Смекни!
smekni.com

Расчет МДП-транзистора с индуцированным каналом (стр. 1 из 3)

Оглавление

1. Основные сведения

2. Расчет МДП-транзистора с индуцированным каналом

Выводы

1. Основные сведения

Упрощенная структура МДП-транзистора с n-каналом, сформированного на подложке p-типа электропроводности, показана на рисунке 1.

Транзистор состоит из МДП-структуры, двух сильнолегированных областей противоположного типа электропроводности по сравнению с электропроводностью подложки и электродов истока и стока. При напряжении на затворе, превышающем пороговое напряжение (

), в приповерхностной области полупроводника под затвором образуется индуцированный электрическим полем затвора инверсный слой, соединяющий области истока и стока. Если подано напряжение между стоком и истоком, то по инверсному слою, как по каналу, движутся основные для канала носители заряда, т.е. проходит ток стока.

2. Расчет МДП-транзистора с индуцированным каналом

I. Выбор длины канала и диэлектрика под затвором транзистора:

а) выбор диэлектрика под затвором:

В качестве диэлектрика для GaAsвыбираем Si3N4, т.к. он обладает довольно высокой электрической прочностью, а также образует сравнительно небольшую плотность поверхностных состояний.

б) определение толщины диэлектрика под затвором:

Слой диэлектрика под затвором желательно делать тоньше, чтобы уменьшить пороговое напряжение и повысить крутизну передаточной характеристики. С учётом запаса прочности имеем выражение:

В,
=>
нм

в) выбор длины канала:

Минимальную длину канала длинноканального транзистора можно определить из соотношения:

,

где

- глубина залегания p-n-переходов истока и стока,
- толщина слоя диэлектрика под затвором,
и
- толщины p-n-переходов истока и стока,
- коэффициент (
мкм-1/3).

Толщину p-n-переходов истока и стока рассчитаем в приближении резкого несимметричного p-n-перехода:

,

где

В,
,
,

В

мкм

мкм

мкм

Результаты вычислений сведем в таблицу:

, мкм
, см-3
, см-3
, см-3
, В
, мкм
, мкм
, мкм
, мкм
0,16 107 1016 1017 1,102 1,6 0,36 0,2 4,29

Данный выбор концентраций обусловлен тем, что для вырождения полупроводника должны выполняться условия

см-3 и
см-3. С другой стороны при уменьшении
или при увеличении
происходит резкое увеличение длины канала (более 5 мкм). Поэтому и были выбраны такие значения концентраций. Глубина перехода выбрана исходя из тех же соображений.

II. Выбор удельного сопротивления подложки:

Удельное сопротивление полупроводника определяется концентрацией введенных в него примесей. В нашем случае

см-3 =>
Ом·см. Удельное сопротивление подложки определяет ряд важных параметров

МДП-транзистора (максимальное напряжение между стоком и истоком и пороговое напряжение).

Максимально допустимое напряжение между стоком и истоком определяется минимальным из напряжений: пробивным напряжением стокового перехода или напряжением смыкания областей объемного заряда стокового и истокового переходов.

а) напряжение смыкания стокового и истокового переходов:

Напряжение смыкания стокового и истокового переходов для однородно легированной подложки можно оценить, используя соотношение:

,

где

- длина канала, которую принимаем равной минимальной длине
. Пример расчета:

В - при
см-3

Результаты вычислений сведем в таблицу:

, см-3
1014 1015 1016 1017
, В
32,3 70,1 152,3 330,8

б) пробивное напряжение стокового p-n-перехода:

Пробой стокового p-n-перехода имеет лавинный характер и определяется по эмпирическому соотношению:

В –

намного больше, чем напряжение смыкания p-n-переходов.

Скорректируем значение пробивного напряжения, считая искривленные участки на краях маски цилиндрическими, а на углах - сферическими:


Результаты вычислений сведем в таблицу:

, см-3
1014 1015 1016 1017
, В
293,4 88,9 26,1 7,2
, В
152,2 61,4 25,3 10,8

Пример расчета:

для

см-3:
В

В

Рис.2. Зависимость максимальных напряжений на стоке от концентрации примесей.

Исходя из найденной ранее концентрации примесей

см-3, имеем наименьшее из полученных напряжений
В, что удовлетворяет условию задания (
В).

III. Расчет порогового напряжения:

Пороговое напряжение МДП-транзистора с индуцированным каналом - это такое напряжение на затворе относительно истока, при котором в канале появляется заметный ток стока и выполняется условие начала сильной инверсии, т.е. поверхностная концентрация неосновных носителей заряда в полупроводнике под затвором становится равной концентрации примесей.

Пороговое напряжение, когда исток закорочен с подложкой, можно рассчитать по формуле:

- эффективный удельный поверхностный заряд в диэлектрике,
- удельный заряд ионизированных примесей в обедненной области подложки,
- удельная емкость слоя диэлектрика единичной площади под затвором,
- контактная разность потенциалов между электродом затвора и подложкой,
- потенциал, соответствующий положению уровня Ферми в подложке, отсчитываемый от середины запрещенной зоны.