Создание плёночных ЗУ позволило увеличить их быстродействие до 10-7с. Но и это оказалось недостаточным для современных ЭВМ. Только используя низкотемпературные джозефсоновские переходы, удалось создать такие элементы памяти, время срабатывания которых достигло порядка 10-10...10-11с, а энергия, выделяемая при переключении, составила 10-17Дж. Развитие тонкоплёночной сверхпроводниковой технологии позволяет реализовать высокую плотность монтажа до порядка 10-5...10-6 элементов на плате. Таким образом имеются все предпосылки для создания мощной ЭВМ с производительностью 1010 операций в секунду и рассеиваемой мощностью менее одного ватта. И хотя на пути ещё немало нерешённых проблем, но уже не за горами то время, когда заработает первая супер - ЭВМ на сверхпроводящих элементах, в том числе и на базе ВТСП.
Работы в области сверхпроводимости дали мощный импульс инженерным и технологическим разработкам и вызвали оживление на рынке сверхпроводниковых материалов и устройств. На семинаре в Хьюстоне, в 1977 г., посвящённом высокотемпературной сверхпроводимости, было заявлено, что следующее десятилетие станет декадой завоевания рынка с перспективой миллионных долларовых доходов от продаж сверхпроводящих устройств.
Таким образом, фундаментальные исследования сверхпроводимости привели к развитию новой области техники - прикладной сверхпроводимости, ставшей одним из решающих факторов научно - технического прогресса.
Список литературы
Журнал "Радио" 1998 г. №10,№11