Разработка интегральной микросхемы АМ-ЧМ приёмника по типу TA2003 (стр. 5 из 10)

Таблица 4.2 - Электрические параметры элементов

Элементы	Параметры	Нижний предел	Типовое	Верхний предел
NPN транзистор	Коэффициент усиления Iк=10мкA	100	150	200
	Напряжение пробоя К-Э Iк=100 мкA	10 В	–	20
	Напряжение пробоя Э-Б Iэ=10мкA	6.2 В	6.5 В	6.8 В
	Прямое напряжение Э-Б Iэ=50мкA	0.67 В	0.69 В	0.71 В
	Напряжение пробоя К-Б Iк=10 мкA	30 В	–	40
	Напряжение пробоя К-П I=10 мкA	30 В	–	–
PNP транзистор	Коэффициент усиления Iк=100мкAUкэ=5В	30	–	–
	Напряжение пробоя К-Э Iк=10мкA	15 В	–	–
Резисторы на базе	Поверхностное сопротивление	700Ом/кв	760Ом/кв	820Ом/кв

Конструктивно-топологические ограничения (вариант ПФЛ).

N+скрытый слой.

Минимальная ширина - 5.0 мкм.

Глубокий коллектор.

Минимальный размер - 2.5мкм.

Разделение.

Минимальная ширина - 4.0 мкм;

минимальное расстояние до N+СС - 6.0 мкм;

минимальное расстояние до гл. коллектора - 4.0 мкм.

Р+база.

Минимальная размер - 2.0 мкм;

минимальное расстояние (в том числе база PNP) - 3.5 мкм;

минимальное расстояние до разделения - 4,0 мкм;

минимальное расстояние до гл. коллектора - 4.0 мкм.

База.

Минимальный размер - 6.0 мкм;

минимальное расстояние - 4.0 мкм;

минимальное расстояние до разделения - 4.0 мкм;

минимальное расстояние до гл. коллектора - 4.0 мкм.

Эмиттер.

Минимальный размер - 3.0 мкм;

минимальное расстояние - 2.0 мкм;

минимальное расстояние до базы - 1.5 мкм;

минимальное расстояние от Р+ базы до эмиттера - 1.5 мкм.

Емкость.

Минимальный размер - 5.0 мкм;

минимальное расстояние емкость – эмиттер - 1.0 мкм.

Контактные окна.

Минимальный размер - 2.0 мкм;

минимальное расстояние до базы, резисторов - 1.0 мкм;

минимальное расстояние до эмиттера - 0.5 мкм;

минимальное расстояние до коллектора - 0.0 мкм.

Металл 1.

Минимальная ширина - 3.0 мкм;

минимальное расстояние - 2.8 мкм;

минимальное перекрытие контактных окон - 1.0 мкм.

Изолирующий диэлектрик (ИД).

Минимальный размер окон в ИД - 3.0 мкм;

минимальное расстояние металл 1- окно в ИД - 1.0 мкм.

Металл 2.

Минимальная ширина - 5.0 мкм;

минимальное расстояние - 5.0 мкм;

минимальное перекрытие контактных окон ИД - 2.0 мкм.

Пассивация.

Размер контактной площадки по металлу 1 - 94´94мкм;

расстояние от края окна в пассивации до металла КП - 10 мкм;

расстояние между контактными площадками - 40 мкм.

5. Разработка топологии ИМС

5.1 Разработка библиотеки элементов

Разработку топологии проектируемой ИМС проведем с помощью пакета программ проектирования топологии ПАРОМ. В качестве исходной информации при проектировании используем фотографию кристалла ИМС TA2003 и проектные нормы на разработку топологии.

На первом этапе проектирования произведем замеры геометрических размеров областей образующих элементы ИМС TA2003 и исследуем их конфигурации. Используя полученные сведения о размерах и конфигурации элементов приступаем к разработке библиотеки элементов. Библиотека представляет собой набор файлов формата программы ПАРОМ. Каждый файл содержит топологию отдельного элемента. В файл топологии ИМС элементы вызываются из соответствующих файлов библиотеки.

Итак библиотека элементов приведена на рисунках 5.1 - 5.8.