Электронные ключи (стр. 3 из 3)

На этом процесс включения транзисторного ключа заканчивается.

4. ВЫКЛЮЧЕНИЕ ТРАНЗИСТОРНОГО КЛЮЧА

Когда в момент времени t₃ происходит переключение входного напряжения с U_б⁺ на U_б^- (см. рис. 7.3), начинается процесс выключения транзисторного ключа. При переключении входного напряжения ток базы меняет направление и становится равным

Стадия рассасывания. В результате изменения направления базового тока начинается процесс рассасывания неосновных носителей. Несмотря на уменьшение заряда, транзистор некоторое время находится в режиме насыщения и коллекторный ток остается равным I_{к нас} В момент времени t₄ (см. рис. 7.5) концентрация неосновных носителей около коллекторного перехода уменьшается до нуля и на коллекторном переходе восстанавливается обратное напряжение.

Таким образом, интервал времени t_рас = t₄ – t₃ определяет задержку среза импульса коллекторного тока. Время t_рас, которое называется временем рассасывания, можно определить из уравнения (7.6), положив

Переходя от изображения к оригиналу, получим

Этап рассасывания заканчивается, когда транзистор входит в активный режим, и если положить, что в момент времени t₄объемный заряд q(t₄) = t_нас I_{к нас} /h_21э, то получим

(7.12)

Иногда зарядом q(t₄ ) пренебрегают, и формула для расчета времени рассасывания принимает вид

Стадия формирования спада. В дальнейшем начинается уменьшение базового и коллекторного токов, что сопровождается увеличением напряжения u_кэ и формируется спад вершины импульса коллекторного тока. Процессы, протекающие в транзисторном ключе в этой стадии, довольно сложны, и количественная оценка длительности спада зависит от того, какие факторы превалируют. Принимая во внимание, что в момент окончания стадии спада q(t₅) = 0, получаем

(7.13)

Данная формула получена при довольно грубом приближении, поскольку в действительности ток базы не остается постоянным и нельзя пренебрегать токами зарядки и емкости нагрузки транзисторного ключа. Когда определяющим является процесс зарядки этих емкостей, то длительность спада рассчитывается по формуле

5. СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

1. Быстров Ю. А. Мироненко И. Г. “Электронные цепи и устойства”

2. Манаев Е. И. “Основы радиоэлектроники”

3. Степаненко И. П. “Основы микроэлектроники”

4. Пасынков В. В. “Полупроводниковые приборы”