Исследование широкополосных трансформаторов (стр. 1 из 2)
Министерство образования и науки Республики Казахстан
Северо-Казахстанский Государственный университет
имени М. Козыбаева
Факультет энергетики и машиностроения
Кафедра «Радиоэлектроника и телекоммуникации»
Отчет
по лабораторной работе №7
по дисциплине: «Радиопередающие устройства»
на тему: «Исследование широкополосных трансформаторов»
Выполнил: студент гр. РЭТ-08-2
Аяганов Н.Ш.
Проверил: ст. преподаватель каф. РиТ
Лесик А.Н.
Петропавловск
2011
Цели работы:
1) ознакомление с принципом работы широкополосных трансформаторов на ферритах;
2) экспериментальное исследование трансформаторов на ферритах.
Описание лабораторной установки:
Лабораторная установка состоит из макета, генератора стандартных сигналов Г4-102 и осциллографа С1-65 (или высокочастотного милливольтметра В3-25 или В3-43). Структурная схема установки приведена на рис.1.
Рисунок 1 – Структурная схема установки
На рис. 2 представлена электрическая принципиальная схема лабораторного макета. Объектом исследования являются три типа широкополосных трансформаторов: Т1 – обычный ШПТ, Т2 – ШПТ с объемным витком, Т3 – ШТЛ. Электрические схемы представленных трансформаторов идентичны для возможности обоснованного сравнения их между собой. Кроме того, эти типы трансформаторов всегда используются в широкополосных транзисторных усилителях. Трансформаторы намотаны на ферритовых кольцах с магнитной проницаемостью μ=100, поэтому их исследование следует проводить в декаметровом и длинноволновой части метрового диапазонов (1…50) МГц.
При снятии АЧХ трансформаторов U=U(ω) используется входной разъем XS1 макета, к которому подключают генератор ВЧ колебаний Г4-102. Переключатель SA1 обеспечивает подключение к разъему XS1 любого из трех трансформаторов. Перемычка XP1-XP2 предназначена для подключения цепочки C1-C2 к переключателю SA1. С помощью переключателей SA2.1 и SA2.2 осуществляется коммутация вторичных обмоток трансформаторов на выходные разъемы XS5,XS6 и XS7.
Экспериментальные данные:
Таблица 1 – для Т1, при Rн=100 Ом
| f,МГц | 1 | 5 | 10 | 15 | 20 | 25 | 30 | 35 | 40 | 45 | 50 |
| U2’, В | 0,32 | 0,87 | 0,53 | 0,28 | 0,18 | 0,12 | 0,105 | 0,095 | 0,11 | 0,125 | 0,05 |
| U2’’, В | 0,39 | 0,86 | 0,77 | 0,4 | 0,2 | 0,13 | 0,1 | 0,105 | 0,13 | 0,03 | 0,02 |
Таблица 2 – для Т1, при Rн=300 Ом
| f,МГц | 1 | 5 | 10 | 15 | 20 | 25 | 30 | 35 | 40 | 45 | 50 |
| U2’, В | 0,35 | 0,55 | 0,58 | 0,2 | 0,15 | 0,11 | 0,07 | 0,05 | 0,035 | 0,023 | 0,021 |
| U2’’, В | 0,36 | 0,55 | 0,58 | 0,2 | 0,15 | 0,11 | 0,075 | 0,05 | 0,03 | 0,02 | 0,019 |
Таблица 3 – для Т1, при Rн=1000 Ом
| f,МГц | 1 | 5 | 10 | 15 | 20 | 25 | 30 | 35 | 40 | 45 | 50 |
| U2’, В | 0,39 | 0,8 | 1,025 | 0,375 | 0,18 | 0,14 | 0,1 | 0,08 | 0,08 | 0,05 | 0,038 |
