Смекни!
smekni.com

Приемники непрерывных сигналов (стр. 4 из 5)

около каждого вида устройства показать их количество N=? и тип фильтров (ОКК; ДПФ, ФСС), а также тип микросхемы;

ввести АРУ и показать какое количество усилительных каскадов охватывает система АРУ;

показать ЧАП или ФАП промежуточной частоты, уменьшающий запас по полосе приемника, если расчеты показали, что он необходим;

вместо Д, показанного на рис.4, необходимо ввести конкретный вид этого детектора:

для АТ сигналов – АД,

для ЧТ сигналов – ЧД ( перед «обычным» ЧД необходим ограничитель),

для сигналов с ОМ – СД (синхронный детектор). Обычно СД – это ФД, который формирует выходной сигнал с учетом не только разности фаз входных колебаний, но и их амплитуд. Для работы любого ФД необходимо опорное колебание. Для ОМ колебаний с остатком несущей опорное колебание выделяется в ФОН (фильтр остатка несущей) и поддерживается системой ФАП (рис.5). Для ОМ колебаний с полностью подавленной несущей опорное колебание формируется в высокостабильном генераторе (рис.6). Как следует из рисунков, перед СД ставится ФБП (фильтр боковой полосы), выделяющий спектр полезного сигнала, содержащийся в боковой полосе.

Рис. 5

Рис.6


Приложение 1

Параметры биполярных транзисторов

Тип транзистора
(МГц)
(Ом)
(пФ)
(пС)
Шт (дБ)
(Ом) (Ом)
КТ 342 В 300 200 400 4 700 7 5 50
КТ 306 А 500 30 30 5 500 15 30 100
КТ 306 Б 650 30 60 5 500 15 30 100
КТ 3126 А 500 7 100 2,5 15 8 5 6
КТ 3127 А 600 6 150 1 10 5 5 10
КТ 316 А 600 17 60 3 50 10 15 16,7
КТ 316 Б,В 800 17 120 3 50 10 15 16,7
КТ 316 Г 600 17 100 3 150 10 15 50
КТ 316 Д 800 17 300 3 150 10 15 50
КТ 3128 А 800 7 150 1 5 5 6 5
КТ 397 А 800 25 300 1,3 40 6 20 30,8
КТ 3109 А 800 8 15 1 10 6 7 10
ГТ 311 А 770 8 70 1,8 50 8 8 27,8
ГТ 311 Б 1500 8 80 1,5 100 5,1 8 66,7
ГТ 311 Г 1500 8 60 1,5 75 5,1 8 50
ГТ 311 Д 1500 7 110 1,5 75 5,1 8 50
ГТ 329 А 1200 22 100 2 15 4 10 7,5
Т 341 А 1950 60 60 1 10 4,5 30 10
КТ 382 А 2250 3 330 2 6 3 3 3
КТ 382 Б 2250 3 330 0,7 5,5 4,5 3 2,8
КТ 372 А 2400 20 10 1 9 3,5 8 9
КТ 372 Б 3000 20 10 1 9 3,5 8 9
КТ 371 А 3600 10 200 1,2 10 5 8 8,3
Т 362 4800 5 200 1 10 4 8 10
ГТ 362 Б 4800 5 200 0,5 30 4 8 6
КТ 391 А 7000 8 150 0,7 3,7 4,5 7 5,3
КТ 391 Б 7000 8 150 1 3,7 4,5 7 5,3
КТ 368 А 7000 6 300 1,7 15 3,3 5 2,8
КТ 368 Б 7000 6 300 1,7 15 2,8 5 2,8
КТ 3115 А-2 7500 9 20 0,6 9 5 7 15
КТ 3124 А-2 8000 6 200 0,6 2,5 5 5 4,2
КТ 610 А 10000 12 300 4,1 55 6 10 13,4
КТ 610 Б 7000 12 300 4,1 22 6 5,4

Приложение 2

Параметры транзисторов на частотах ниже 500 МГц.

При включении транзисторов в усилительный каскад по схеме с общим эмиттером параметры транзистора приведены в таблице 1, где:

- прямая проводимость (крутизна) транзистора,

- обратная проводимость транзистора,

- выходная проводимость транзистора,

- входная проводимость транзистора.

Таблица 1

Параметры транзистора Расчетные формулы

где

,

При включении транзисторов в усилительный каскад по каскадной схеме (ОЭ-ОБ) параметры транзисторов приведены в таблице 2.

Таблица 2

Параметры транзистора в схеме с ОЭ Параметры транзистора в схеме с ОЭ ОБ

Приложение 3

Таблица отношений напряжений и мощностей

N (дБ)
N (дБ)
N (дБ)
0 1,0 1,0 2,1 1,27 1,62 7,0 2,2 5,02
0,1 1,012 1,024 2,2 1,29 1,66 8,0 2,5 6,31
0,2 1,024 1,048 2,3 1,31 1,7 9,0 2,8 8,0
0,3 1,035 1,07 2,4 1,32 1,74 10,0 3,2 10,0
0,4 1,047 1,09 2,5 1,34 1,8 11,0 3,58 13,0
0,5 1,06 1,12 2,6 1,35 1,82 12,0 4,0 16,0
0,6 1,07 1,14 2,7 1,365 1,86 13,0 4,5 20,0
0,7 1,085 1,17 2,8 1,38 1,9 14,0 5,02 25,1
0,8 1,097 1,2 2,9 1,4 1,95 15,0 5,67 31,0
0,9 1,11 1,23 3,0 1,42 2,0 16,0 6,31 40,0
1,0 1,12 1,26 3,1 1,437 2,048 17,0 7,1 51,0
1,1 1,135 1,29 3,2 1,45 2,096 18,0 8,0 64,0
1,2 1,148 1,3 3,3 1,47 2,14 19,0 8,96 80,0
1,3 1,161 1,3 3,4 1,486 2,18 20,0 10 100
1,4 1,17 1,3 3,5 1,5 2,24 30,0 32
1,5 1,19 1,4 3,6 1,52 2,28 40,0 100
1,6 1,2 1,4 3,7 1,54 2,34 50,0 320
1,7 1,22 1,48 3,8 1,557 2,4 60,0
1,8 1,23 1,52 3,9 1,57 2,46 70,0
1,9 1,245 1,55 4,0 1,6 2,5 80,0
2,0 1,26 1,6 5,0 1,8 3,2 90,0
6,0 2,0 4,0 100.0

Приложение 4