Система моделювання Electronics Workbench (стр. 2 из 10)
- створити бібліотеку, наприклад, під ім'ям rus_lib;
- скопіювати в цю бібліотеку модель компонента, найбільш близького по параметрах до вітчизняного компонента;
-перейменувати скопійовану модель, привласнивши їй, наприклад, ім'я K140UD5 (латинська транскрипція ДО140УД5);
-при необхідності відредагувати значення параметрів перейменованої моделі, використовуючи дані каталогів вітчизняних мікросхем або літературних джерел [4 — 11].
7. Zoom (CTRL+Z) — розкриття (розгортання) виділеної підсхеми або контрольно-вимірювального приладу, команда виконується також подвійним клацанням миші по іконці компонента або приладу.
8. Rotate (CTRL+R) — обертання виділеного компонента; більшість компонентів повертаються по годинній стрілці (у EWB 5.0 — проти) на 90° при кожному виконанні команди, для вимірювальних приладів (амперметр, вольтметр і ін.) міняються місцями клеми підключення; команда використовується при підготуванні схем. У готовій схемі користуватися командою недоцільно, оскільки це найчастіше приводить до плутанини, — у таких випадках компонентів потрібно спочатку відключити, а потім обертати.
9. Fault (CTRL+F) — імітація несправності виділеного компонента шляхом введеня:
Leakage — опору витоку;
Short — короткого замикання;
Open — обриву;
None — несправність відсутня (включена за замовчуванням).
10. Subcircuit... (CTRL+B) — перетворення попереднє виділеної частини схеми в підсхему. Виділювана частина схеми повинна бути розташована таким чином, щоб у виділену область не потрапили не стосовні до неї провідники і компоненти. У результаті виконання команди викликається діалогове вікно, у рядку Name якого вводиться ім'я підсхеми, після чого можливі наступні варіанти:
Copy from Circuit — підсхема копіюється з зазначеною назвою в бібліотеку Custom без внесення змін у вихідну схему;
Move from Circuit — виділена частина вирізує з загальної схеми й у виді підсхеми з привласненим їй ім'ям копіюється в бібліотеку Custom;
Replace in Circuit — виділена частина заміняється у вихідній схемі підсхемою із привласненим їй ім'ям з одночасним копіюванням у бібліотеку Custom.
Для перегляду або редагування підсхеми потрібно двічі клацнути мишею по її значку. Редагування підсхеми виробляється за загальними правилами редагування схем. При створенні додаткового висновку необхідно з відповідної крапки підсхеми курсором миші простягнути провідник до краю її вікна до появи незафарбованої прямокутної контактної площадки, після чого відпустити ліву кнопку миші. Для видалення висновку необхідно курсором миші схопитися за його прямокутну площадку в краю вікна підсхеми і винести її за межі вікна.
Як приклад на мал. 1.7. приведена підсхема sensor підсилювача, що неінвертує, на ОП, використовуваного у фільтрі (див. мал. 1.22). Тут доречно відзначити, що введення в підсхему "землі" недоцільно, оскільки при великій кількості таких підсхем сповільнюється процес моделювання. Тому в схемі на мал. 1.7 для резистора R передбачений окремий висновок, що у схемі фільтра на мал. 1.22 заземлюється.
Мал.1.7. Підсхема сенсор.
Мал.1.8.Вибір кольору провідника.
Мал.1.9.Вибір елементів оформлення схеми.
11.Wire Color... — зміна кольору попередньо виділеного провідника (виділений провідник товщає). Більш простий спосіб виконання команди — подвійний щиглик мишею на провіднику, після чого в меню (мал. 1.8) вибирається один із шести пропонованих кольорів. Необхідність розцвічення особливо важлива для провідників, що з'єднують контрольні крапки (вузли) схеми з осцилографом або логічним аналізатором, — у цьому випадку колір провідника визначає колір осцилограми.
12.Preferences... (CTRL+E) — вибір елементів оформлення схеми відповідно до меню (див. мал. 1.9), у якому опції мають наступні призначення:
Show grid — показувати сітку для зручності малювання схеми (за замовчуванням ця опція виключена, інші включені); опція активна тільки при включеній опції Use grid — використовувати сітку;
Show labels — показувати позиційні позначення компонентів, наприклад, Cl, C2 для конденсаторів;
Show models — показувати найменування моделей компонентів, наприклад, типів транзисторів;
Show values — показувати номінали компонентів, наприклад, опору резисторів.
Слід зазначити, що в програмі EWB 3.0 у розглянутій команді можна було використовувати пароль. Наприклад, висновок на екран номінальних значень компонентів або їхніх типів можливий тільки при знанні пароля. А це дозволяло, у свою чергу, навмисно вводити сховані в такий спосіб несправності компонентів і відпрацьовувати учнями навички їхнього пошуку.
