Смекни!
smekni.com

Разработка интегральных микросхем (стр. 2 из 15)

Напряжение насыщения база - эмиттер Uбэ нас В 2.5
Время рассеивания параметра биполярного транзистора tрас мкс -
Время включения параметра биполярного транзистора tвкл мкс -
Время включения параметра биполярного транзистора tвыкл мкс -
Емкость коллекторного перехода. При увеличении обратного напряжения емкость уменьшается Ск пф 60
Емкость эмиттерного перехода. При увеличении обратного смещения на эмиттере емкость уменьшается. Сэ пф 115
Температура p-n перехода Тп ◦С <100

Таблица 1.2 - Параметры транзистора КТ 502Е[4, стр.491,500,501,524]

Параметр Обозначение Единица измерения Данные о параметрах
Максимально допустимый постоянный ток коллектора Ikmax мА 150
Максимально допустимый импульсный ток коллектора Ik, и max мA 350
Постоянное напряжение коллектор – эмиттер при определенном сопротивлении в цепи база - эмиттер Uкэ R В 60
Постоянное напряжение коллектор – эмиттер Uкэ В 60
Сопротивление перехода база - эмиттер Rбэ Ом 10
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора Pк мВт 350
Коэффициент шума транзистора Кш Дб -
Постоянный ток эмитера Iэ мА 1
Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор - база Uкб max В 90
Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер - база Uэб max В 5
Коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером: отношение постоянного тока коллектора к постоянному току базы h21э - 40…120

Продолжение табл. 1.2

Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером: частота, на которой h21э транзистора (включенного по схеме с общим эмиттером) равен единицы fгр кГц 1
Постоянный обратный ток коллектора Iкбо мкА 1
Постоянный обратный ток коллектор – эмиттер при определенном сопротивлении в цепи база - эмиттер
Постоянный обратный ток коллектора - эмиттера Iкэо мкА 1
Напряжение коллектор - база Uкб В 3
Ток коллектора мА 0.6
Ток перехода коллектор - эмитттер Iкэо мкА 50
Выходная полная проводимость H22э мкСм 5
Емкость коллекторного перехода. При увеличении обратного напряжения емкость уменьшается Ск пф 20
Температура p-n перехода Тп ◦С <80

Таблица 1.3 - Параметры диода Д303[4, стр.473,474,476]

Параметр Обозначение Единица измерения Данные о параметрах
Средний прямой ток: среднее за период значение тока через диод Iпр.ср. А 3
Импульсный прямой ток: наибольшее мгновенное значение прямого тока, исключая повторяющиеся и неповторяющиеся переходные токи Iпр.и. А -
Максимально допустимое постоянное обратное напряжение Uобр max В 150
Среднее прямое напряжение: среднее за период значение прямого напряжения при заданном среднем прямом токе Uпр ср В 0.3
Средний прямой ток: среднее за период значение прямого тока через диод Iпр.ср А 3
Постоянный обратный ток, обусловленный постоянным обратным напряжением Iобр мА 1
Время обратного восстановления: время переключения диода с заданного прямого тока на заданное обратное напряжение от момента прохождения тока через нулевое значение до момента достижения обратным током заданного значения Tвос.обр мкс -
Максимально допустимая частота: наибольшая частота подводимого напряжения и импульсов тока, при которых обеспечивается надежная работа диода fmax кГц 5

Таблица 1.4 - Параметры диода Д242Б [4, стр.473,474,476]

Параметр Обозначение Единица измерения Данные о параметрах
Средний прямой ток: среднее за период значение тока через диод Iпр.ср. А 5
Импульсный прямой ток: наибольшее мгновенное значение прямого тока, исключая повторяющиеся и неповторяющиеся переходные токи Iпр.и. А -
Максимально допустимое постоянное обратное напряжение Uобр max В 100
Среднее прямое напряжение: среднее за период значение прямого напряжения при заданном среднем прямом токе Uпр ср В 1.5
Средний прямой ток: среднее за период значение прямого тока через диод Iпр.ср А 5
Постоянный обратный ток, обусловленный постоянным обратным напряжением Iобр мА 3
Время обратного восстановления: время переключения диода с заданного прямого тока на заданное обратное напряжение от момента прохождения тока через нулевое значение до момента достижения обратным током заданного значения Tвос.обр мкс -
Максимально допустимая частота: наибольшая частота подводимого напряжения и импульсов тока, при которых обеспечивается надежная работа диода fmax кГц 1.1

Выбор и обоснование конструктивных и технологических матриалов

Для изготовления полупроводниковых интегральных схем используют в большинстве случаев пластины монокристаллического кремния p- или n- типа проводимости, снабженными эпитаксиальными и так называемыми “скрытыми” слоями. В качестве легирующих примесей, с помощью которых изменяют проводимость исходного материала пластины, применяют соединения бора, сурьмы, фосфора, алюминия, галлия, индия, мышьяка, золота. Для создания межсоединений и контактных площадок используют алюминий и золото. Применяемые материалы должны обладать очень высокой чистотой: содержание примесей в большинстве материалов, используемых при изготовлении полупроводниковых микросхем, не должно превышать 10-5...10-9 частей основного материала.

Изменяя определенным образом концентрацию примесей в различных частях монокристаллической полупроводниковой пластины, можно получить многослойную структуру, воспроизводящую заданную электрическую функцию и до известной степени эквивалентную обычному дискретному резистору, конденсатору, диоду или транзистору. [1, стр. 24-25].

Необходимо отметить, что материал используемый для изготовления интегральной микросхемы должен определятся параметрами зависящими от свойств материала, а именно: оптических, термических, термоэлектрических, зонной структуры, ширины запрещённой зоны, положения в ней примесных уровней и т. д. Немаловажное значение играют электрические свойства полупроводникового материала: тип электропроводности, концентрация носителей заряда и их подвижность, удельное сопротивление, время жизни неосновных носителей заряда и их диффузионная длина.

К основным требованиям, которым должны удовлетворять все материалы, используемые в производстве интегральных МС, относятся:

1. стойкость к химическому воздействию окружающей среды;

2. монокристаллическая структура;

3. однородность распределения;

4. устойчивость к химическим реагентам;

5. механическая прочность, термостойкость;

6. устойчивость к старению и долговечность.

Важным фактором, который должен учитываться при определении возможности применения какого-либо материала или технологического процесса производства ИМС, является его совместимость с другими применяемыми материалами [1, стр.24,25, 27].

Приведем параметры некоторых проводящих материалов и параметры некоторых полупроводниковых материалов.