Біполярні транзистори (стр. 4 из 4)

Вхідний опір каскаду за схемою СК визначається по формулі:

Важливою перевагою даної схеми включення є високий вхідний опір.

4. h-параметри

Система h – параметрів набула широкого поширення, тому що при вимірі цих параметрів потрібне відтворення холостого ходу на вході (I_1=0) або короткого замикання на виході (U_2=0), що легко виконувати. У цій системі параметрів рівняння чотириполюсника записується у вигляді:

Всі h – параметри мають певний фізичний зміст:

– вхідний опір транзистора при короткозамкненому виході.

(

); – коефіцієнт зворотного зв'язку по напрузі при розімкнутому по змінному струмі вході.

(

); – коефіцієнт передачі струму при короткозамкненому виході ( );

– вихідна провідність при розімкнутому по змінному струмі вході ( ).

Зазвичай h - параметри вимірюють при включеннях транзисторів з СБ або СЕ. Зв'язок між h - параметрами для різних схем включення визначається формулами:

;

/(1+ ); ;

- /(1+ ); ;

;

Для найбільше часто використовуваних параметрів (коефіцієнт передачі струму при включенні із СБ і СЕ) уведені додаткові позначення:

=-α; . Залежність між α і β визначається рівнянням β=α/(1-α). Тому що мало-сигнальні параметри вимірюють на низькій частоті (в основному 270 і 1000 Гц), їх можна вважати дійсними величинами.

H - параметри широко використовуються для аналізу транзисторних схем в режимі малого сигналу, оскільки дозволяють застосовувати готові формули теорії лінійних чотириполюсників.

5. Вплив температури на роботу біполярного транзистора

Вплив температури на роботу біполярного транзистора обумовлений трьома фізичними чинниками: зменшенням потенційних бар'єрів в переходах, збільшенням теплових струмів переходів і збільшенням коефіцієнтів передачі струмів із зростанням температури. Зменшення потенційного бар'єру j К із зростанням температури також, як і в ізольованому переході, наводить до посилення інжекції, внаслідок чого збільшується вхідний струм транзистора. Збільшення вхідного струму із зростанням температури еквівалентно зсуву характеристики у бік меншої вхідної напруги. Цей зсув описується температурним коефіцієнтом напруги

який складає для кремнієвих транзисторів e = - 3 мВ/град.

Збільшення теплових струмів переходів із зростанням температури, описується температурними залежностями струмів, що наводяться в довідниках Iкбо, Iебо.Типові залежності струмів Iкбо і Iебо від температури для кремнієвого малопотужного транзистора.