Смекни!
smekni.com

Электронный документооборот страхового общества (стр. 27 из 47)

Соответствие внешних частот, временных задержек и времени доступа для различных типов памяти

Нижеследующие таблицы содержат значения требуемого времени доступа к RAM для различных внешних частот и временных задержек (wait state), а также фактические документированные характеристики чипов памяти. Приведены теоретические измышления, на практике все может отличаться как в лучшую, так и в худшую сторону.

Временные параметры системы

Требования системы к временным параметрам памяти (ns)

Временные параметры памяти по спецификации (ns)

Циклы временных задержек

Внешняя частота (MHz)

Период таймера (ns)

tAA

tPC

tRAC

Тип RAM

tAA

tPC

tRAC

6-3-3-3

50

20

60

60

100

-70

FPM

35

40

70

60

16.7

50

50

83.5

-70

FPM

35

40

70

66

15

45

45

75

-70

FPM

35

40

70

75

13.3

40

40

66.5

-60

FPM

30

35

60

83

12

36

36

60

-60

FPM

30

35

60

6-2-2-2

50

20

40

40

100

-70

EDO

35

30

70

60

16.7

33.4

33.4

83.5

-60

EDO

30

25

60

66

15

30

30

75

-60

EDO

30

25

60

75

13.3

26.6

26.6

66.5

-50

EDO

25

20

50

83

12

24

24

60

-50

EDO

25

20

50

5-2-2-2

50

20

40

40

80

-70

EDO

35

30

70

60

16.7

33.4

33.4

66.8

-60

EDO

30

25

60

66

15

30

30

60

-60

EDO

30

25

60

75

13.3

26.6

26.6

53.2

-50

EDO

25

20

50

83

12

24

24

48

-50

EDO

25

20

50

Эквивалентные тайминги для SDRAM

SDRAM

Внешняя частота (MHz)

Период таймера (ns)

tAA (ns)

Маркировка времени доступа

tRAC (ns)

SDRAM

Аналогичное время доступа для асинхронной памяти

7-1-1-1

CL3

(tAC = 8 ns)

66

15

41

"-15"

83

CL3

-70

75

13.3

37.6

74.5

<-70

83

12

35

"-12"

68

60

100

10

31

"-10"

58

<-60

5-1-1-1

CL2

(tAC = 9 ns)

66

15

27

"-10"

54

CL2

-50

75

13.3

25.3

48.9

83

12

24

45

100

10

22

39

-40

Для SDRAM: tAA = (CL-1)*(Период таймера) + tAC + tSU
tSetUp = 3 ns
tRAC = (2*CL-1)*(Период таймера) + tAC

Рассмотрение таблиц показывает преимущества 7–1–1–1 SDRAM. A "–10" (100 MHz) SDRAM работает чуть быстрее, чем "–60" асинхронная память.

Заметьте, что у SDRAM "–10" существует эквивалент. У SDRAM tRAC 58ns при CL3–100MHz, а 54ns при CL2–66MHz на 4ns быстрее. У SDRAM tAA при CL3–100MHz на 4ns медленней, чем CL2-66MHz!

SDRAM "–10" работающая с CL3 (7–1–1–1) может не работать при CL2 (5–1–1–1)!

Системные циклы задержки

Та жа информация, что и выше, но представлена в другой форме. По этой таблице можно определить, какие установки циклов ожидания необходимы для конкретной памяти.

Характеристики DRAM

Внешняя частота и период [MHz (ns)]

Тип RAM

tRAC

tPC or
tCK

50 MHz
(20 ns)

60 MHz
(16.7 ns)

66.6 MHz
(15 ns)

75 MHz
(13.3 ns)

83 MHz
(12 ns)

70ns FPM

70ns

40

5-2-2-2
6-3-3-3

6-3-3-3

6-3-3-3

6-3-3-3
7-4-4-4

6-3-3-3
7-4-4-4

60ns FPM

60ns

35

4-2-2-2
6-3-3-3

5-3-3-3
6-3-3-3

5-3-3-3
6-3-3-3

6-3-3-3

6-3-3-3

70ns EDO

70ns

30

5-2-2-2
6-2-2-2

5-2-2-2
6-2-2-2

6-2-2-2*
6-2-2-2

6-2-2-2
7-3-3-3

6-2-2-2
6-3-3-3

60ns EDO

60ns

25

4-2-2-2
6-2-2-2

5-2-2-2
6-2-2-2

5-2-2-2*
6-2-2-2

6-2-2-2

6-2-2-2
7-3-3-3

50ns EDO

50ns

20

4-1-1-1
5-2-2-2

4-2-2-2
5-2-2-2

5-2-2-2

5-2-2-2

5-2-2-2

CL3 SDRAM

5 cycles
+ tAC

10

7-1-1-1

7-1-1-1

7-1-1-1

7-1-1-1

7-1-1-1

CL2 SDRAM

3 cycles
+ tAC

12

5-1-1-1

5-1-1-1

5-1-1-1

5-1-1-1

5-1-1-1

X-Y-Y-Y — Циклы нормальных временных задержек.