В настоящий момент ГП "Завод имени В.А. Малышева" выпускает следующие виды продукции:
Тяжелая бронетехника:
- основной боевой танк "Оплот";
- БРЕМ-84 (бронированная ремонтно-эвакуационная машина);
- модернизация танков Т-64 до вида "Булат" (по защите, огневой мощи, подвижности);
Легкая бронетехника:
- бронетранспортеры БТР-3, БТР-4;
- многоцелевое защищенное транспортное средство БТР "Дозор-Б";
- модернизация легкой бронетехники (БТР-60/70, БМП-2 по огневой мощи, подвижности);
- боевые модули для легкой бронетехники, (БАУ-23, "Гром", «Парус»).
Дизельные двигатели серии ТД для тяжелой и легкой бронетехники.
Это двухтактные многотопливные дизели с высоким наддувом, жидкостным охлаждением, непосредственным впрыском топлива, противоположно движущимися поршнями, горизонтальным расположением цилиндров, в 3,5 и 6 цилиндровом исполнении. Отличительными особенности данных двигателей являются малые размеры при высокой габаритной мощности. Многолетняя войсковая эксплуатация указанных дизелей в составе танков подтверждает их высокую надежность и долговечность (особенно при работе с высокой температурой окружающего воздуха более 55 0С.) Двигатели серии 5ТД и 6ТД предназначены для применения в тяжелой бронетехники обеспечивают мощность от 700 до 1400 л.с. Они устанавливаются в танках Т-80УД, ОПЛОТ, модернизированных Т-72 и Т-55.
Для модернизации легкой бронетехники и применения в машинах нового поколения разработан мощностной ряд двигателей серии 3ТД, обеспечивающий мощность от 280 до 600 л.с.
Они используются как в новых разработках – БТР-4, так и для модернизации техники, выпущенной в бывшем СССР и состоящем на вооружении многих стран – БТР-50 (аналог ТОПАЗ), БМП-1, БМП-2.
Тепловозные дизеля.
Взамен выработавших свой ресурс дизелей 10Д100 на тепловозах ТЭ10, ГП "Завод имени В.А. Малышева" предлагает усовершенствованный дизель-генератор 10Д100М1Б, позволяющий увеличить межремонтные пробеги тепловозов в 1,75 раза, ресурс до капитального ремонта – в 1,25 раза, снизить среднеэксплуатационный расход топлива на 5%.
Для ремонтов штатных дизелей 10Д100 и Д50 завод производит запасные части в широком ассортименте.
В настоящее время наше предприятие разработало, освоило и выпускает унифицированный мощностной ряд дизелей Д80.
В основу разработки заложено:
-внедрение достижений по развитию двигателестроения;
-повышение надежности и моторесурса;
-улучшение среднеэксплуатационного расхода топлива и масла;
-улучшение экологических показателей.
Для нужд железнодорожного транспорта выпускаются:
-4Д80Б (для модернизации тепловозов ЧМЭ3) - мощностью 1350 л.с.;
-10Д80А мощностью 800 л.с для нового тепловоза ТЭМ103.
Для промышленного транспорта разработан двигатель 11Д80Б (ТГМ4) мощностью 750 л.с.
Одним из важнейших и приоритетных направлений деятельности завода является развитие производства нефтегазового оборудования.
Среди них – использующий принципиально новую технологию комплекс машин для ремонта трубопроводов без подъема трубы, в составе:
-МПРГ-1М – машины послойной разработки грунта;
-МВТ-1М - машины для вскрытия трубопроводов;
-МПР-1М – машины подкапывающей роторной;
-МП – машины подбивочной.
Комплекс предназначен для скоростного выполнения земляных работ при капитальном ремонте газо- и нефтепроводов, а также для выполнения ремонтно-восстановительных работ после аварий на трубопроводном транспорте. Использование комплекса машин позволяет выполнять ремонтные работы без подъема трубы из грунтового ложа, исключить осадку трубопровода после ремонта относительно линии исходного залегания. Темп выполнения работ при ремонте трубопроводов - до 100 пог.м/ч. Благодаря автоматизации процесса ремонта трубопровода, существенному улучшению качества выполнения работ комплекс окупается в течение 1 года.
Также завод выпускает запчасти для бурового оборудования в ассортименте (клиньевой захват, буровые ключи (гидравлический, пневматический, механический), валы карданные, запчасти для буровых насосов и лебедок и др.);
Данные комплексы успешно применяется как на горнодобывающих предприятиях Украины и стран СНГ, так и на предприятиях дальнего зарубежья. Комплексы БШК-2ДМ поставлялись в Китай, Чехию.
