Електроніка та мікропроцесорна техніка (стр. 13 из 35)
Рис. 5. Іонні розрядники: а — типу РА; б — типу РБ; в — умовне позначення на схемах.
Коли в схемі, яку захищають, діють звичайні напруги, що не перевищують розрахункові, в розряднику встановлюється режим тихого розряду. Опір розрядника в таких випадках настільки великий, що вмикання його в лінію або схему практично не впливає на їх роботу. Коли напруга перевищить допустиму, в розряднику утворюється іскровий розряд, опір його різко спадає, розрядник ніби замикає лінію накоротко, запобігаючи від перевантажень увімкнену в цю лінію апаратуру. Через розрядник при цьому проходить великий струм, а напруга на його електродах знижується.
Коли потужність джерела перенапруження велика, то іскровий розряд перетворюється на дуговий. Коли ж ця потужність мала, то із зменшенням розрядного струму прилад перейде в режим тихого розряду, оскільки при тиску, що в ньому існує, ні іскровий, ні тліючий розряди при нормальній напрузі на електродах не зберігаються.
Контрольні запитання:
1. Що таке газотрон?
2. Призначення та будова газотрону?
3. Будова та призначення іскрового розрядника?
Інструкційна картка №11 для самостійного опрацювання навчального матеріалу з дисципліни «Основи електроніки та мікропроцесорної техніки»
І. Тема: 2 Електронні прилади
2.4 Електровакуумні та іонні прилади
Мета: Формування потреби безперервного, самостійного поповнення знань; розвиток творчих здібностей та активізації розумової діяльності.
ІІ. Студент повинен знати:
- Правила маркування електровакуумних та іонних приладів;
- Область застосування приладів.
ІІІ. Студент повинен уміти:
- Розшифровувати умовні позначення ламп.
ІV. Дидактичні посібники: Методичні вказівки до опрацювання.
V. Література: [4, с. 22-23].
VІ. Запитання для самостійного опрацювання:
1. Маркування електровакуумних та іонних приладів.
VІІ. Методичні вказівки до опрацювання: Теоретична частина.
VІІІ. Контрольні питання для перевірки якості засвоєння знань:
1. Що позначає кожен елемент в маркуванні електровакуумних та іонних приладів?
ІХ. Підсумки опрацювання:
Підготував викладач: Бондаренко І.В.
Теоретична частина: Електровакуумні та іонні прилади
План:
1. Маркування електровакуумних та іонних приладів.
Література
1. Маркування електровакуумних та іонних приладів
Позначення приймально-підсилювальних ламп складаються з декількох цифрових і буквених елементів.
Перший елемент - число, вказує напругу напруження у вольтах (закруглено).
Другий елемент - буква, що характеризує тип лампи: Д - діоди, Ц - кенотрони, X - подвійні діоди, С - тріоди, Н - подвійні тріоди, П - вихідні пентоди і променеві тетроди, Ж - пентоди з короткою характеристикою, К - пентоди з подовженою характеристикою, Г - діод - тріод, Б - діод - пентоди, А - багатосіткові лампи.
Третій елемент - порядковий номер даного типу лампи.
Четвертий елемент - буква, що характеризує конструктивне оформлення лампи: С - в скляному балоні діаметром більше 22,5 мм; П - мініатюрні (пальчикові) в скляному балоні діаметром 19 і 22,5 мм; Б - надмініатюрні в скляному балоні діаметром від 6 до 10,5 мм; А - надмініатюрні в скляному балоні діаметром від 4 до 6 мм.
Наприклад: 6Д6А - напруга напруження 6,3 В; діод надмініатюрний в скляному балоні діаметром 6 мм; шостий номер розробки; 1Ц21П - напруга напруження 1,4 В; кенотрон пальчикової серії з діаметром балона 22,5 мм; двадцять перший номер розробки.
Контрольні запитання:
1. Що позначає кожен елемент в маркуванні електровакуумних та іонних приладів?
Інструкційна картка №12 для самостійного опрацювання навчального матеріалу з дисципліни «Основи електроніки та мікропроцесорної техніки»
І. Тема: 2 Електронні прилади
2.5 Гібридні інтегральні мікросхеми
Мета: Формування потреби безперервного, самостійного поповнення знань; розвиток творчих здібностей та активізації розумової діяльності.
ІІ. Студент повинен знати:
- Конструкції гібридних ІМС;
- Методи створення;
- Галузь застосування гібридних ІМС.
ІІІ. Студент повинен уміти:
- Розрізняти різні типи гібридних ІМС.
ІV. Дидактичні посібники: Методичні вказівки до опрацювання.
V. Література: [1, с. 60-62].
VІ. Запитання для самостійного опрацювання:
1. Конструктивні елементи гібридних інтегральних мікросхем. маркування гібридних мікросхем.
VІІ. Методичні вказівки до опрацювання: Теоретична частина.
VІІІ. Контрольні питання для перевірки якості засвоєння знань:
1. Які основні конструктивні елементи гібридних ІМС?