| U2’’, В | 0,39 | 0,8 | 1,05 | 0,375 | 0,19 | 0,14 | 0,095 | 0,075 | 0,07 | 0,03 | 0,023 |
Таблица 4 – для Т2, при Rн=100 Ом
| f,МГц | 1 | 5 | 10 | 15 | 20 | 25 | 30 | 35 | 40 | 45 | 50 |
| U2’, В | 0,7 | 0,085 | 1,2 | 0,95 | 0,6 | 0,35 | 0,24 | 0,19 | 0,15 | 0,15 | 0,23 |
| U2’’, В | 0,7 | 0,085 | 1,2 | 1 | 0,6 | 0,35 | 0,25 | 0,2 | 0,18 | 0,19 | 0,21 |
Таблица 5 – для Т2, при Rн=300 Ом
| f,МГц | 1 | 5 | 10 | 15 | 20 | 25 | 30 | 35 | 40 | 45 | 50 |
| U2’, В | 0,55 | 0,44 | 0,47 | 0,45 | 0,46 | 0,31 | 0,21 | 0,14 | 0,095 | 0,07 | 0,06 |
| U2’’, В | 0,55 | 0,45 | 0,47 | 0,45 | 0,41 | 0,31 | 0,21 | 0,14 | 0,095 | 0,07 | 0,06 |
Таблица 6 – для Т2, при Rн=1000 Ом
| f,МГц | 1 | 5 | 10 | 15 | 20 | 25 | 30 | 35 | 40 | 45 | 50 |
| U2’, В | 0,575 | 0,525 | 0,625 | 0,525 | 0,3 | 0,21 | 0,15 | 0,1 | 0,08 | 0,11 | 0,13 |
| U2’’, В | 0,575 | 0,525 | 0,625 | 0,475 | 0,3 | 0,21 | 0,15 | 0,11 | 0,08 | 0,11 | 0,13 |
Таблица 7 – для Т3, при Rн=100 Ом
| f,МГц | 1 | 5 | 10 | 15 | 20 | 25 | 30 | 35 | 40 | 45 | 50 |
| U2’, В | 0,5 | 0,875 | 1,075 | 1,05 | 0,75 | 0,5 | 0,4 | 0,25 | 0,2 | 0,19 | 0,2 |
| U2’’, В | 0,5 | 0,85 | 1,075 | 1,1 | 0,75 | 0,5 | 0,4 | 0,25 | 0,21 | 0,18 | 0,15 |
Таблица 8 – для Т3, при Rн=300 Ом
| f,МГц | 1 | 5 | 10 | 15 | 20 | 25 | 30 | 35 | 40 | 45 | 50 |
| U2’, В | 0,5 | 0,625 | 0,75 | 0,775 | 0,65 | 0,5 | 0,35 | 0,2 | 0,15 | 0,11 | 0,1 |
| U2’’, В | 0,5 | 0,625 | 0,75 | 0,8 | 0,65 | 0,5 | 0,3 | 0,2 | 0,15 | 0,1 | 0,1 |
Таблица 9 – для Т3, при Rн=1000 Ом
| f,МГц | 1 | 5 | 10 | 15 | 20 | 25 | 30 | 35 | 40 | 45 | 50 |
| U2’, В | 0,525 | 0,775 | 0,95 | 0,95 | 0,75 | 0,525 | 0,375 | 0,24 | 0,19 | 0,14 | 0,13 |
| U2’’, В | 0,52 | 0,775 | 0,975 | 1 | 0,75 | 0,525 | 0,37 | 0,23 | 0,18 | 0,14 | 0,125 |
Графики зависимостей U2=U2(f) при U1=const:
График АЧХ для Т1, при Rн=100 Ом
График АЧХ для Т1, при Rн=300 Ом
График АЧХ для Т1, при Rн=1000 Ом
График АЧХ для Т2, при Rн=100 Ом
График АЧХ для Т2, при Rн=300 Ом
График АЧХ для Т2, при Rн=1000 Ом
График АЧХ для Т3, при Rн=100 Ом
График АЧХ для Т3, при Rн=300 Ом
График АЧХ для Т3, при Rн=1000 Ом
Коэффициенты ассиметрии:
Коэффициент ассиметрии для Т1, при Rн=100 Ом
Коэффициент ассиметрии для Т1, при Rн=300 Ом
Коэффициент ассиметрии для Т1, при Rн=1000 Ом
Коэффициент ассиметрии для Т2, при Rн=100 Ом
Коэффициент ассиметрии для Т2, при Rн=300 Ом
Коэффициент ассиметрии для Т2, при Rн=1000 Ом
Коэффициент ассиметрии для Т3, при Rн=100 Ом
Коэффициент ассиметрии для Т3, при Rн=300 Ом
Коэффициент ассиметрии для Т3, при Rн=1000 Ом
Результаты измерений индуктивности первичной обмотки L1и индуктивности рассеивания Lsтрансформаторов:
; 
для Т1:
МГц 
мкГн МГц 
мкГндля Т2:
МГц мкГн МГц мкГндля Т3:
МГц мкГн