Моделі і методика побудови волоконно-оптичної системи передачі даних (стр. 5 из 5)
Оптоелектронні елементи ВОСП
Таблиця В.1 – Типові параметри напівпровідникових джерел випромінювання
| Параметр | Світловод | Лазерний діод | Одночастотний ЛД |
| Ширина спектра, Δλ, нмЧас наростання, τн, нсСмуга модуляції, МГцРесурс роботи, годЧутливість до температури | 20 ... 1002 ... 250< 300105Низька | 1 ... 50,1 ... 12000104 ... 105Висока | < 0,20,05 ... 16000104 ... 105Висока |
Таблиця В.2 – Типові параметри напівпровідникових фотодіодів
| Матеріал | Структура | τн, мс | Область спектральної чутливості, нм | SI, A/Bт | IТ, нА | М |
| Кремній | p– i – n | 0,5 | 0,3 ... 1,1 | 0,5 | 1 | 1 |
| Германій | p– i – n | 0,1 | 0,5 ... 1,8 | 0,7 | 200 | 1 |
| InGaAs | p– i – n | 0,3 | 0,9 ... 1,7 | 0,6 | 10 | 1 |
КремнійГерманійInGaAs | ЛФДЛФДЛФД | 0,51,00,25 | 0,4 ... 1,01,0 ... 1,61,0 ... 1,7 | 753512 | 15700100 | 1505020 |
Примітка: τн – час зростання переднього фронту імпульсу; SI – струмова чутливість; IТ – темновий струм; М – коефіцієнт лавинного множення.
ДОДАТОК Г
ВОЛОКОННО-ОПТИЧНІ СИСТЕМИ ПЕРЕДАЧІ
Таблиця Г.1 – Параметри цифрових систем РDН
| Системи позначення рівня | Кількість еквівалентних каналів ТЧ | Ієрархічнашвидкість передачі N біт/с | Код електричного стику |
| Е1 | 30 (32) | 2,048 | HDB3 |
| Е2 | 120(128) | 8,448 | HDB3 |
| Е3 | 480 | 34,368 | HDB3 |
| Е4 | 1920 | 139,264 | CMI |
Таблиця Г.2 – Параметри цифрових систем SDH
| Позначення рівня системи передачі | Кількість еквівалентних каналів ТЧ | Ієрархічнашвидкість передачі N біт/с | Лінійнийкод |
| STM – 1STM – 4STM – 16 | 1890768036720 | 155,520622,0802488,320 | CMI для електричного стику, NRZ для оптичного стику |
| STM – N | 1890 × N | 155,520 × N |
ДОДАТОК Д
УМОВНІ ПОЗНАЧЕННЯ
 | Оптичне волокно або одномодовий кабель |
 | Оптичне волокно або багатомодовий кабель |
 | Джерело випромінювання |
 | Приймач випромінювання |
 | Передавальний оптичний пристрій |
 | Приймальний оптичний пристрій |
 | Роз’ємний оптичний з’єднувач |
 | Оптичний розгалужувач |