jz0 - плотность тока рекомбинации носителей заряда
l0 - ширина р-n перехода.
ln0 (lp0) - ширина n (p) -области p-n-перехода
Ls - дебаевская длина
N - результирующая концентрация примеси
n (p) - концентрация электронов (дырок) в полупроводнике
n0 (p0) - равновесная концентрация электронов (дырок) в полупроводнике
Na (Nd) - концентрация акцепторной (донорной) примеси.
ni - собственная концентрация носителей заряда
nn (np) - концентрация электронов в n (р) области
nno (npo) - равновесная концентрация электронов в n (р) области
NЭ (NБ) - абсолютная величина результирующей примеси в эмиттере (базе)
P(x) - распределение плотности объёмного заряда
pp (pn) - концентрация дырок в р (n) области
ppo (pno) - равновесная концентрация дырок в р (n) области
pЭ (pБ) - плотность объёмного заряда
q, e - заряд электрона
T - температура окружающей среды
Vk - энергия контактного поля
Ε - напряженность электрического поля
ε - относительная диэлектрическая проницаемость полупроводника
ε0 - диэлектрическая постоянная воздуха
μn (μp) - подвижность электронов (дырок)
τε - время диэлектрической релаксации
φ - электрический потенциал
φk - контактная разность потенциалов
φT - температурный потенциал
БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННОЙ
ЛИТЕРАТУРЫ.
1. Анималу А. Квантовая теория кристаллических твердых тел. –М.: Мир, 1981;
2. Блейкмор Дж. Физика твердого тела. –М.: Мир, 1988;
3. Гранитов Г.И. Физика полупроводников и полупроводниковые приборы. –М.: Сов. радио, 1977;
4. Гусев В.Г., Гусев Ю.М. Электроника: Учебное издание. –М.: Высшая школа, 1991;
5. Давыдов А.С. Квантовая механика. –М.: Физматгиз, 1963;
6. Савельев И.В. Курс общей физики. В 3 т. –М.: Наука, 1979. Т.3;
7. Фистуль В.И, Введение в физику полупроводников. –М.: Высшая школа, 1984;
8. Электроника. Энциклопедический словарь. –М.: Советская энциклопедия, 1991.
9. Березин и др. Электронные приборы СВЧ. –М. Высшая школа 1985.
[1] Антизапирающим называют приконтактный слой, обогащённый свободными носителями заряда.
[2] Отношение изменения концентрации носителей заряда к расстоянию на котором это изменение происходит называется градиентом концентрации: gradn = ∆n/∆x = dn/dx
[3] Диффузионным током называют ток, вызванный тепловым движением электронов.
[4] Ток, созданный зарядами, движущимися в полупроводнике из-за наличия электрического поля и градиента потенциала называется дрейфовым током.
[5] Отсутствие вырождения характеризует существенная концентрация носителей заряда собственной электропроводности.