Расчет усилителей на биполярных транзисторах (стр. 2 из 3)

Рис. 4

2.) Коэффициент передачи по току, измеряемый при коротком замыкании на выходе транзистора, используем входные характеристики транзистора (Рис.5)

Рис. 5

3.) Выходная проводимость, измеряемая при холостом ходе на входе транзистора, используем входные характеристики транзистора (Рис. 6)

Рис. 6

4.) Коэффициент обратной связи, измеряемый при холостом ходе на входе транзистора:

Для всех типов биполярных транзисторов и рабочих точек принято

(DI_б , DI_к ,DU_бэ , DU_кэ – приращения, взятые симметрично относительно рабочей точки О).

6. Определение величин эквивалентной схемы транзистора

Физическая малосигнальная высокочастотная эквивалентная схема биполярного транзистора (схема Джиколетто) представлена на рис. 3.

Рис. 7

1. Барьерная ёмкость коллекторного перехода;

2. Выходное сопротивление транзистора;

3. Сопротивление коллекторного перехода;

4. Сопротивление эмиттерного перехода для эмиттерного тока;

5. Сопротивление эмиттерного перехода для базового тока;

6. Распределение сопротивления базы;

Берем = 100 Ом

7. Диффузионная ёмкость эмиттерного перехода;

7 нФ

8. Собственная постоянная времени транзистора;

9. Крутизна транзистора;

мА/В

7. Определение граничной и предельных частот биполярного транзистора

1. Граничная частота усиления транзистора в схеме с ОЭ:

2. Предельная частота в схеме с ОЭ:

3. Предельная частота транзистора по крутизне:

4. Максимальная частота генерации:

8. Определение сопротивления нагрузки транзистора по переменному

току

Сопротивление нагрузки по переменному току для биполярного транзистора рассчитывается по формуле:

Для построения нагрузочной прямой по переменному току воспользуемся двумя точками:

1.)

;

2.)

- точка покоя (т.О)

Нагрузочная прямая по переменному току приведена на рисунке 8 (прямая CD).