2. Які переваги та недоліки гібридних ІМС на відміну від напівпровідникових ІМС?
ІХ. Підсумки опрацювання:
Підготував викладач: Бондаренко І.В.
Теоретична частина: Гібридні інтегральні мікросхеми
План:
1. Конструктивні елементи гібридних інтегральних мікросхем, маркування гібридних мікросхем.
Література
1. Конструктивні елементи гібридних інтегральних мікросхем, маркування гібридних мікросхем
Гібридні ІМС складаються з таких конструктивних вузлів:
1) ізоляційна основа із склопластику або керамічна, на поверхню якої у вигляді плівок нанесені резистори, конденсатори невеликої ємності, котушки невеликої індуктивності, електричні з'єднання;
2) дискретні безкорпусні НП прилади;
3) дискретні конденсатори великої ємності, трансформатори, дроселі;
4) ізоляційний корпус, що забезпечує герметизацію усіх елементів ІМС і має вивідні контакти.
Рис. 1 – Конструкція плівкових резисторів з малим (а) і великим (б) опором
На рис. 1 показано конструкцію плівкових резисторів з малим і великим опором. Тонку плівку з чистого хрому, ніхрому або танталу наносять безпосередньо на ізоляційну основу. У такий спосіб одержують резистори з опором від 0,001 до десятків кілоом. Щоб одержати більш високоомні резистори (до десятків мегаом), використовують металодіелектричні суміші (наприклад, хром та монооксид кремнію).
Рис. 2. - Конструкція плівкового конденсатора
На рис. 2 зображена конструкція плівкового конденсатора. Нижня та верхня обкладки конденсатора 2 є тонкими плівками із міді, срібла або золота. Діелектриком 1 є плівка із силікату алюмінію, двоокисиду титану або кремнію. Розміщені вони на діелектричній основі 3.
Ємність таких конденсаторів може бути від десятих часток мікрофарад до десятків тисяч мікрофарад.
Провідники виконують у вигляді тонкої (1 мкм) плівки із золота чи міді з підшарком нікелю або хрому.
Дискретні елементи із гнучкими виводами (золотий дріт діаметром 30 – 50 мкм) приєднується до плівкової мікросхеми пайкою або зваркою.
Електронні пристрої на гібридних ІМС можуть мати щільність монтажу до 60 – 100 елементів на 1 см3. За такої щільності об'єм пристрою, що має 107 елементів, може складати 0,1–0,5 м3, а середній час безвідмовної роботи - 103–104 годин і більше.
На відміну від гібридних ІМС, напівпровідникові виконуються на основі кристалу НП, де окремі його області виконують ролі транзисторів, діодів, конденсаторів, резисторів і т. ін., які з'єднуються за допомогою алюмінієвих плівок, що наносяться на поверхню кристалу.
Електронні пристрої на напівпровідникових ІМС можуть мати щільність монтажу до 500 елементів у 1 см3 і цей параметр з року в рік зростає.
Контрольні запитання:
1. Які основні конструктивні елементи гібридних ІМС?
2. Які переваги та недоліки гібридних ІМС на відміну від напівпровідникових ІМС?
Інструкційна картка №13 для самостійного опрацювання навчального матеріалу з дисципліни «Основи електроніки та мікропроцесорної техніки»
І. Тема: 2 Електронні прилади
2.5 Гібридні інтегральні мікросхеми
Мета: Формування потреби безперервного, самостійного поповнення знань; розвиток творчих здібностей та активізації розумової діяльності.
ІІ. Студент повинен знати:
- Типи безкорпусних напівпровідникових приладів;
- Способи їх під’єднання.
ІІІ. Студент повинен уміти:
- Класифікувати безкорпусні напівпровідникові прилади.
ІV. Дидактичні посібники: Методичні вказівки до опрацювання.
V. Література: [2, с. 162-163].
VІ. Запитання для самостійного опрацювання:
1. Активні елементи – безкорпусні напівпровідникові прилади
VІІ. Методичні вказівки до опрацювання: Теоретична частина.
VІІІ. Контрольні питання для перевірки якості засвоєння знань:
1. Як класифікуються безкорпусні напівпровідникові прилади?
2. Які існують способи під’єднання виводів до контактних майданчиків?
3. В чому недолік конструкції безкорпусних напівпровідникових приладів?
ІХ. Підсумки опрацювання:
Підготував викладач: Бондаренко І.В.
Теоретична частина: Гібридні інтегральні мікросхеми
План:
1. Активні елементи – без корпусні напівпровідникові прилади
Література
1. Активні елементи – без корпусні напівпровідникові прилади
У гібридних інтегральних мікросхемах як активні елементи застосовують дискретні напівпровідникові прилади. За способом герметизації вони діляться на безкорпусні і корпусні. Оскільки безкорпусні прилади мають малі габарити і масу, застосування їх в гібридних інтегральних мікросхемах слід вважати найбільш доцільним і перспективним.