Методы проверки электронных компонентов (стр. 3 из 3)

ОПТ имеет выводы, называемые база 1 (Б1), база 2 (Б2), эмиттер. Он переходит в состояние проводимости, когда напряжение на эмиттере превышает значение критического напряжения переключения, и находится в этом состоянии до тех пор, пока ток эмиттера не снизится до некоторого значения, называемого током запирания. Все это очень напоминает работу тиристора; программируемый ОПТ имеет выводы, называемые анод (А), катод (К) и управляющий электрод (УЭ). По принципу работы он ближе к тиристору. Переключение его происходит тогда, когда напряжение на управляющем электроде превышает напряжение на аноде (на величину примерно 0,6 В — прямое напряжение р- n перехода). Таким образом, изменяя с помощью делителя напряжение на аноде, можно изменять напряжение переключения ("программировать" его) такого прибора.

Чтобы проверить исправность ОПТ и программируемого ОПТ следует измерить омметром сопротивление между выводами Б1 и Б2 или А и К для проверки на пробой. Н о наиболее т очные результаты можно получить , собрав схему для проверки ОПТ (для ОПТ — рис. 8.5, для программируемого ОПТ — рис. 8.6).

Тестирование динисторов , тиристоров , симисторов

Динисторы, тиристоры, симисторы представляют собой полупроводниковые при боры четырехслойной структуры р- n - p - n . Часто при пояснении принципа работы их изображают в виде соединенных между собой, как показано на рис. 8.7, транзисторов разной проводимости. Как видно из рисунка, тиристор имеет три вывода: анод (А), катод (К) и управляющий электрод (УЭ). Напряжение, приложенное к р- n переходу одного из транзисторов, обеспечивает отпирание тиристора.С помощью мультиметра динистор можно проверить только на пробой между выводами А и К (при исправном тиристоре участок А-К не прозваниваются), а тиристор и симистор, кроме того, и на исправность р- n перехода между УЭ и К. Наилучшие результаты проверки тиристоров и симисторов обеспечивает испытательная схема, изображенная на рис. 8.8.

В качестве источника питания используется источник постоянного тока напряжением 12 В с допустимым током нагрузки не менее 200 мА. Резистор R 1 ограничивает ток через испытуемый прибор, а резистор R 2 — через его управляющий электрод. Схема обеспечивает тестирование тиристоров и симисторов малой и средней мощности. Для проверки прибора необходимо:

1. Включить его в схему, как показано на рис. 8.8.

2.Кратковременно соединить его УЭ с резистором R 2. Прибор должен открыться, напряжение + U тест станет равным нулю. Прибор остается открытым и при отключенном от R 2 управляющем электроде.

3. Разорвать цепь питания анода (УЭ при этом соединен с К) и замкнуть ее вновь. Прибор должен находиться в закрытом состоянии. + U тест при этом равно 12 В.

При тестировании симисторов следует повторить п.п. 2, 3, и R 2 при этом должен быть запитан от отрицательного полюса источника питания. Результат такого тестирования позволяет убедиться в исправности прибора. Тем не менее окончательным результатом тестирования следует считать исправную работу полупроводникового прибора в том устройстве, где он установлен. Динисторы (по-другому их называют еще диаки и сидаки) не имеют вывода УЭ, и они открываются при превышении напряжения на аноде некоторого значения, указываемого в параметрах на данный тип прибора. Как было сказано выше, проверка с достижении протекающего тока значения заданного тока удержания — закроется. После такой проверки необходимо ее повторить, изменив полярность приложенного к динистору напряжения. При проверке в качестве источника напряжения переменного тока во избежание опасности поражения следует использовать трансформатор.

Определение структуры и расположения выводов транзисторов, тип которых неизвестен

При определении структуры транзистора, тип которого неизвестен, следует путем перебора (шесть вариантов) определить вывод базы, а затем измерить прямое напряжение на переходах. Прямое напряжение на переходе Б-Э всегда на несколько милливольт выше прямого напряжения на переходе Б-К (при пользовании АММ сопротивление перехода Б-Э в прямом направлении несколько выше сопротивления перехода Б-К). Это связано с технологией производства транзисторов, и правило применимо к обыкновенным биполярным транзисторам, за исключением некоторых типов мощных транзисторов, имеющих встроенный демпферный диод. Полярность щупа мультиметра, подключенного при измерениях на переходах в прямом направлении к базе транзистора укажет на тип транзистора: если это "+" — транзистор структуры п-р-п, если "-" — структуры р-п-р.

Тестирование полевых МОП – транзисторов

Существует несколько разных способов тестирования полевых МОП-транзисторов. Например такой:

Проверить сопротивление между затвором — истоком (3-И) и затвором — стоком (3-С). Оно должно быть бесконечно большим.

