Створюючи нову радіоелектронну апаратуру, вдосконалюючи її та ремонтуючи, особливу увагу приділяють оптимальному вибору типу ІМС [1]. Крім функціональних можливостей, конструктивних особливостей, статичних та динамічних параметрів, важливою є оцінка цілого ряду особливостей ІМС, що обумовлюється технологією їх виготовлення. Знання особливостей технології створення структур ІМС та можливостей традиційних і перспективних технологічних процесів дозволяє розробникам та експлуатаційникам електронної апаратури кваліфіковано формулювати завдання на розробку досконаліших інтегральних мікросхем.
ВИСНОВКИ
В даній курсовій роботі було розглянуто герметизацію інтегральних мікросхем з метою захисту кристалів або підкладок з елементами від різноманітних кліматичних, електромагнітних та механічних впливів. Також були розглянуті корпуси для забезпечення цього захисту, матеріали для їхнього виготовлення і різноманітні методи та способи герметизації.
Аналізуючи всі матеріали, корпуси для герметизації, провівши порівняльну характеристику різних методів можна дійти наступних висновків:
1. Вибір методу герметизації залежить від конкретних умов, у котрих експлуатуватимуться виготовлені електронні пристрої.
2. Вибір з'єднувальних матеріалів проводиться, виходячи з вимог до їх високої електро- і теплопровідності та механічної міцності.
3. Найбільша щільність монтажу досягається при безкорпусній герметизації, проте максимальний захист від різноманітних зовнішніх впливів досягається використанням корпусів, кожен з яких має свої переваги та недоліки.
4. Найнадійнішими є керамічні корпуси, але вони досить високовартісні. Для масового виробництва мікросхем із малою розсіюваною потужністю вигідно використовувати пластмасові корпуси, які добре працюють за нормальної та низької вологості в обмеженому діапазоні температур.
5. Корпуси з шовно-клеймовими з’єднаннями найпростіші і найдешевші, але мікросхеми в них можуть працювати лише в нормальних умовах експлуатації.
6. Максимальний коефіцієнт заповнення об’єму мають прямокутні плоскі корпуси, а також корпуси з матричними виводами.
СПИСОК ВИКОРИСТАНОЇ ЛІТЕРАТУРИ
1. Васильєва Л.Д., Медведенко Б.І., Ю.І.Якименко Ю.І. - Напівпровідникові прилади: Підручник. – К.:ІВЦ “Видавництво «Політехніка»”, 2003. – 388с.
2. Прищепа М.М., Погребняк В.П. - Мікроелектроніка частина. В 3 ч. Ч. 1 . Елементи мікроелектроніки: Навч. Посіб. / За ред. М.М.Прищепи. – К.: Вища шк., 2004. – 431 с.
3. Закалик Л.І., Ткачук Р.А. Основи мікроелектроніки. - Навчальний посібник. – Тернопіль: ТДТУ ім.І.Пулюя, 1998. – 352 с.
4. Бондарь Б.Г., Письменецький В.А., Хорунжий В.А.«Микроэлектроника».- Киев: Вища школа. Головное изд-во, 1981. – 256 с.
5. Романова М.П. Проектирование и технология микросхем: учебное пособие/М.П. Романова. – Ульяновск: УлГТУ, 2005. – 83 с.
6. Богдан Г.И., Некрасов М.М. Пленочная електроника и полупроводниковые интегральние схеми. - Киев, изд. объединение «Вища школа». Головное изд-во, 1979. – 208 с.
7. Пасинков В.В., Сорокин В.С. Материали электронной техники. – Учебник. 5-е изд., стер. СПб.: Издательство «Лань», 2003. – 386 с.
8. Миголинець І.М., Пинзеник В.П., Кикинеші О.О. Фізичне матеріалознавство. – Ужгород, УжДУ, 1999. – 192 с.