Смекни!
smekni.com

работа на тему «Расчет характеристик кмоп транзистрора» по дисциплине «Электроника» Вариант 7 4 (стр. 2 из 3)

Тогда выразим и найдем

из вышеуказанного равенства:

Расчет порогового напряжение n-канального КМОП-транзистора.

Uпор-nвычисляется по формуле:

- потенциал Ферми для n-канального КМОП-транзистора.

- разность работ выхода электронов из затвора и полупроводника подложки n-канального КМОП-транзистора.

- потенциал Ферми для затвора n-канального КМОП-транзистора

- концентрация внедренных в затвор n-канального КМОП-транзистора ионов

-плотность заряда на границе раздела Si - SiO2 для структуры кремния;

удельная емкость подзатворного диэлектрика (найдено ранее)

Имея теперь все необходимые постоянные и величины, подставляем их в формулу для расчета порогового напряжения n-канального КМОП-транзистора и получаем его значение.

Расчет порогового напряжения p-канального КМОП-транзистора.

Uпор-p вычисляется по формуле:

- потенциал Ферми для p-канального КМОП-транзистора

- разность работ выхода электронов из затвора и полупроводника подложки p-канального КМОП-транзистора:

- потенциал Ферми для затвора p-канального КМОП-транзистора;

- потенциал Ферми для подложки p-канального КМОП-транзистора;

Пороговое напряжение p-канального КМОП-транзистора.

.

Расчет емкостей.

Емкости р-п переходов.

Емкости p-n-переходов исток-подложка и сток-подложка:

Spn - площадь р-n перехода (т.е. площадь донной части перехода сток-подложка и исток-подложка)

L = 2min = 10 мкм,

Wn=10min=50 мкм - для n-канального КМОП транзи­стора

Wp = 150 мкм - для р-канального КМОП транзистора,

xj = 1 мкм.

где

;

концентрация внедренных в канал n-канального КМОП-транзистора ионов.

концентрация внедренных в канал p-канального КМОП-транзистора ионов.

(в программе P-Spice ССП = CBD и СИП = CBS)

Рассчитаем емкости p-n-переходов n-канального КМОП-транзистора:

Рассчитаем емкость p-n переходов p-канального КМОП-транзистора:

Емкости перекрытия каналов.

Величины перекрытий затвор-сток и затвор-исток одинаковы и равны dпер = 0,1мкм,

поэтому соответствующие емкости будут одинаковы. Их можно вычислить по формуле:

где

удельная емкость подзатворного диэлектрика

Wn = 50 мкм - длина области перекрытия (ширина канала) для n-канального КМОП транзистора;

Wp= 150 мкм - длина области перекрытия (ширина канала) для р-канального КМОП транзистора;

(в программе P-Spice СЗС = CGDO и CИЗ=CGSO).

Емкость перекрытия каналов n-канального КМОП-транзистора:

Емкость перекрытия каналов p-канального КМОП-транзистора:

Емкости под затворами.

Эти удельные емкости перекрытия между затвором и подложкой на длину перекрытия (в P-Spice CGBO) не оказывают на работу схемы значительного влияния и поэтому ими можно пренебречь:

Суммарная емкость.

Суммарная емкость – это алгебраическая сумма всех емкостей схемы (емкости двух n-канальных транзисторов + емкости двух p-канальных транзисторов + нагрузочная емкость).

Снагр – нагрузочная емкость, подключается к выходу схемы.

Снагр=50 пФ.

(в программе P-Spice Снагр load).


5. Расчет с помощью программы P-Spice

Обозначим элементы схемы и пронумеруем узлы:

Передаточная характеристика схемы

Текст программы в P-Spice:

Kurs KMOP peredatochnaya

Vpit 4 0 5

Vin1 1 0 0

Vin2 2 0 0

Mn1 3 1 0 0 nm

Mn2 3 2 0 0 nm

.model nm nmos (W=50u L=10u Vto=1.02 level=1 kp=35.4u)

Mp1 4 1 5 4 pm

Mp2 5 2 3 4 pm

.model pm pmos (W=150u L=10u Vto= -0.97 level=1 kp=11.8u)

. DC Vin2 0 5 0.01

.PROBE

.END

Из полученной передаточной характеристики имеем следующие значения величин:

- логический перепад

- порог переключения:

Vn= 2,5В

- помехоустойчивость по положительной помехе:

2,04 – 0 = 2,04 B

- помехоустойчивость по отрицательной помехе:

5 – 2,74 = 2,26 B

90% - общая помехоустойчивость (в процентах от Епит)

Переходная характеристика схемы

Текст программы в P-Spice:

Kurs KMOP perehodnaya

Vpit 4 0 5

Vin1 1 0 pulse(0 5 100n 83.4n 83.4n 200n 566.8n)

Vin2 2 0 0

Cload 3 0 50p

Mnl 3 1 0 0 nm

Mn2 3 2 0 0 nm

.model nm nmos (W=50u L=10u Vto=1.02 level=1 kp=35.4 u CBD=41f

+CBS=41f CGSO=3,54f CGDO=3,54f CGBO=0 Tox=50n UO=600 LD=0.1um)

Mp1 4 1 5 4 pm

Mp2 5 2 3 4 pm

.model pm pmos (W=150u L=10u Vto= -0.97 level=1 kp=11.8 u CBD=117f

+CBS=117f CGSO=10.62f CGDO=10,62f CGBO=0 Tox=50n UO=200 LD=0.1um)

.tran 10р 10u

.probe

.end

Из полученной передаточной характеристики имеем следующие значения величин:

41.61 нс
61,13 нс
41,58 нс
51,52 нс

=67,34 нс

Статическая и динамическая мощности, потребляемые схемой

Статическая мощность определяется выражением:

,
- входные токи потребления (при напряжениях на входе
и
соответственно).