Смекни!
smekni.com

Разработка интегральных микросхем (стр. 8 из 15)

Таблица 3.1.4 Расчетные параметры транзистора КТ502Е

Наименование параметра Значение Единица измерения
- коэффициент передачи
1.368E+3 -
- коэффициент инжекции эмиттерного перехода
-
- коэффициент переноса
0.999 -
-диффузионная длина акцепторов
5.212E-7 см
- диффузионная длина доноров
1.158E-7 см
-ширина базы
1.2E-6 см
-инверсный коэффициент передачи
53.642 -
-площадь эмиттера
- площадь базы
-коэффициент
0
- обратный ток эмиттера
7.073E-12 A
- обратный ток коллектора
1.626E-11 A
-
-
-температурный потенциал
-
-емкость перехода коллектор-база
3.354E-11 Ф
- емкость перехода эмиттер-база
1.367E-11 Ф
-максимальное напряжение коллектор-база
4.527 В
- максимальное напряжение эмиттер-база
2.795E-3 В
- максимальное напряжение эмиттер- коллектор
0.817 В
-омическое сопротивление базы
1.556E-3 Ом
- омическое сопротивление коллектор
1.958 Ом

3.2 Расчет параметров диодов

Диоды формируются на основе одного из переходов планарно – эпитаксиальной структуры. Диоды сформированные на основе перехода эмиттер – база, характеризуются наименьшими значениями обратного тока за счет малой площади и самой узкой области объемного заряда. Для других структур значение паразитной емкости характеризуется временем восстановления обратного сопротивления, т.е. временем переключения диода из открытого состояния в закрытое. Оно минимально (около 10 нс) для перехода эмиттер – база, при условии, что переход коллектор – база закорочен, при условии, что переход переход коллектор – база закорочен, так при такой диодной структуре заряд накапливается только в базовом слое. В других структурах заряд накапливается не только в базе, но и в коллекторе, поэтому время восстановления обратного сопротивления составляет 50…100нс.

Диод на основе транзисторной структуры с замкнутым переходом база – коллектор предпочтительнее использовать в цифровых ИМС, поскольку он обеспечивает наибольшее быстродействие. Диод на основе перехода эмиттер – база применяют в цифровых схемах в качестве накопительного диода. Диоды с замкнутым переходом база – эмиттер, имеющие наибольшие напряжения пробоя, могут быть использованы в качестве диодов общего назначения [8, стр. 27,29].

3.2.1 Расчет параметров диода Д242Б

Ширина эмиттера Rэ=3Δ, площадь эмиттера Sэ=300 мкм2

Длина эмиттера:

; (1)

мкм

Длина базы:

(2)

Значения омических сопротивлений областей транзистора можно оценить по формулам :

(3)

Ом

(4)

Ом

где Кк = 0 для конструкции с одним базовым контактом;

,
-удельное поверхностное сопротивление пассивной и активной областей базы, Ом/□; (100 – 300) Ом/□; (1 – 10) кОм/□; hк – толщина коллекторной области , см,(2 -10) мкм; hб – глубина залегания p-n – перехода база – коллектор, см, (1 - 3) мкм; ρк – удельное объемное сопротивление коллекторной области Ом*см; (0,1 – 1)

Ширина базы составляет :

(5)

где

=(0,5 – 2,5) мкм

мкм

Коэффициент переноса

вычисляется по формуле:

(6)

где

- диффузионная длина базы,
=(2 – 50) мкм;
- концентрация донорной примеси у эмиттерного перехода,

=(0,1–1) * 1018 см;
- концентрация донорной примеси в коллекторе, см-3,
=(0,05 – 1)*1017 ;

Коэффициенты

,
и высчитываются по формулам :

(7)

(8)

мкм;

(9)

Максимальные напряжения переходов (коллектор – база, эмиттер – база, эмиттер - коллектор) рассчитываются по формулам:

(10)

В

(11)

В

(12)

В

- концентрация носителей заряда в собственном полупроводнике.

Инверсный коэффициент передачи транзистора (Bi) можно определить по следующей формуле: