Смекни!
smekni.com

Микросборка фильтра верхних частот (стр. 4 из 5)

Положив МRПР = 0, тогда:

(59)

(60)

Допустимое значение случайной составляющей поля рассеяния производственной относительной погрешности сопротивления по следующей формуле:

(61)

(62)

Подставим вычисленные выше значения в данную формулу, получим:

(63)

(64)

(65)

Определим допустимое значение случайной составляющей поля рассеяния производственной относительной погрешности коэффициента формы, по следующей формуле:

(66)

Подставим значения и получим:

(67)

Определим расчетное значение коэффициента форм резистора:

(68)

Определим ширину резистивной пленки:

мм (69)

мм (70)

мм (71)

(72)

мм (73)

мм (74)

Определим сопротивление контактного перехода резистора:

Ом (75)

Ом (76)

Проверим следующее условие:

(77)

Определим среднее значение коэффициента формы:

(78)

Определим среднее значение МRПР и половину поля рассеяния dRПР относительной производственной погрешности:

(79)

(80)

(81)

(82)

(83)

Определим граничные условия поля рассеяния относительной погрешности сопротивления резистора:

Определим площадь занимаемую резистором:

мм2 (84)

Определим коэффициент нагрузки резистора:

(85)

Результаты расчета занесем в таблицу №2:

Таблица №2

резисторы B, мм В1, мм В2,мм S, мм2 P, мВт КН
R,Ом
R8 200 5,053 1 4,953 25,53 125 0,2448

Конденсаторы

Конденсаторы являются широко распространенными элементами гибридных микросхем. Пленочный конденсатор представляет собой последовательно нанесенные на подложку и друг на друга пленки проводника и диэлектрика. Такая конструкция пленочных конденсаторов делает их более сложными элементами микросборок по сравнению с резисторами.

Применение многослойных конденсаторов с большим числом обкладок приводит к усложнению технологии, снижению надежности, электрической прочности конденсаторов и повышение их стоимости. Поэтому в пленочных микросборках в основном применяются лишь трехслойные конденсаторы. Все характеристики пленочных конденсаторов зависят от выбранных материалов. Диэлектрическая пленка должна иметь высокую адгезию к подложке и металлическим обкладкам, обладать высокой электрической прочностью и малыми диэлектрическими потерями и многими другими требованиями и характеристиками.

Под наши номиналы конденсаторов более подходит стекло электровакуумное С41-1 (НПО.027.600) с удельной емкостью 150…400 пФ/мм2, диэлектрической проницаемостью e0 = 5,2, tgdд=(0,2…0,3)·102, электрической прочностью ЕПР = 300…400 В/мкм, ТКЕ 104 Мaeд = 1,7, daeд = 0,2, коэффициентом старения 10-5 Мкeд = 2, dкeд = 1. Также имеем технологические ограничения на размеры обкладок: Dl = Db = 0,01мм. – максимальное отклонение размеров обкладок, Мсо = 5% – среднее значение производственной относительной погрешности удельной емкости, dсо = 1% – половина поля рассеивания производственной относительной погрешности удельной емкости.

Вычислим среднее значение относительной погрешности удельной емкости, Вызванной изменением температуры, Мcotb при верхней и Мcotn при нижней предельной температуре:

(86)

(87)

Среднее значение относительной погрешности емкости, вызванной изменением температуры (2.17; 2.18 [5]):

(88)

%
%

Половины полей рассеяния относительной погрешности предельной емкости, вызванной изменением температуры:

(89)

Половины полей рассеяния относительной погрешности емкости, вызванной изменением температуры (2.20; 2.21 [5]):

(90)

%

Среднее значение относительной погрешности удельной емкости, вызванной старением диэлектрической пленки:

(91)

Среднее значение относительной погрешности емкости, вызванной старением диэлектрической пленки (2.23; 2.24 [5]):

(92)

%

Половина поля рассеяния относительной погрешности удельной емкости, вызванной старением диэлектрической пленки:

(93)

Половина полей рассеяния относительной погрешности емкости, вызванной старением диэлектрической пленки (2.26; 2.27 [5]):

(94)

%

Найдем сумму средних значений относительных погрешностей:

(95)

(96)

Введем коэффициент запаса на уход емкости под действием не учетных факторов:

Определим допустимое значение половины поля рассеяния, производственной относительной погрешности активной площади:

(97)

% (98)

- минимальное значение двух предыдущих.