Физика полупроводников (стр. 2 из 6)

— — —, классический и квантовый критерии 340, 351

— — слабое 93, 94, 95, 337, 338, 341, 347 Маджи — Риги — Ледюка эффект 100

Максвелла — Больцмана распределение 35, 227, 239, 328, 347

— закон распределения для скоростей 15

Масса эффективная 24, 27, 35, 42, 120, 212, 213, 214, 277, 331, 392, 427 Мелкие уровни 120

Металлическая связь 144, 147

Металлы 13, 16, 18, 58—62, 78, 176, 237, 242, 298

—, схема валентной зоны 16

— щелочно-земельные 17, 238

— щелочные 16, 34, 199, 237

Миллеровские индексы 163

Модуль .сжимаемости 49

Невырожденное состояние электронного газа 30, 31, 35, 44, 77, 81, 227, 277

Неопределенностей соотношения Гейзенберга 124, 162 Неопределенности принцип 123—128, 175, 249 Непрерывности уравнение 378—379, 389

Нернста — Этингсгаузена эффекты 98—100, 356—358, 423

Обратная решетка 158, 203, 205, 210

— —, вектор 161, 200, 203, 321, 322

— —, — базисный 162

Обратное пространство 159, 161, 162, 198, 210

— —, основная (или приведенная) область 160, 161

— —, элементарная ячейка 160

Обращенный диод 364, 397

Объемный заряд 62, 64

Одноэлектронное приближение 194—198, 209 Паули принцип 13, 56, 126, 175, 196, 199

Пельтье явление 63, 75, 76, 79, 292, 293, 300, 303

— коэффициент 76, 81, 82, 303

— теплота 80

Переноса явления 244—292, 413 — —, феноменологический анализ 270—271 Переход p-i-n 393—396

— электронно-дырочный 70, 71, 280, 362, 363, 366, 378—399, 423, 437, 440

— — на границе полупроводник — металл 65, 66

— — толстый, тонкий 72, 392—396

Переходы (носителей) — см. также «рекомбинация»

— безызлучательные 104, 194

—«вертикальные» 256, 405

— межзонные (прямые) 107, 108, 404—407, 435

—«непрямые» 406, 407, 435, 436

— при столкновениях горизонтальные, вертикальные 313—314

Пи-подход (в теории термоэлектричества) 294, 302

Писаренко формула 82

Плотность состояний (электронных) 28, 32, 33, 42, 227— 229, 308, 339, 382, 417, 418

Поглощение (излучения, света) 107, 400—409

— отрицательное 431, 432

— примесное 107, 108, 110

— свободными носителями 106, 112, 402—404, 435

— собственное (фундаментальное) 107, 109, 409

— —, красная граница 410

—, спектр 107, 408

—.спектральное распределение 409

— экситонное 111, 407—410 Подвижность ионов 173, 174

Подвижность носителей тока 19, 36, 245, 256, 257, 260, 403, 410

— — —, температурная зависимость 19, 256, 261

— — —, экспериментальное определение 88, 97, 356

— —, зависимость от электрического поля 279—284

Полупроводники 13, 18

— вырожденные (см. также вырождение) 35, 89, 227, 357, 407

— ковалентные 41, 89

— невырожденные 40, 41, 92, 237, 418

— примесные 20, 31

— — дырочные 23, 24, 36, 232

— —электронные 21, 31,35, 232

— с атомной решеткой 96, 98

— с ионной решеткой 41, 89, 96, 97

— собственные 20, 32

Полярон 192—194, 249

Потенциал ионизации (ионизационный) 11, 55, 56, 145—147, 166

— решетки периодический— 195—198, 200—206, 210, 214, 412

— химический (см. также уровень Ферми) 222, 223

— — приведенный 226, 241, 304

— —, уровень 33, 35, 57, 58, 71, 78, 80, 166, 227, 241, 294, 309, 381, 396, 431

— электростатический 157, 222

Поток тепла 46, 98, 245, 318, 321, 326, 355

—энергии 245, 270, 329

Преломления показатель (коэффициент) 112, 400, 401

Приближение почти свободных электронов 198—206

— сильно связанных электронов 206—209

Прилипание (см. также ловушки) 414

—, уровень 105

Прицельное расстояние 248, 258

Проводимость ионная 171— 175

Процессы нормальные («N» при фонон-фононных взаимодействиях) 321, 323, 326

— переброса (umclapp) 321— 324, 326

Работа выхода 55—58, 62, 64, 70, 78, 373

Распределение фононов — см. Бозе

— — неравновесное 322, 323, 325, 329

— электронов по волновым векторам 266

— — — — —, неравновесная добавка 269—270, 296

— — — — —, — функция 266, 270, 315

— — — скоростям 262, 263, 344 — — — —, изменение под

действием градиента температуры 313, 314

— — — —, — — — электрического поля 262, 263, 312, 313, 344

— — — —, неравновесное 263—265, 312, 313, 345

Рассеяние фононов 319

— — на фононах 319, 321, 324

— электронов 39

— — межзонное 310

— — на дефектах решетки 39, 245, 247, 314

— —на тепловых колебаниях решетки 40, 54, 81, 89, 261. 263, 274—278, 281, 282, 316

— — примесное 40, 81, 89, 97, 248, 251, 258, 261, 263, 271—274, 277, 281, 282, 394 Рекомбинация 18, 45, 72, 74, 101, 104, 363,378,392,397, 413—421, 426