Мал.1.12. Вікно вибору режимів моделювання.
13. Analysis Options... (RL+Y) — вибір режимів моделювання в діалоговому вікні (див. мал. 1.12) з установкою наступних опцій:
Transient — розрахунок перехідних процесів після включення джерела живлення (результати представляються на екрані осцилографа в графічному виді);
Steady-state — розрахунок стаціонарного режиму схеми (режиму по постійному струмі);
Assume linear operation — при розрахунку прийняти лінеаризовану модель активних компонентів (Active Component Simulation);
Pause after each screen — пауза після заповнення екрана осцилографа (Oscilloscope Display);
Store results for all nodes — збереження (запам'ятовування) результатів моделювання для всіх контрольних крапок (вузлів) схеми;
Tolerance — завдання припустимої похибки моделювання (за замовчуванням 1%); чим менша похибка моделювання, тим більша витрати часу на моделювання;
Time domain points per cycle — вибір кількості відрахунків відображуваного на екрані осцилографа сигналу (за замовчуванням — 100 крапок на період, може бути збільшене у 100 разів). Зі збільшенням кількості відрахунків форма сигналу розраховується більш точно при одночасному уповільненні процесу моделювання; у деяких випадках занижене (установлене за замовчуванням) значення параметра може привести до істотних перекручувань результатів моделювання;
Bode Analysis points per cycle — вибір кількості розрахункових крапок для відображення результатів моделювання на екрані вимірника амплітудно-частотних і фазово-частотних характеристик; збільшення кількості крапок дозволяє зменшити похибку від дискретності установки візирної лінійки по осі X (осі частот).
Temporary file size for simulation [Mb] — розмір тимчасового файлу для збереження результатів моделювання (за замовчуванням 10 Мбайт), при необхідності може бути змінений.
Меню Circuit у п'ятої версії EWB помітно відрізняється від розглянутого. Відмінності полягають у наступному:
1. Виключено команди по пп. 1, 2 і 3, вони перенесені в меню Analysis і можуть виконуватися також натисканням кнопок
, 
.2. Уведено додаткові команди керування розташуванням графічного зображення компонентів: Flip Horizontal — дзеркальне відображення компонента по горизонталі і Flip Vertical — те ж, але по вертикалі. Команди Rotate, Flip Horizontal і Flip Vertical можуть бути виконані також натисканням кнопок
.Введені доповнення дуже корисні, оскільки істотно розширюють можливості оформлення схем. Наприклад, у версіях 3.0 і 4.1 не вдавалося відповідним чином розташувати на схемі транзистори, конденсатори перемінної ємності й інші компоненти у відповідності зі стандартами. Як приклад на мал. 1.13 приведені результати застосування зазначених команд для перетворення графічного зображення конденсатора перемінної ємності: на мал. 1.13, а — зображення конденсатора у вихідному стані, на мал. 1.13, б — після застосування команди Rotate (поворот на 90 проти годинниковох стрілки), на мал. 1.13, у — після застосування команди Flip Horizontal (дзеркальне відображення по горизонталі) і на мал. 1.13, м — після застосування команди Flip Vertical (дзеркальне відображення по вертикалі).
а)б)в) г)
3. Команди по пп. 4, 5 і 6 об'єднані в команду Component Properties (властивості компонента). Команда виконується також після подвійного клацання по компоненту або натискання кнопки
, При виконанні команди відкривається діалогове вікно (мал. 1.14) з декількох закладок. Зміст закладки Label відповідає команді по п. 4 за винятком рядка Reference ID: у ній вказується позиційне позначення компонента, використовуване надалі при виконанні команд меню Analysis. При виборі закладки Value задаються номінальний опір компонента (резистора), значення лінійного(ТС1), квадратичного (ТС2), температурних коефіцієнтів опору. З обліком цих параметрів дійсний опір резистора Rд визначається вираженням [2]:RД =R(1+ТС1(Т-Тn)+ТС2(Т-Тn)2)
де R — номінальний опір резистора; Tn= 27C — номінальна температура; Т — поточне значення температури резистора.
Мал.1.14. Діалогове вікно командиComponent (закладкаFault).
При виборі закладки Fault (мал. 1.14, а) приводяться умови моделювання по п. 9 і набір висновків компонента з опцією на кожен висновок, що дозволяє вибірково імітувати ту або іншу несправність. Наприклад, якщо потрібно імітувати порушення контакту висновку 1 резистора, то в цьому випадку включаються опції 1 і Open (відкрита — обривши). Уведення таких дефектів у схему дозволяє відпрацьовувати учнями навички пошуку і локалізації несправностей.