ФСИ на основе гетероперехода СdS–Cu2S можно охарактеризовать с помощью классических сенситометрических характеристик, разработанных для фотографических слоев.
Спектральное распределение светочувствительности позволяет охарактеризовать формирователь сигналов изображения на основе ГП СdS–Cu2S как зеленочувствительный по общепринятой классификации для фотографических слоев с коэффициентом контрастности g= 0,55 и фоточувствительностью 16 единиц ГОСТа.
Рассчитанная на компьютере математическая модель характеристической кривой довольно точно повторяет экспериментальные данные, что говорит о пригодности ее для описания подобных характеристик любых ФСИ на основе гетероперехода СdS–Cu2S, если известны параметры гетероперехода Sf, mn ,e, d,Nd, Iкз0 и W0.
Шарма Б.Л., Пурохит Р.К., Полупроводниковые гетеропереходы. //М.: Мир, 1979.
Зи С., Физика полупроводниковых приборов. //М.:Мир,1984.
Виноградов М.С., Туннельно-рекомбинационные процессы в гетеропереходе сульфид кадмия - сульфид меди. //Дис. ... канд. физ.-мат. наук. - Одесса, 1986.
Чопра К., Дас С.,Тонкопленочные солнечные элементы. //М.- Мир, 1986.
Борщак В.А., Влияние дефектов области пространственного заряда на явления переноса в CdS-Cu2S фотопреобразователях. //Дис. ... канд. физ.-мат. наук, Одесса,1991.
Борщак В.А., Василевский Д.Л., Токоперенос по локализованным состояниям в неидеальных гетероструктурах. //Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.-1990. Вып. 17.
Василевский Д.Л., Борщак В.А., Сердюк В. В., Влияние туннельно-рекомбинационного токопереноса на ЭДС холостого хода гетерофотоэлементов. // Фотоэлектроника.-1991. Вып.4.
Виноградов М.С, Борщак В.А., Василевский Д.Л., Туннельный механизм потерь в гетерофотоэлементах. //Электронная техника.-Сер.2: Полупроводниковые приборы.-1987.-Вып. 1(186).
Василевский Д.Л., Фотоэлектрические свойства неидеальных гетеропереходов. //Фотоэлектроника.-1988. Вып.2.
Савелли М., Бугнот Дж. Проблемы создания фотоэлементов на основе CdS-Cu2S. //Преобразование солнечной энергии. - М.: Энергоиздат, 1982.
Чибисов К.В. Общая фотография. //М.: Искусство, 1984.
Баранский П.И., Клочков В.П., Потыкевич И.В. Полупроводниковая электроника: свойства материалов. //Киев: Наукова думка, 1975.
Василевский Д.Л., Вайтош Р., Нанаи Л., Перспективность CdS-Cu2S фотопреобразователей при больших уровнях возбуждения. //Фотоэлектроника.-1990. Вып.3.
Сердюк В.В., Чемересюк ГГ., Терек М. Фотоэлектрические процессы в полупроводниках. // Киев-Одесса: Вища школа, 1982.
Фаренбрух А., Аранович Дж., Гетеропереходы и поверхностные явления в фотоэлектрических преобразователях. //Преобразование солнечной энергии.- М.: Энергоиздат, 1982.
Фаренбрух А., Бьюб Р. Солнечные элементы: теория и эксперимент. //М.: Энергоиздат, 1987.
Фонаш С., Ротворф А. Солнечные элементы с гетеропереходом. //Современные проблемы полупроводниковой фотоэнергетики. М.:Мир, 1988.
Хилл Р., Микан Дж. Солнечные элементы на основе сульфида кадмия и меди. //Современные проблемы полупроводниковой фотоэнергетики. - М.: Мир, 1988.
Шик А.Я., Шмарцев Ю.В., Фотоэлектрические свойства неидеальных гетеропереходов. //Физика и техника полупроводников. - 1981.-Т.15, Вып.7.