Цифровые интегральные микросхемы Микроэлектроника - (стр. 19 из 19)
тогда
.Полученные ограничения на Δta предъявляют очень жесткие требования к быстродействию АЦП. В быстродействующих АЦП данная проблема решается путем применения устройств выборки-хранения (УВХ). УВХ запоминают уровень преобразуемого сигнала в точке t1 (рис. 89) и хранит этот уровень до момента t2 . Это позволяет существенно уменьшить аппертурную ошибку, а аппертурное время АЦП увеличить до величины практически равной интервалу дискретизации.
10.3.2 Структура микроэлектронных АЦП
В полупроводниковых АЦП наибольшее распространение получили три известных принципа преобразования:
·последовательного счета;
·поразрядного кодирования (последовательного приближения);
·параллельного преобразования.
АЦП последовательного счета
Простейший АЦП данного типа и его временная диаграмма представлены на рис. 90.
АЦП состоит из компаратора, ЦАП, двоичного счетчика, выходного буферного регистра. После команд СБРОС и ПУСК, подаваемых на АЦП, импульсы тактового генератора начинают увеличивать показания счетчика, а, следовательно, и выходной сигнал ЦАП Χ(t) ступеньками по Δx. Компаратор определяет разницу между Χ и Α. Если окажется, что Χ – Α > 0, компаратор вырабатывает сигнал СТОП, счетчик останавливается и индицирует двоичный код, эквивалентный входному сигналу Uвх = Α. Недостатком такой схемы АЦП является ее низкое быстродействие, зависящее от величины входного сигнала.
а бРис. 90. Структура АЦП последовательного счета – а, временная диаграмма – б
Например, пусть fT = 10 мГц и число разрядов счетчика N = 12. Максимальное число импульсов заполнения счетчика
, тогда максимальная частота отсчетов входного сигнала составит Fотсч ≤ fT/K ≈ 107/(4 · 103) = 2,5 · 103 Гц, а высшая частота в спектре входного сигнала не может превысить Fв ≤ 1,25 · 103 Гц.АЦП последовательного приближения
Упрощенная схема АЦП последовательного приближения приведена на рис.91.
После пуска схемы первым тактовым импульсом регистр памяти (РП) устанавливает старший разряд ЦАП в единицу. При этом, если Uвх > UЦАП, то компаратор подтверждает состояние РП и ЦАП. Следующим тактовым импульсом единица устанавливается в следующим за старшим разряде. Если окажется, что Uвх < UЦАП , последняя установленная в ЦАП единица заменяется компаратором на ноль, и очередная единица записывается в последующий разряд. Описанные выше действия повторяются до N-го младшего разряда. Таким образом, после N тактов сравнения Uвх и UЦАП, в регистре памяти сформируется N-разрядный двоичный код, который является цифровым эквивалентом входного аналогового сигнала.
Рис. 91. Схема АЦП последовательного приближения
В такой структуре АЦП полное время преобразования составит N · ΔT, где ΔT длительность одного такта.
При той же частоте тактового генератора fT = 10 мГц и разрядности ЦАП N = 12 преобразование будет выполнено за 12 периодов fT, т. е. частота отсчетов входного сигнала достигнет Fотсч = fT/12 = 107/12 = 830 кГц, а высшая частота преобразуемых сигналов FВ ≈ 400 кГц.
АЦП параллельного преобразования
Повысить скорость преобразования в АЦП можно используя параллельный набор возможных значений эталонного напряжения вместо их последовательного чередования, характерного для обоих рассмотренных выше принципов преобразования.
Упрощенная структура АЦП параллельного преобразования приведена на рис. 92.
Основным элементом N-разрядного АЦП являются 2N – 1 компараторов напряжения. На один из двух входов каждого компаратора подается свое опорное напряжение, формируемое резистивной матрицей. Разность между опорными напряжениями двух соседних компараторов равна Um / 2N–1. Другие входы объединены, и на них подается входной сигнал. На выходах компараторов устанавливаются напряжения нуля или единицы, соответствующие сигналам на входах компараторов в момент прихода фронта тактового импульса.
После окончания импульса опроса в компараторах хранится информация о мгновенном значении входного сигнала, представленная в виде (2N – 1) -разрядного слова. Дешифратор представляет это слово в виде N-разрядного кода, который хранится в буферном регистре.
Поскольку каждая из 2N – 1 градаций входного сигнала оцифровывается отдельным компаратором, то время преобразования в таком АЦП определяется временем переключения компаратора и является минимально возможным.
Рис. 92. Структура АЦП параллельного преобразования
Параметры ЦАП
Статические параметры АЦП во многом по смыслу аналогичны статическим параметрам ЦАП и рассмотрены в предыдущих параграфах.
