называются асимметричными (несимметричными).
вообще отсутствуют носители и сам p-n переход является наиболее высокоомной частью структуры. Т.к. концентрация p и n различна, то между p и n областями, разделёнными высокоомным переходом, возникает потенциальный барьер. Если к переходу приложить напряжение + и к p-области (такая полярность называется прямой), то высота потенциального барьера уменьшится и
уменьшится его ширина. При обратной номерности - высота барьера и его
ширина увеличатся. При прямых напряжениях в каждой из областей появляются избыточные носители и тогда говорят об инжекции носителей, если напряжение обратное, то количество носителей уменьшается, и говорят об
- + (+) (-)
экстракции носителей
. Причём, если переход симметричный, то инжекция ( экстракция) е и «дырок» - одинаковая. Если переход асимметричный, то считают, что инжекция имеет односторонний характер и главную роль играют носители, инжектируемые из низкоомного (легированного) слоя в высокоомный. Низкоомный (более легированный) слой эмиттером, а высокоомный – базой. Таким образом, если к p-n переходу приложить прямое напряжение, то это приводит к изменению концентрации инжектированных носителей в области базы, а следовательно, изменяется и величина накопленного заряда, обусловленного этими зарядами. Процесс накопления избыточного заряда эквивалентен процессу заряда ёмкости. Поэтому говорят, что p-n переход обладает диффузионной ёмкостью.Помимо диффузионной p-n переход обладает и барьерной (зарядной) ёмкостью (Сб) (если к p-n переходу приложить обратное напряжение, то на металлической границе носители отсутствуют и мы имеем ярко выраженную ёмкость). Сд и Сб – нелинейные ёмкости. Сд в основном проявляется при прямом включении диода, а Сб – при обратном. Первая зависит от тока Iпр, вторая – от Uобр. Строго говоря, такое разделение чисто условное, но оно удобно при анализе переходных процессов.
Сд и Сб существенно влияют на частотные свойства p-n перехода. Аналитически можно показать, что ВАХ такого p-n перехода описывается экспоненциальной зависимостью (Степаненко стр 82) вида: I/I0I = I0(e(U/т) – 1), где
т – температурный потенциал ~ 25 милливольт 
I0 – тепловой ток, сильно зависящий от Т p-n перехода. Можно доказать, что:
24U/т I0(Т) = I0(Т0)2Т/Т*, где
Т0 – средняя температура некоторого температурного диапазона, например - комнатная
Т – температура - градиент
Т* - так называемая температура удвоения.
В частности для кремния:
I0(Т) I0(20С)2Т-20С /10С)
Т.е. считают, что I0 изменяется в 2 раза при изменении Т перехода на 10С (по другим источникам Т* = 5С).
Прямая ветвь ВАХ довольно крутая и можно считать, что падение U на таком переходе = const практически во всём диапазоне изменения рабочих токов, и при расчётах, обычно, полагают, что
Uдиода пр = 0,7В для нормального режима и
Uдиода пр В на микротоках
ПРОБОЙ P-N ПЕРЕХОДА
На приведённой выше ВАХ изображён только начальный участок обратной ветви. Как пойдёт обратная ветвь при дальнейшем увеличении Uобр?
Дальше – пробой p-n перехода.
Различают три вида (механизма) пробоя: лавинный, туннельный и тепловой.А) Лавинный пробой происходит если Uобр
ширина p-n перехода (d) больше длины 
свободного пробега.d l
В этом случае, не основные носители, ускоряясь Uпробоя в переходе, могут приобрести энергию, достаточнуюдля ионизации атомов кристаллической решётки.
Выбитые е в свою очередь, ускоряясь, принимают
участие в дальнейшей ионизации. Процесс 1 2 3 I обр носит лавинный характер (ветвь 1).Скорость нарастания тока характеризуется коэффициентом ударной ионизации,
который зависит в основном от распределения примесей (строго говоря – от
напряжённости электрического поля Е в данной точке). При таком пробое
rp-n = dU/dI
резко уменьшается. Однако, напряжение Up-n не может стать ниже Uпробоя т.к. Е станет < Е ионизации. Поэтому ветвь почти строго вертикальна.
Этот пробой используют для создания ПП приборов – стабилитронов (дать параметры и схему).
В) Туннельный пробой(ветвь 2).
Если d < l, то лавинный пробой невозможен, т.к. носители практически не сталкиваются с атомами решётки. Но возможно туннелирование носителей (см. туннельный эффект). Для уменьшения вероятности такого пробоя, базу изготавливают низколегированной (с высоким сопротивлением), а также увеличивают d (тогда U пробоя увеличивается).
С) Тепловой пробой.
Обратный ток p-n перехода повышает температуру перехода, что, в свою очередь, приводит к увеличению обратного тока и т.д. Если не принимать мер по отводу тепла, то саморазогрев перехода может привести к тепловому пробою (кривая 3).
Отличительная особенность – участок с отрицательным дифференциальным сопротивлением. Iобр зависит от ширины запрещённой зоны, поэтому тепловой пробой при прочих равных условиях чаще будет наблюдаться в Ge, чем в Si. Обычно I обр малы и тепловой пробой сам по себе редко наступает, но может возникнуть, как сопутствующий лавинному или туннельному пробоям. Если в схеме нет строго ограничивающих компонентов, то тепловой пробой приводит к невозвратимому разрушению прибора.
КРАТКАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАЗЛИЧНЫХ ТИПОВ ПП ДИОДОВ
1) Стабилитроны – имеют оригинальную обратную ветвь ВАХ(лавинный пробой)
2) Туннельные диоды (ТД) – Основаны на туннельном эффекте. Прямая ветвь ВАХ такого диода имеет участок с отрицательным дифференциальным
Сопротивлением, что позволяет создавать генераторы, смесители, I
Переключатели на основе таких p-n переходов. ТД работают
только на основных носителях, следовательно, Сдифф = 0,
поэтому частотные свойства высокие. Изготавливаются ТД
асимметрия 
p 
переход 
Х 
