140УД1Б, КР140УД1В …< 10 мА
Входной ток:
При Un = ± 6,3 В, Rн =5,05 кОм
для К140УД1 А,КР140УД1А < 7 мкА
приUn = ± 12,6 В. Rн =5,05 кОм:
КР140УД1Б ……………… < 7,5 мкА
К140УД1Б, К140УД1В, КР140УД1В ……………… < 9 мкА
Разность входных токов
К140УД1А- К140УД1В, КР140УД1А- КР140УД1В………….. < 2,5 мкА
Коэффициент усиления напряжения:
приUn = ± 6,3 В,Uвх=0,1 В, Rн = 5,05 кОм
дляК140УД1А, КР140УД1А..............500…4500
при Un= ± 12,6 В, Uвх = 0,1 В, Rн =5,05 кОм: