Смекни!
smekni.com

Технологія випробування мікросхеми К155 ЛА7 за категорією К5 (стр. 7 из 7)

Для створення необхідної відносної вологості використовується паровий зволожувач 16, представляє собою бак з водою, що нагрівається нагрівачем 15. Рівень води в зволожувачі регулюється соленоїдним вентилем 12, що управляється датчиком нижнього 13 і верхнього 14 рівнів, а температура води – електронним мостом 17 за допомогою термометра опору 18. Відносна вологість регулюється електронним мостом 27, в плечі якого увімкнені датчики – термометри опору: «сухий» 1 і «мокрий» 2. На термометр 2 надітий чохол 3 із батисту, який змочується дистильованою водою, для чого його нижній кінець опущений в склянку підпитки 24, з’єднаний трубкою з резервуаром 26, в якому знаходиться дистильована вода. Батист повинен бути завжди чистим, м’яким і вологим.

Камера може працювати в режимах тепла і підвищеної відносної вологості. В режимі підвищеної відносної вологості на електронному мості 27 встановлюють стрілку задатчика на потрібну відносну вологість, а стрілку задатчика електронного мосту 17 – на відмітку 100…1100С. Коли камера вийде на заданий режим температури, вмикають перемикач «подача пари». Із зволожувача 16 пара поступає в камеру по трубопроводу 23 через соленоїдний вентиль 19, що керується електронним мостом 27. В результаті камера виходить на потрібний режим відносної вологості.

Для вимірювання електронних параметрів дослідних ІМ в камері передбачені вводи, розраховані на напругу до 5000В. Крім того, для подачі, напруг живлення в камері є отвори діаметром 80 мм, через які пропускають кабелі від вимірювальної апаратури. Перед тим на кабелі надівають пробки з теплоізолюючого матеріалу з малим волого поглинанням (пінопласт, фторопласт), які потім щільно вставляють в отвори. Щілини між кабелями і пробками і між пробками і отворами в камері заливають герметиком.

Для вимірювання вологи повітря і газів використовують гігрометри. Найбільш розповсюджені – психрометри. Принцип їх дії оснований на залежності вологи повітря від психометричної різниці. Психрометри застосовують для вимірювання вологи в широкому діапазоні температур (10…2000С). Вони дозволяють проводити градуювання не за вологістю, а за температурою, що підвищує точність вимірювань.


IV. ВИПРОБУВАННЯ МІКРОСХЕМИ ПРИ СТУПЕНІ ЖОРСТКОСТІ I

Багатократні удари

· Пікове ударне прискорення g = 15

· Загальне число ударівдля передбаченої в стандартах на вирів виборки об’ємом: 3 і менше – 12000; більш 3 – 10000.

Лінійне прискорення

· Лінійне прискорення g = 10

Підвищення температури

· Температура – 400С

Вологостійкість

· Відносна вологість (верхнє значення) – 80%

· Температура випробування – 250С

· Наявність конденсації вологи – відсутня


ВИСНОВКИ

Інтегральні мікросхеми серії 155 – це багатофункціональні цифрові матриці, виконані за напівпровідниковою технологією на компліментарних МОН – транзисторах. Мікросхеми призначені для роботи в електронній апаратурі спеціального призначення.

Випробування на зміни температури середовища, на підвищення вологості, на багатократні удари і на лінійне прискорення направлені на перевірку працездатності під час випробування та після нього. А також за допомогою випробувань на зміни температури і на багатократні удари перевіряють ІМ на збереження їх зовнішнього вигляду при проведенні випробування та після нього.

При проведенні цих випробувань використовують спеціальні камери тепла і холоду, камери тепла і вологи, стенди для випробування на багатократні удари і конструкція центрифуги.


ВИКОРИСТАНА ЛІТЕРАТУРА

1. Глудкін О.П. Методи та пристрої випробувань РЕС і ЕВС. М., 1991р. – 336стр.

2. Готра З.Ю., Миколаїв І.М. Контроль якості і надійності мікросхем. М., 1989р. – 168стр.

3. Довідник. Цифрові та аналогові інтегральні мікросхеми. Під ред. Якубовського С.В. М., 1989р. – 496стр.

4. Аронов В.Л., Федотов Я.А. Випробування та дослідження напівпровідникових приладів. М., 1975р. – 325стр.

5. Терещук Р.М., Терещук К.М., Седов С.А. Напівпровідникові прийомопідсилювальні пристрої. Довідник. Київ. 1988р. – 695стр.

6. Глудкін О.П., Черняєв В.Н. Технологія випробування мікроелементів ріоелектронної апаратури і інтегральних мікросхем. М., 1980р. – 360стр.

7. Андерман Д.И., Воробйов Б.А. Методи та засоби випробувань РЕА. Томськ, 1986р. – 102стр.

8. Випробувальна техніка. Під ред. Клюєва В.В. М., 1982р. – 528стр.

9. Інтегральні мікросхеми і зарубіжні аналоги. Довідник. Під ред. Нефьодова В. М., 1998р. – 610стр.

10. Вітчизняні мікросхеми та їх зарубіжні аналоги. Довідник. Під ред. Перельман Б.Л., Шевельов В.Л. М., 1998р. – 376стр.

11. http://www.asc-development.ru/spravochnik-long-79.html

12. http://kazus.ru/guide/chips/la7.html

13. http://site-mirrors.icf.bofh.ru/dsheets/ic/155/la7.html

14. http://www.izme.ru/dsheets/ic/155/la7.html