Смекни!
smekni.com

Проектирование суммирующего двоично-десятичного счетчика импульсов (стр. 2 из 5)

Составление карты Карно функций управления входов для каждого триггера счётчика

Карты Карно составляются в соответствие со словарём перехода триггера.

Для младшего разряда будут использоватся DV-триггеры, для старшего JK-триггеры.

Словарь перехода для DV-триггера представлен в таблице 3

Таблица 3:

FQ D V
1 1
0 1
0 0 1
1 1 1

Используя этот словарь, получим:

D1 Q5 Q3 V1 Q5 Q3
00 01 11 10 00 01 11 10
Q2 Q1 00
1
1 1 * Q2 Q1 00
1
1 1 *
01 0 * 0 0 01 1 * 1 1
11 0 * * 0 11 1 * * 1
10
1
* * 1 10 1 * * 1
D2 Q5 Q3 V2 Q5 Q3
00 01 11 10 00 01 11 10
Q2 Q1 00 0 0 0 * Q2 Q1 00
1
1 1 *
01
1
* 0
1
01 1 * 1 1
11 0 * * 0 11 1 * * 1
10
1
* * 1 10 1 * * 1
D3 Q5 Q3 V3 Q5 Q3
00 01 11 10 00 01 11 10
Q2 Q1 00 0 0
1
* Q2 Q1 00
1
1 1 *
01 0 * 0 0 01 1 * 1 1
11
1
* * 1 11 1 * * 1
10 0 * * 0 10 1 * * 1

Таблица 4:

D4 Q5 Q3 V4 Q5 Q3
00 01 11 10 00 01 11 10
Q2 Q1 00 0 0 0 * Q2 Q1 00
1
1 1 *
01 0 * 0 0 01 1 * 1 1
11 0 * * 0 11 1 * * 1
10 0 * * 0 10 1 * * 1

Словарь перехода для JK-триггера представлен в таблице 5

Таблица 5:

FQ J-вход K-вход
0 0 *
1 * 0
1 *
* 1
J1 Q5 Q3 K1 Q5 Q3
00 01 11 10 00 01 11 10
Q2 Q1 00 0
1
* * Q2 Q1 00 * * 0 *
01 0 * * * 01 *
*
1 0
11 0 * * * 11 * * * 0
10 0 * * * 10 * * * 0
J2 Q5 Q3 K2 Q5 Q3
00 01 11 10 00 01 11 10
Q2 Q1 00 0 0 0 * Q2 Q1 00 0 0 0 *
01 0 * 0 0 01 0 * 0 0
11 0 * * 0 11 0 * * 0
10 0 * * 0 10 0 * * 0
J3 Q5 Q3 K3 Q5 Q3
00 01 11 10 00 01 11 10
Q2 Q1 00 0 0 0 * Q2 Q1 00 0 0 0 *
01 0 * 0 0 01 0 * 0 0
11 0 * * 0 11 0 * * 0
10 0 * * 0 10 0 * * 0
J4 Q5 Q3 K4 Q5 Q3
00 01 11 10 00 01 11 10
Q2 Q1 00 0 0 0 * Q2 Q1 00 0 0 0 *
01 0 * 0 0 01 0 * 0 0
11 0 * * 0 11 0 * * 0
10 0 * * 0 10 0 * * 0

1.5 Составление минимизированных логических уравнений

В картах Карно выделены клетки, которые описываются наиболее простыми логическими уравнениями, и охватывающие все единичные состояния триггеров. Исходя из этого, составим минимизированные логические уравнения функций управления:

D1=

D2=

+

D3=

+

D4=0

J1 =Q3

K1=Q1Q3

V1= V2= V3= V4=1

K2= J2= K3= J3= K4= J4=0

1.6 Разработка принципиальной схемы устройства

Для разработки электрической принципиальной схемы нам понадобятся простые логические микросхемы серии 74HC.

В таблице 6 представлены выбранные микросхемы

Таблица 6:

Микросхема Функционально назначение
74HC74 Содержит 2 DV-триггера
74HC73 Содержит 2 JK-тригера
74HC11 Содержит три элемента 3И
74HC08 Содержит четыре элемента 2И
74HC32 Содержит четыре элемента 2ИЛИ

а) б)

а-74HC74A, б-74HC08

Рис.2 Логические микросхемы

а) б) в)

а-74HC73, б-74HC32, в-74HC11.

Рис.3 Логические микросхемы.


Принципиальная схема КП62.294024.201ЭЗ, перечень элементов КП 62.294024.201 ПЭ3, функциональная схема КП62.294024.201Э2 находятся в приложениях.

2. Конструкторско-технологический раздел

2.1 Выбор и обоснование способа изготовления печатных плат

2.1.1 Методы изготовления печатных плат

Субтрактивный метод (от лат. "отнимание") в настоящее время самый распространенный, лучше освоен технологически. В качестве исходного материала используют одно - или двухсторонние фольгированные диэлектрики (в основном фольгированные медью).

Рисунок печатного проводника наносится на фольгированную основу в виде защитной резистивной пленки, а непокрытые резистом места удаляются с помощью травления.

Аддитивный метод (от лат. "прибавлять") - при этом методе исходным является нефольгированный диэлектрик, на поверхность которого наносится желаемый рисунок печатной платы.

Преимущества аддитивного метода по сравнению с субтрактивным:

более высокая надежность, так как проводники и металлизация отверстий получаются в едином гальваническом цикле;

однородность соединений между проводниками и металлизацией отверстий;

отсутствие подтравливания;

отсутствие гальванического защитного покрытия при травлении;

экономия меди и химикатов;

упрощение технологического процесса.

Существуют два основных варианта аддитивного метода получения ПП:

химический;

химико-гальванический.

При химическом методе слои получают на основе восстановительного соединения, при этом слои получаются до 10 мкм при удовлетворительных механических и физических свойствах покрытия. Недостатки - высокая стоимость изделий (в 3-4 раза дороже, чем при гальваническом осаждении) и низкая скорость осаждения.

Чтобы устранить недостатки химического метода часто обращаются к комбинированным методам (химико-гальванический метод). При этом на поверхности нефольгированного диэлектрика сначала химически получают связанный с подложкой слой меди толщиной до 5 мкм, который при последующем селективном гальваническом наращивании служит рисунком печатных проводников, а по окончании наращивания вытравливается, где это необходимо. Недостаток метода - неравномерная толщина покрытия в отверстиях из-за неравномерного распределения плотности тока гальванических ванн и возникновение переходной зоны между химически восстановленной и гальванически осажденной медью.