Микросборка фильтра верхних частот (стр. 3 из 5)

Таким образом, получаем следующее:

(10)

(11)

(12)

(13)

Определим допустимое значение случайной составляющей поля рассеяния суммарной относительной погрешности сопротивления по следующей формуле:

(14) (15)

где:

, ,

Положив М_RПР = 0, тогда:

(16)

(17)

Определим допустимое значение случайной составляющей поля рассеяния производственной относительной погрешности сопротивления по следующей формуле:

(18)

(19)

Подставим вычисленные выше значения в данную формулу, получим:

Определим допустимое значение случайной составляющей поля рассеяния производственной относительной погрешности коэффициента формы, по следующей формуле:

(20)

Подставим значения и получим:

Определим расчетное значение коэффициента форм резистора:

(21)

Определим ширину резистивной пленки:

мм (22)

мм (23)

мм (24)

(25)

мм (26)

мм (27)

Определим сопротивление контактного перехода резистора:

Ом (28)

Ом (29)

Проверим следующее условие:

(30)

Определим длину резистора:

мм (31)

мм (32)

Теперь определим среднее значение коэффициента формы:

(33)

Определим среднее значение М_RПР и половину поля рассеяния d_RПР относительной производственной погрешности:

(34)

(35)

(36)

(37)

(38)

(39)

Определим граничные условия поля рассеяния относительной погрешности сопротивления резистора:

(40)

(41)

Определяем длину резистивной пленки и площадь резистора:

мм (42)

мм² (43)

Определим коэффициент нагрузки резистора:

(44)

Подобно этому расчету рассчитываем остальные резисторы, а результаты заносим в таблицу №1.

Таблица №1

Резисторы	α	L,мм	b, мм	S, мм	КН	P, мВт
R1	0,009	3,2	0,3	0,96	0,5208	10
R2, R3, R6, R7	0,009	3,8	0,3	1,14	0,5263	12
R4	0,014	2,7	0,7	1,89	0,8466	32
R5	0,017	1,6	1,2	1,92	0,7813	30

Расчёт резистора типа “квадрат”

Приведём конструкционный расчёт резистора типа “квадрат” R₈:

Зададимся коэффициентом влияния a = 0.04 и вычислим коэффициенты влияния:

; ; ; (45)

Определим среднее значение и половины полей рассеяния относительной погрешности сопротивления, вызванной изменением температуры по следующим формулам:

; (46)

где

- среднее значение температурного коэффициента сопротивления резистивной пленки.

, - верхняя и нижняя предельные температуры окружающей среды.

; (47)

; (48)

Таким образом, подставляя исходные данные в формулы (46) – (48) получаем следующее:

; ;

;

;

Определим среднее значение и половину поля рассевания относительной погрешности сопротивления, вызванное старением резистивного материала по формулам:

(49)

(50)

где

- среднее значение коэффициента старения резистивной пленки сопротивления.

- половина поля рассеяния коэффициента старения сопротивления резистивной пленки.

; (51)

; (52)

Таким образом, получаем следующее:

(53)

(54)

(55)

(56)

Определим допустимое значение случайной составляющей поля рассеяния суммарной относительной погрешности сопротивления по следующей формуле:

(57)

(58)

где:

, ,