Исследование радиопередающего устройства (стр. 3 из 3)

R24, R25 – делитель напряжения для подачи смещения на базу транзистора VT8.

R27 – обеспечивает автосмещение.

C28 – блокировочная емкость. Шунтирует коллекторную цепь транзистора VT8 по высокочастотному току, попавшему с модулятора.

R28 – для подачи питания на коллекторную цепь транзистора VT8.

C29 – блокировочная емкость.

R29 –для подачи смещения на варикапы VD1, VD2.

C41 – блокировочная емкость.

R30 – для изменения девиации.

R31, C45, R10 – интегратор.

Усилитель мощности

C52, L15 – Г-образный четырехполюсник.

L16 – блокировочная индуктивность.

C53 – блокировочная емкость.

L17 – нагрузка.

C54, C55, L18 – Т-образный четырехполюсник.

L19 – блокировочный дроссель. Задает нулевое смещение на базе.

L20 – блокировочная индуктивность.

L21, L22, C57, C58 – колебательный контур. Согласует выходной каскад передатчика с нагрузкой.

Заключение

В ходе выполнения курсового проекта был рассчитан оконечный каскад передатчика. Был произведен конструкторский расчет катушек индуктивности и выбор стандартных номиналов емкостей и блокировочных дросселей. Были приобретены навыки анализа принципиальных схем радиопередающих устройств.

Список использованной литературы

1. Проектирования радиопередающих устройств: Учеб. пособие для вузов/В.В. Шахгильдян, М.С. Шумилин, И.А. Попов и др.; Под ред. В.В. Шахгильдяна. М.: Радио и связь, 1993, 512с.

2. Шумилин М. С., Козырев В. Б., Власов В. А. Проектирование транзисторных каскадов передатчиков: Учебное пособие для техникумов. М.: Радио и связь, 1987.

3. Методические указания к курсовому проектированию по дисциплине “Устройства формирования сигналов” /Л.И. Булатов, Б.В. Гусев. Екатеринбург: Изд-во УГТУ, 2003 г.

Приложение 1

Параметры транзистора КТ-934В

Параметры идеализированных статических характеристик	Сопротивление насыщения транзистора rнас, Ом	0,45
	Сопротивление материала базы rБ, Ом
	Стабилизирующее сопротивление в цепи эмиттера rЭ, Ом	0
	Напряжение отсечки коллекторного тока ,В	0,7
	Коэффициент усиления по току в схеме с ОЭ β0	50
Высокочастотные параметры	Частота единичного усиления по току fT, МГц	700
	Барьерная емкость коллекторного перехода CК, пФ	22
	Барьерная емкость эмиттерного перехода CЭ, пФ	200
	Постоянная времени коллекторного перехода τК, пС	5
	Барьерная емкость активной части эмиттерного перехода СКА, пФ
	Индуктивность вывода эмиттера LЭ, нГн	1
	Индуктивность вывода базы LБ, нГн	2.8
	Индуктивность вывода коллектора LК, нГн	2.5
Предельно допустимые значения	Допустимое напряжение на коллекторе в схеме с ОЭ UКЭ.ДОП, В	60
	Допустимое обратное значение напряжения на эмиттерном переходе UБЭ.ДОП, В	4
	Допустимая постоянная составляющая тока коллектора IК0.ДОП, А	2