работа (стр. 2 из 2)

Выберем величину Rk наиболее подходящую под двухсторонне ограничение:

Мощность, рассеиваемая на резисторе Rk при насыщении транзистора VT, определяется выражением:

1. Выбор номинала резистора Rб.

Составим систему неравенств, из которых выберем номинал резистора в соответствии со стандартным рядом номиналов.

Определим первое и второе ограничение снизу:

U^*=0.8В – напряжение насыщения база-эмиттер транзистора

I_бmax =0.1 А – максимально допустимы ток базы транзистора

кОм кОм

Определим ограничение сверху на величину Rб.

кОм

Выбираем величину сопротивления резистора в соответствии со стационарным рядом номиналов резисторов Rб=13кОм

1. Определение мощности потребляемой ПУ.

Мощность, потребляемая ПУ от источника питания Е в состоянии логической «1» на выходе для наихудшего соотношения параметров определяется выражением:

мВт

Мощность, потребляемая ПУ от источника питания Е в состоянии логического «0» на выходе для наихудшего соотношения параметров определяется выражением:

1. Построение передаточной характеристики ПУ

На передаточной характеристике ПУ можно выделить три участка

а) Если Uвх

, VT находится в отсечке и Uвых определяется выражением

б) Если U_вх=

=0,8В то VT открыт и его ток базы равен

пока

транзистор VT находится в активном режиме.

мА

Ток I_б транзистора VT достигает значения I_бНАС при U_Вх=

в) Если U_вх

1,3В то VT находится в насыщении и U_вых=U_кэНАС=0,2В

Зависимость Uвых от Uвх выражается формулой