Расчёт интегральной микросхемы (стр. 5 из 5)
4.Химическая обработка пластин в перикисно-аммиачном растворе.
5.Диффузия сурьмы для формирования
- скрытого слоя в две стадии: загонка при 1000 
в течение 20мин, обработка осажденного сурьмяно-силикатного стекла во влажном кислороде при 1000 , снятие стекла и окисла в растворе HF, вторая стадия разгонка при 1200 в течение 2 часов.6.Снятие окисла в растворе
:HF: 
=7:1:3.7.Химическая обработка пластин в перикисно-аммиачном растворе.
8.Эпитаксиальное наращивание монокристаллического слоя кремния n-типа из газовой смеси
+ 
при 1200 
, толщиной (7 
0,1) мкм, с плотностью дефектов не более 
, легированного мышьяком.9.Окисление поверхности эпитаксиального слоя при 1000
в течение 40 мин в сухом кислороде для получения окисла толщиной (60 10) нм.10.Фотолитография для вскрытия окон под разделительную (изолирующую) диффузию и окон под диффузионные резисторы на основе коллекторной области. Применять фоторезист ФН 102. Нанесение фоторезиста и сушку осуществлять на агрегате формирования фоторезистивных покрытий АФФ 2. Сушку проводить в течении 15 мин. Экспанирование проводить в установке экспанирования ЭМ-569. Время экспанирования 40 сек. Проявление проводить в течении 20сек и температурой растворителя 50
. После проявки сушку проводить в два этапа: 30 мин при температуре 90 и 40 мин при температуре 200 . Для травления слоя расположенного под фоторезистивной маской использовать травитель следующего состава: HF: 
=2:7:1.11.Двухстадийная диффузия бора: осаждение на поверхность пластины боросиликатного стекла из газовой фазы, содержащей
и 
, при 950 , обработка боросиликатного стекла во влажном кислороде при 600 в течение 30 мин, снятие боросиликатного стекла в травителе HF: 
=1:10, разгонка при 1050 в течение 30 мин до толщины превышающей толщину эпитаксиального слоя.12.Термическое окисление структур при 1050
в сухом (10мин), влажном (20мин), и снова в сухом (10мин) кислороде.13.Фотолитография для вскрытия окон в окисле для проведения базовой диффузии над теми карманами, где будут формироваться транзистор и резистор на основе базового диффузионного слоя. Применять фоторезист ФН 102. Нанесение фоторезиста и сушку осуществлять на агрегате формирования фоторезистивных покрытий АФФ 2. Сушку проводить в течении 15 мин. Экспанирование проводить в установке экспанирования ЭМ-569. Время экспанирования 40 сек. Проявление проводить в течении 20сек и температурой растворителя 50
. После проявки сушку проводить в два этапа: 30 мин при температуре 90 и 40 мин при температуре 200 . Для травления слоя расположенного под фоторезистивной маской использовать травитель следующего состава: HF: 
=2:7:1.14.Двухстадийная базовая диффузия примеси p-типа (бор). Загонку проводить в течении 20 мин при температуре 900
. Одновременно формируется на базовых областях окисел толщиной 0,18…0,2 мкм и проводится разгонка 1ч при 1200 .15. Фотолитография для вскрытия окон в окисле над областями эмиттера транзистора и коллекторного контакта нижней обкладки конденсатора. Размер эмиттера 100мкм, точность совмещения фотошаблона не более 1мкм.
16.Диффузия фосфора для получения области эмиттера на глубину 1,3мкм. Осаждение проводить при температуре 960
.17.Фотолитография для вскрытия контактных окон в
к резисторам, к нижней обкладке конденсатора и к областям транзистора.18.Напыление пленки Al +(1%)Si толщиной (0,6
0,1) мкм, температура подложки 200 , температура отжига 250 .19.Фотолитография по алюминию для формирования пленочной коммутации, верхней обкладки конденсатора и внешних контактных площадок. Клин травления и уход размеров не более 1мкм.
20.Осаждение изолирующего слоя окисла плазмохимическим способом при температуре 150
толщиной (1 
0,1)мкм.21.Фотолитография по пленке защитного диэлектрика для вскрытия окон к контактным площадкам микросхемы и дорожек для скрайбирования.
22.Скрайбирование пластин для разделения их на кристаллы. Операции контроля и разбраковка микросхем по электрическим параметрам и на функционирование на еще не разделенных на кристаллы пластинах ( на негодные кристаллы ставится метка краской). Затем производится разделение пластин на кристаллы без потери их взаимной ориентировки. Операции монтажа и сборки в корпус.
Заключение
В процессе выполнения курсового проекта была разработана полупроводниковая интегральная схема усилителя. В курсовом проекте были выполнены тепловые расчеты, расчет паразитных емкостей. Полученные в результате расчета значения не превышают максимально допустимых, указанных в справочной литературе. Та же картина наблюдалась и при расчете паразитных емкостей, значения, полученные в процессе расчета, оказались ничтожно малыми. Можно сказать, что паразитные емкости с подобными номинальными значениями не будут оказывать, сколь бы то ни было, ощутимое воздействие на работу усилителя. Посему было принято решение конфигурацию проводников оставить без изменений. В процессе работы был также осуществлен расчет надежности.
Основываясь на значениях топологических размеров элементов был разработан топологический чертеж. Разработав топологию, мы перешли к выбору корпуса и в результате остановили свой выбор на корпусе вида: «Корпус 1203 ГОСТ 17467 – 79».Важным этапом явился этап разработки технологического процесса изготовления микросхемы. В результате можно сделать вывод, что последний вполне способен обеспечить воспроизведение параметров, заложенных конструктором на этапе разработки полупроводниковой интегральной схемы. И в заключение всего можно сделать вывод, что разработанная нами микросхема способна занять достойное место среди подобных ей изделий.
В итоге можно сказать, что курсовое проектирование значительно влияет на освоение материала учебного курса и дает реальное представление о конструкторско-технологических работах, проводимых на этапе проектирования.
Литература
1. Конструирование и производство микросхем. Курсовое проектирование: Учеб. пособие для вузов по спец. «Конструирование и производство радиоаппаратуры» и «Конструирование и производство электронно-вычислительной аппаратуры» /Под ред. Коледова Л.А. – М.: Высшая школа, 1984.-231 с.
2. Матсон Э.А., Крыжановский Д.В. Справочное пособие по конструированию микросхем. – Мн.: Вышэйшая школа, 1982.-224 с.
3. Матсон Э.А. Конструкции и технология микросхем: Учебное пособие для радиотехн. спец. вузов. – Мн.: Вышэйшая школа, 1985.- 207 с.