Смекни!
smekni.com

Емкость резкого p-n перехода (стр. 1 из 6)

ПЕНЗЕНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ

Кафедра микроэлектроники

Курсовая работа

по курсу ФОМ

Тема

Емкость резкого p-n перехода

г. Пенза, 2005 г.


Содержание

Задание

Обозначение основных величин

Основная часть

1. Расчет собственной концентрации электронов и дырок

2. Расчет контактной разности потенциалов

3. Расчет толщины слоя объемного заряда

4. Расчет барьерной емкости

Список используемой литературы

Задание

1. Вывести выражение для емкости резкого p-n перехода в случае полностью ионизированных примесей

2. Рассчитать величину барьерной емкости резкого p-n перехода при 300 К и напряжении V. Считать что примеси полностью истощены, а собственная проводимость еще очень мала.

3. Построить график зависимости барьерной емкости от температуры.

4. Составить программу вычисления значений барьерной емкости для графика.

Полупроводник Ge
V ,В 0
Nd ,см
1,0
10
Na ,см
1,0
10
S ,мм
0,15

Обозначение основных величин

DE – ширина запрещенной зоны.

[DE] =1,8

10
Дж=1,13 эВ.

e

– электрическая постоянная.

e

=8,86
10
.

– подвижность электронов.

[

]=0,14 м
/(В
с)

– подвижность дырок.

[

]=0,05 м
/(В
с)

m

– эффективная масса электрона.

m

=0,33
m
=0,33
9,1
10
=3,003
10
кг

m

– эффективная масса дырки.

m

=0,55
m
=0,55
9,1
10
=5,005
10
кг

m

– масса покоя электрона.

m

=9,1
10
кг.

– время релаксации электрона.

=2
10
с.

– время релаксации дырки.

=10
с.

S – площадь p-n перехода.

[S]= 10

мм

n

– собственная концентрация электронов.

[n

]=м

p

– собственная концентрация дырок.

[p

]=м

N

– эффективное число состояний в зоне проводимости, приведенное ко дну зоны.

[N

]=м

N

– эффективное число состояний в валентной зоне, приведенное к потолку зоны.

[N

]=м

k – константа Больцмана.

k = 1,38

10
.

Т – температура.

[T]=K.

- число Пи.

=3,14.

h – константа Планка.

h = 6,63

10
Дж
с.

V

–контактная разность потенциалов.

[V

]=B.

j

– потенциальный барьер.

[j

]=Дж или эВ.

q – заряд электрона.

q=1,6

10
Кл.

n

– концентрация донорных атомов в n-области.

[n

]=[N
]=2,0
10
м

p

– концентрация акцепторных атомов в p-области.

[p

]=[N
]=9,0
10
м