— безызлучательная 104

—, вероятность 102, 106

— излучательная 104

— квадратичная 414

— линейная 414

— поверхностная 72, 409,424, 426,

— прямая (межзонная) 101, 104. 105

— ударная 106

— через центры 101, 104, 105. 416

— экситона 112

Риги — Ледюка эффект 98, 355—356 Симметрия кристалла 198

— трансляционная 111, 157, 158, 192, 193, 198, 209—211 Скорость дрейфа электронов 37, 38, 69

— теплового движения электронов 37, 39, 40, 78 — — — — средняя 43, 68, 254, 279

Скрещенные электрическое и магнитное поля 334, 335

Слой объемного заряда 63, 71, 383

— — — на контакте металл — полупроводник 64

— — —, толщина 380

Столкновение 248—251

Столкновения, вероятность 219, 246

— межэлектронные, неупругие, упругие, почти упругие 251, 252, 254—258, 268, 269,283, 284, 314—316

Столкновения фононов с дефектами, с фононами 54, 219, 320

— — — —, 2-3-и 4-фононные 320

—, частота 219, 246

— электронов сфононами 54, 251, 253, 254, 258

Тепловое возбуждение электрона 15, 20

— — —, частота следования 15, 18

Теплоемкость решетки 43, 49, 50, 52, 184—189, 317 — фотонная 329

— электронного газа 44, 311

Теплопроводность 244, 256, 270, 271

— решеточная 14, 43, 46— 49, 219, 317—329, 351

— фотонная 311, 329—330

— электронная 43—44, 46, 257,264,311—316, 351, 356

— —, отношение к электропроводности 44, 45

Термомагнитные коэффициенты 257, 270

Термомагнитные явления 83, 85, 98—100, 244, 331, 334, 355—357 Термоэлектрические явления 75, 76, 78, 82, 100,244, 264 292—311,315, 351,422— 423

Томсона коэффициент 77

— соотношения 76—77

— теплота 77

— явление 75, 77, 79

Туннельный диод 165, 280, 286, 364, 396—399

— эффект 11, 59, 62, 66, 193, 285, 363, 368, 373, 392, 396

Увлечение электронов фононами 299—304

Уровень (энергетический) см. энергетический

Уровень Ферми (см. также потенциал химический) 33, 34, 59, 71, 80, 81, 105, 433

— — в невырожденном полупроводнике 82, 229—232, 234

— — в невырожденном полупроводнике, температурная зависимость 35, 36,232, 233

— —, температурная зависимость 35, 36 Фазовая скорость 177, 179, 180, 253

Фазовое пространство 265—267, 328

Ферми — Дирака статистика 199, 431

— интегралы 241, 243, 299

— поверхность 314, 339, 342

— распределение 32—34, 224—226, 328, 417, 431

Фонона энергия 53, 104, 118, 253—255

Фононы 49, 54, 104, 118, 186, 187, 255, 299—303, 317, 318, 324, 405—407 —, групповая скорость 317

Фотовольтаические эффекты 421—426

Фотодиод 425, 426

Фотоионизация 384

Фотоноситель 100, 413, 421

Фотопроводимость 100—103, 108, 409—421

— примесная, собственная 410—412

— стационарная 103

Фоточувствительность 107, 109, 110, 409, 410

Фото-э. д. с. 421

Фотоэффект 100, 109

— вентильный 423—426

—, квантовый выход 423

—, красная граница 410

— примесный 409

—«собственный» 409

Фундаментальное поглощение, см. поглощение Химическая связь 143—147

Холла постоянная 87—91, 347, 349—352

— э. д. с. 90, 341, 349

— эффект 86, 92, 341—352, 356

Холловское поле 87, 90, 91, 346, 351, 354

Центр рекомбинации примесный 101, 105, 110

Цепочка двухатомная 180—182

Циклотронный резонанс 334, 426—430

Шокли — Рида статистика рекомбинации 416—421 Шредингера уравнение 128—134, 190, 274

— — для нестационарных процессов 131—138

— — для электронов в адиабатическом приближении 192

— — — — в одноэлектронном приближении 195

— — невозмущенное 135

Эйнштейна соотношение 69, 174, 370

Экситоны 106, 111,196,407— 409

Экстракция 75

Электрическое поле сильное 278-291, 362

Электронный газ, вырожденное состояние 30—32, 34, 237—239, 256, 262, 406, 407, 435

— —, невырожденное состояние 30, 31, 35, 44, 77, 81, 227, 238, 239, 256, 262, 299 — — невырожденный, статистика (для полупроводников) 226—231 — —, плотность 36

Электронный газ, сохранение теплового равновесия с кристаллом 257

Электрон-фононное взаимодействие 255

Электрохимический потенциал 79, 224, 293 Элементарная ячейка — см. ячейка

Эллипсоид энергии 216

Энергетический уровень захвата 416

— — электрона в кристалле 236

Энергетический спектр электронов в кристалле 10—13, 20, 209, 236, 244, 249

Энергия активации 11, 19, 27, 31, 172, 339, 341, 407

— —оптическая 410, 412,413

— — примесных электронов 22, 35, 120, 166, 233, 287, 368, 373

— — термическая 410, 412, 413

— тепловых колебаний атомов кинетическая средняя 49, 52

— — — — потенциальная средняя 50

— электронов в направленном потоке средняя 40, 80, 81, 293

— — тепловая (кинетическая) средняя 40, 242—243

Эттингсгаузена эффект 91, 92, 349—351

Ячейка (решетки кристаллической) элементарная 111, 152—155, 157, 160, 183