Когенерационные установки (электростанции), разработанные ГП "Завод имени В.А. Малышева" на базе газового двигателя 11ГД100М агрегатной мощностью 1700 кВт (электрическая мощность – 1000 кВт, тепловая мощность – 700 кВт), используют газообразное топливо (природный газ, биогаз, попутный газ, шахтный газ). Данные электростанции способных вырабатывать кроме электроэнергии тепловую энергию в виде пара и (или) горячей воды, холод, производить углекислый газ, что еще больше повышает рентабельность их эксплуатации. Их рационально и эффективно использовать для нужд энергоснабжения инфраструктуры промышленных и коммунальных предприятий, отопления и освещения поселков газовиков.
Предприятие располагает мощным многопрофильным заготовительным производством. Оно представлено следующими основными направлениями:
-Литейное производство: чугунное, стальное. цветное
-Кузнечнопрессовое производство.
-Механическое производство: радиаторы, трубопроводы, штуцера, пружины, валы, втулки, оси, шестерни, болты, гайки, резинотехнические изделия, инструмент.
Принципы технологии
На вход технологии поступают пластины, называемыми подложками. Состав материала подложек, кристаллическая структура (вплоть до межатомных расстояний в подложках для современных процессоров) и кристаллографическая ориентация строго контролируются. В ходе технологического процесса в приповерхностном слое полупроводникового материала, являющегося подложкой или нанесённого на подложку, создают области с различным типом или величиной проводимости, определяемой в конечном счёте различной концентрацией донорных и акцепторных примесей, а также материалом слоя. Поверх слоя полупроводникового материала, с использованием в нужных местах прослоек диэлектрического материала, наносятся слои проводящего материала, образующего контактные площадки и необходимые соединения между областями. Области и слои проводника, полупроводника и диэлектрика в совокупности образуют структуру полупроводникового прибора или интегральной микросхемы.
Особенность планарной технологии состоит в том, чтобы после завершения каждой технологической операции восстанавливается плоская (планарная) форма поверхности пластины, что позволяет создавать достаточно сложную структуру, используя конечный набор технологических операций.
Планарная технология обеспечивает возможность одновременного изготовления в едином технологическом процессе огромного числа дискретных полупроводниковых приборов или интегральных микросхем на одной подложке, что позволяет существенно снизить их стоимость. Также в случае изготовления на одной пластине идентичных приборов параметры всех приборов оказываются близкими. Ограничителем является только площадь подложки, поэтому диаметр подложек по мере развития технологий производства подложек стремятся увеличивать.
Для контроля качества выполнения промежуточных операций на подложке, как правило, выделяют несколько малых областей (обычно в центре и на периферии), на которых в ходе штатного технологического процесса формируются тестовые проводящие дорожки и элементарные приборы (конденсаторы, диоды, транзисторы и т.п.). В этих же областях формируют контактные площадки относительно большой площади для тестирования годности пластин перед скрабированием (разделением на отдельные приборы). Для совмещения изображений при фотолитографии также в специально выделенной области формируются знаки совмещения, подобные тем, какие можно встретить на многоцветной печатной продукции.
Основные технологические операции (литография)
Основные технологические операции, используемые в планарной технологии, основаны на процессе литографии: используются электронная литография, ионная литография, могущие быть сканирующми и проекционными; фотолитографии могущая быть оптической (стандартная λ=310-450нм или в глубоком ультрафиолете λ=200-300нм) и рентгеновской(λ=0,1-10нм), которые, в свою очередь, могут быть контактными, бесконтактными, на микрозазоре и проекционными. Также может быть ограниченно применён метод радиационно-стимулированной диффузии.
Технологическая цепочка состоит из серии циклов (до нескольких десятков), включающих в себя следующие основные операции (в порядке следования):
подготовка подложки: применяется механическая и химическая полировка для получения плоской поверхности без механических дефектов (выполняется 1 раз, при поступлении подложки в техпроцесс);
формирование на поверхности подложки слоя необходимого материала с заданной структурой: эпитаксиальное наращивание, осаждение диэлектрических или металлических плёнок (операция выполняется не в каждом цикле)(этому процессу может предшествовать оксидирование, фотолитография и диффузия под захоронёный n+ слой, являющийся необходимым элементом при создании схемы на биполярных транзисторах с коллекторной изоляцией, с комбинированной изоляцией(изопланар-1,2; полипланар) и не необходимым, но желательным в других структурах биполярных транзисторов (для снижения сопротивления коллектора и повышения быстродействия);
создание на поверхности подложки защитного слоя: в случае кремниевых подложек для этого используется окисление поверхности, в случае других подложек может использовать эпитаксиальное наращивание слоя диоксида или нитрида кремния либо другого материала с низким коэффициентом диффузии легирующих примесей Толщина слоя подбирается так, чтобы за время, необходимое для создания легированной области необходимой конфигурации в подложке, легирующий элемент не достиг подложки сквозь защитный слой;