Соединить затвор с истоком. В этом случае переход исток — сток (И-С) должен прозваниваться как диод (исключение для МОП-транзисторов, имеющих встроенную защиту от пробоя — стабилитрон с определенным напряжением пробоя).Характерной неисправностью полевых МОП-транзисторов является короткое замыкание 3-И и 3-С. Другим способом является использование двух омметров. Первый включается для измерения между И-С, второй — между И-3. Второй омметр должен иметь высокое входное сопротивление — около 20 МОм и напряжение на выводах не менее 5 В. При подключении второго омметра в прямой полярности транзистор.

откроется (первый омметр покажет сопротивление близкое к нулю), при изменении полярности на противоположную транзистор закроется. Недостаток этого способа — требования к напряжению на выводах второго омметра. Естественно, ЦММ для этих целей не подходит. Это ограничивает применение такого способа тестирования.

Еще один способ похож на второй. Сначала кратковременно соединяют между собой выводы 3-И для того, чтобы снять имеющийся на затворе заряд. Далее к выводам И-С подключают омметр. Берут батарейку напряжением 9 В и кратко временно подключают ее плюсом к затвору, а минусом — к истоку. Транзистор откроется и будет открыт некоторое время после отключения батарейки за счет сохранения заряда. Большинство полевых МОП-транзисторов открывается при напряжении 3-И около 2 В.

При тестировании полевых МОП-транзисторов следует соблюдать особую осторожность, чтобы не вывести его из строя статическим электричеством.

Тестирование светодиодов

Электрическая проверка исправности светодиодов видимого и инфракрасного (ИК) излучения аналогична проверке обычных диодов. Отличие заключается в их более высоком прямом напряжении при тестировании с использованием ЦММ. Типовыми значениями прямого напряжения на переходе являются:

для ИК диодов 1,2 В;

для светодиодов красного свечения 1,85 В;

для светодиодов желтого свечения 2 В;

для светодиодов зеленого свечения 2,15 В;

для светодиодов синего свечения около 3 В.

Это средние значения, которые могут отличаться на 0,5...0,6 В, и способ нельзя назвать надежным при определении цвета свечения светодиода по прямому напряжению на его переходе.

Тестирование оптопар

При подаче напряжения на вывод светодиода фотодиод открывается, и выходное напряжение становится равным 0 В. В закрытом состоянии фотодиода оно равно напряжению источника питания.

При подаче напряжения на вывод светодиода фотодиод открывается, и выходное напряжение становится равным 0 В. В закрытом состоянии фотодиода оно равно напряжению источника питания.

При проверке термисторов следует учитывать их функциональное назначение в тех схемах, где они работают.

Тестирование стабилитронов

Стабилитроны при их проверке с использованием АММ ведут себя как обычные диоды. Проверить их при помощи ЦММ можно только если напряжение стабили зации стабилитрона составляет доли вольта. В противном случае ЦММ показы вает разрыв цепи. Наиболее надежный способ — проверка напряжения стабили зации стабилитрона в схеме (рис. 8.11).

Значение резистора R2 справедливо для стабилитронов с напряжением стабилизации до 20 В. В любом случае рассчитать его несложно, имея под рукой справочник. Iст— справочное значение тока стабилизации:

R = Uист./ Iст

Наиболее часто встречающейся неисправностью является пробой стабилитрона.

Расположение выводов транзисторов

При тестировании транзисторов необходимо знать их расположение выводов. Наиболее точную информацию дает справочник. Однако, если сузить вопрос наиболее часто встречающимися неисправностями транзисторов, то можно сказать, что наиболее часто выходят из строя транзисторы выходных каскадов строчной развертки, выходных каскадов усилителей мощности радиопередающих устройств и транзисторы блоков питания. Транзисторы для выходных каскадов строчной развертки выпускаются в основном в корпусах двух типов: металлическом ТО-3 и пласт массовом — Т О-ЗР. На рис. 8.12 изображено расположение выводов для корпуса ТО-3 (вид снизу) и корпуса ТО-ЗР (вид со стороны маркировки). Следует помнить, что у таких транзисторов, имеющих встроенный демпферный диод сопротивление между Б-Э в обратном направлении будет около 50 Ом, и транзистор считается исправным, если измеренное значение сопротивления составляет не менее 10 Ом. В оконечных каскадах усилителей мощности чаще всего применяются транзисторы в металлокерамических корпусах с крестообразным расположением выводов (рис. 8.13). В некоторых радиоэлектронных приборах в оконечных каскадах усилителей мощности передающих устройств и устройствах электропитания используются транзисторы в корпусах для поверхностного монтажа ( SOT 23, SOT 323 и т.д.). Чаще всего они имеют расположение выводов, изображенное на рис. 8.14. Оно может быть либо нормальным (изображение слева), либо обратным (изображение справа).