Смекни!
smekni.com

Проектирование высокочастотного генератора синусоидальных сигналов (стр. 4 из 4)

Imk=

(1.48)

;

Находим величину индуктивности L2 связи контура с базой транзистора (приложение)

L2=KсвLk (1.49)

;

Определяем величину индуктивности связи контура с коллектором транзистора

L1=Lk-L2 (1.50)

;

4. Анализ схемы (разработка математической модели) на ЭВМ

Анализ схемы с рассчитанными параметрами произведем, используя программное приложение ElectronicsWorkbenchV5.12. В схеме использовался источник постоянного напряжения и осциллограф.

Сигнал, полученный на осциллографе, представлен в приложении.

Из этих рисунков видно, что форма полученного сигнала имеет форму синусоиды, частота которой не сильно отличается от заданной в ТЗ (5000750Гц).


Выводы

В результате выполнения курсовой работы был спроектирован высокочастотный генератор синусоидальных сигналов в соответствии с ТЗ.

Поскольку применение генераторов с колебательными контурами (типа RC) для генерирования колебаний высокой частоты не удовлетворяет, для разрабатываемого генератора была взята схема типа LC(в качестве фазирующей цепочки взята трехточечная схема с автотрансформаторной связью, активный элемент - транзистор).

После расчета выбранной схемы был произведен ее анализ (разработана математическая модель) в ElectronicsWorkbench. На осциллографе, включенном на выходе рассчитанного генератора, синусоидальный сигнал с частотой f = 5000750Гц, что соответствует отклонению в ТЗ.

При нагрузке 2 кОм выходная мощность генератора составляет 0,225 Вт.

Техническая документация (перечень элементов) представлена в приложении.


Список использованной литературы

1. Гершунский Б.С. Справочник по расчету электронных схем. – Киев: Вища школа. Изд-во при Киев. ун-те, 1983. – 240 с.

2. Бондаренко В.Г. LC-генераторы синусоидальных колебаний. М., “Связь”, 1976. – 208 с. с ил.

3. Петухов В.М. Транзисторы и их зарубежные аналоги. Биполярные транзисторы низкочастотные. Справочник. В 4 т. Т.2. Издание второе, исправленное. – М.: ИП РадиоСофт, 1999. – 544 с., ил.


Приложение А


Приложение Б


Приложение В

Поз.Обозна-чение Наименование Кол Примечание
Конденсаторы
С1 КМ-6–1нФ ´ 63В ± 5% ОЖО.464.031 ТУ 1
С2 К50 –400мкФ ´ 63В ± 20% ОЖО.464.031 ТУ 1
С3 КМ-6–85пФ ´ 63В ± 5% ОЖО.464.031 ТУ 1
С4 К50 –100мкФ ´ 63В ± 20% ОЖО.464.031 ТУ 1
Катушки индуктивности
L1 11,22 мкГн 1
L2 0.08 мкГн 1
Резисторы ГОСТ 7113–77
R1 МЛТ– 0.125 – 340 кОм ± 5% 1
R2 МЛТ– 0.125 – 720 кОм ± 10% 1
R3 МЛТ– 0.25– 100 Ом ± 5% 1
Транзистор
VT1 КТ668В (BС393) 1