Среди динамических параметров АЦП основными являются:
·максимальная частота преобразования – частота дискретизации входного сигнала;
·аппертурное время – время, в течение которого сохраняется неопределенность между значением выборки и временем, к которому оно относится;
·аппертурная неопределенность – случайное изменение аппертурного времени в конкретной точке характеристики преобразования;
·время кодирования – время, в течение которого осуществляется непосредственное преобразование установившегося значения входного сигнала (время от начала импульса запуска до появления выходного кода).
Параметры некоторых наиболее типичных микроэлектронных АЦП компании DallasSemicondfctor(фирмы Maxim )приведены в табл. 18.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
Перспективы развития и применения цифровой интегральной электроники
Основное направление, в котором работают разработчики интегральных микросхем, – повышение степени интеграции. Это можно обеспечить двумя путями: увеличивая плотность упаковки элементов (уменьшая их площадь, включая площадь металлической разводки) и увеличивая размеры кристалла. Оба пути связаны с решением сложных технологических задач. Не менее сложны и возникающие при создании БИС схемотехнические проблемы, поэтому решение и технологических, и схемотехнических проблем должно осуществляться одновременно и комплексно.
Опыт разработки БИС выявил ряд общих проблем, которые ограничивают повышение степени интеграции и которые нужно решать в процессе дальнейшего развития микроэлектроники.
Проблемы теплоотвода. При увеличении плотности компоновки происходит сближение элементов на кристалле. Это неизбежно ведет к возрастанию удельной мощности, рассеиваемой на единице площади. В современных кремниевых ИС допустимая удельная мощность на кристалле без дополнительного теплоотвода не превышает 5 Вт/см2. Следовательно, допустимая мощность для кристалла площадью 20 мм2 составляет не более 1 Вт. При средней мощности 0,5 мВт, потребляемой одним ИЛЭ, на указанном кристалле удается разместить не более 2000 логических элементов.
Для преодоления этого ограничения используется микрорежим транзисторов и таких схем, которым микрорежим свойствен. Например, для того чтобы на той же площади 20 мм2 разместить 10000 вентилей, нужно использовать ИЛЭ с потребляемой мощностью не более 0,1 мВт, т.е. ИЛЭ типа КМОП.
Попытки увеличения степени интеграции за счет увеличения площади кристалла также наталкиваются на существенные трудности. Ограничения накладываются неизбежными дислокациями (дефектами структуры) поверхности полупроводника. Любая дислокация в пределах БИС означает негодность транзистора или отдельной ИС, соответственно негодной может оказаться и БИС в целом. Следовательно, увеличение площади кристалла сопровождается увеличением процента брака.
Проблема межсоединений. Высокая сложность современных БИС может быть реализована только при использовании систем автоматизированного проектирования. Несмотря на это, в большинстве БИС не удается сделать разводку межсоединений в одной плоскости без пересечений. Поэтому для БИС характерна многослойная разводка, расположенная обычно в 2-х или 3-х плоскостях. Изоляция слоев друг от друга и соединения между слоями представляют собой особую технологическую проблему.
Контроль параметров. Электрический контроль параметров БИС до ее помещения в корпус осуществляется с помощью контактных измерительных зондов, подключаемых к контактным площадкам выводов БИС.
Если предположить, что БИС имеет 50 выводов, и учесть, что на каждом выводе может быть два значения «0» или «1», то для полноценной проверки функционирования БИС (только в статике) потребуется 250» 1015 измерений. При длительности каждого измерения 1 мкс контроль одной БИС займет около 25 лет.
Следовательно, контроль должен быть выборочным, а количество измерений не должно превышать 200 – 300. Причем судить о работоспособности БИС можно будет с определенной вероятностью.
Физические ограничения на размеры элементов. Размеры элементов современных БИС лежат в пределах единиц и менее микрометров. Уменьшение размеров элементов БИС приводит к появлению дополнительных ограничений.
Во-первых, начинает сказываться неравномерное (статистическое) распределение примеси в полупроводниках, т. е. количество атомов примеси на участках одинаковой площади будет различным, а, следовательно, будут различаться по параметрам элементы, сформированные на этих участках.
Во-вторых, возрастет роль технологических допусков.
В-третьих, возрастают напряженности электрических полей, и полупроводниковый слой приобретает нелинейные свойства.
Установлено также, что при линейных размерах менее 1 – 2 мкм определенную роль начинают играть шумовые флюктуации, влияние космического излучения и естественный радиационный фон Земли.
Все это свидетельствует о том, что при размерах менее 1 мкм микроэлектроника становится самостоятельным научно-техническим и технологическим направлением.