регистрация /  вход

Розрахунок номіналів компонентів електронних схем (стр. 1 из 2)

Національний технічний університет

України “КПІ”

Кафедра Фізичної та біомедичної електроніки

КУРСОВА РОБОТА

з курсу Аналогова схемотехніка

тема Розрахунок номіналів компонентів електронних схем


Зміст

1. Підсилювальні каскади на біполярних транзисторах

1.1 Початкові дані

1.2 Методика розрахунку

1.3 Кінцеві схеми з вказаними номіналами елементів

2. Активні RC–фільтри нижніх частот

2.1 Початкові дані

2.2 Методика розрахунку

2.3 Кінцеві схеми з вказаними номіналами елементів

3. RC–генератори

3.1 Початкові дані

3.2 Методика розрахунку

3.3 Кінцева схема з вказаними номіналами елементів

Висновки


1. Підсилювальні каскади на біполярних транзисторах

1.1 Початкові дані

Рис 1.1 Підсилювальні каскади на біполярних транзисторах,,включені за схемою: а) з загальним емітером; б) з загальною базою

Табл. 1

№ Варіанту Схема включення fH, Гц fв, кГц Мн=Мв RH, кОм U2m, В Тип транзистора
1 ЗЕ , ЗБ 100 120 1,1 18 2 МП39

Для даних схем включення і у відповідності з номером варіанта був вибраний транзистор МП39. Це германієвий сплавний транзистор p-n-p типу. Призначений для використання в каскадах підсилення напруги проміжної та низької частоти, імпульсних та інших пристроях радіоелектронної апаратури широкого використання. Випускаються в металоскляному корпусі з гнучкими виводами.


Рис.1.1. Транзистор МП39

В таблиці 2 представлені основні характеристики вибраного транзистора.

Табл. 2. Основні характеристики транзистора МП39

Параметри Режим вимірювання Значення параметрів
h21Э Uкб=5 В, IЭ=1 мА, f=1 кГц , Θокр=200 С 12
IКБО, мкА Uкб=5 В, Θокр=200 С 15
Θокр=700 С ≤400
fh21Э, МГц Uкб=5 В, IЭ=1 мА 0.5
h11Б ,Ом Uкб=5 В, IЭ=1 мА, f=1 кГц 25
h22Б , мкСм Uкб=5 В, IЭ=1 мА, f=1 кГц 3,3
Cк, пФ Uкб=5 В, f=465 кГц 60
Iк доп, мА Uкб=5 В, IЭ=1 мА, f=1 кГц , Θокр=200 С 40

Табл.3. Гранично допустимі експлуатаційні дані транзистора МП39

Параметри Режим вимірювання Значення параметрів
UКЭ max , B RбЭ=200 Ом, Θокр =400 С 15
UКБ max , B -600 С ≤Θокр≤400 С 10
IК max , мА -600 С ≤Θокр≤700 С 40
IК нас max , мА -600 С ≤Θокр≤700 С 150
IЭ нас max , мА -600 С ≤Θокр≤700 С 150
PК max , мВт -500 С ≤Θокр≤550 С 150
Θпер max , 0 С - 85

1.2 Розрахунок параметрів для схеми з ЗЕ

Транзистор обирається з вимоги забезпечення необхідної амплітуди вихідного сигналу

і смуги пропускання
при заданій вихідній напрузі та коефіцієнті частотних спотворень
в області верхніх частот
:

Вибираємо

(для p-n-p транзистора живлення набуває від`ємного значення )

Опір резистора RK ОЭ , і допустима ємність конденсатора навантаження Cн.доп. обираються з умови

На сімействі вихідних характеристик транзистора побудуємо лінію навантаження по постійному струму і визначимо положення точки спокою (Uкэ A , Iк A , Iб A ) для режиму класа А. На сімействі вхідних характеристик транзистора по Iб A визначається напруга початкового зміщення Uбэ A .


Рис. 1.2 Сімейство вхідних характеристик транзистора МП39 схеми з ЗЕ (А - обрана робоча точка).

Рис. 1.3 Сімейство вихідних характеристик транзистора МП39 схеми з ЗЕ (А- обрана робоча точка).

При заданих Е1 =-10 В маємо Uкэ A =- 5 В, Iк A = 20 мА, Iб A = 500 мкА,

Iэ A = Iк A +Iб A =20,5 мА , Uбэ A =-0.27 В.

Опір резисторів забезпечуючих початкове зміщення фіксованим струмом бази:


Емність розподільчих конденсаторів С1 , С2

1.3 Розрахунок параметрів для схеми з ЗБ

Транзистор обирається з вимоги забезпечення необхідної амплітуди вихідного сигналу

і смуги пропускання
при заданій вихідній напрузі та коефіцієнті частотних спотворень
в області верхніх частот
:

Вибираємо

(для p-n-p транзистора живлення набуває від`ємного значення )

Опір резистора

і допустима ємність конденсатора навантаження
обираються як і в схемі з ЗЕ, тобто


На сімействі вихідних характеристик транзистора побудуємо лінію навантаження по постійному струму і визначимо положення точки спокою (Uкб A , Iк A , Iэ A ) для режиму класа А. На сімействі вхідних характеристик транзистора по Iэ A визначається напруга початкового зміщення Uэб A .

Рис. 1.2 Сімейство вхідних характеристик транзистора МП39 схеми з ЗБ (В - обрана робоча точка).


Рис. 1.3 Сімейство вихідних характеристик транзистора МП39 схеми з ЗБ (В- обрана робоча точка).

При заданих Е1 =-10 В і Е2 =-1 В маємо Uкб A =0 В, Iк A = 20 мА, Iэ A = 20 мА,

Iб A = Iк A +Iэ A =40 мА , Uэб A =0.32 В.

Опір резисторів забезпечуючих початкове зміщення фіксованим струмом бази :

Ємність розподільчих конденсаторів С1 , С2


2. Активні RC–фільтри нижніх частот

2.1 Початкові дані

Частота зрізу

.

Схеми фільтрів наведені на рис. 2.1

2.2 Методика розрахунку

Параметри компонентів схеми для фільтрів нижніх частот 1–го порядку

, обираємо
;

,
;

б

Рис. 2.1. Схеми фільтрів нижніх частот: а – першого порядку; б – другого порядку.

.

Для фільтрів нижніх частот 2–го порядку


Дарим 300 рублей на твой реферат!
Оставьте заявку, и в течение 5 минут на почту вам станут поступать предложения!
Мы дарим вам 300 рублей на первый заказ!