Смекни!
smekni.com

Полупроводниковые пластины. Методы их получения (стр. 5 из 21)

Si (ÎÑ2Í5)4 Si02 +4C2H4 + 2Í20

Ñêîðîñòü îñàæäåíèÿ ïëåíêè ïðè 750°Ñ ñîñòàâëÿåò 0,03 ìêì/ìèí. Êðîìå SiO2 â ïëàíàðíîé òåõíîëîãèè â êà÷åñòâå çàùèòíîãî è ìàñ êèðóþùåãî ïîêðûòèÿ èñïîëüçóþò ïëåíêè íèòðèäà êðåìíèÿ Si3N4, ÿâëÿþùèåñÿ áîëåå ïëîòíûìè è íåïðîíèöàåìûìè ïî îòíîøåíèþ ê äèôôóçèàíòàì, ÷åì ïëåíêè SiO2. Îñíîâíûì ñïîñîáîì ïîëó÷åíèÿ ïëåíîê íèòðèäà êðåìíèÿ ÿâëÿåòñÿ ïèðîëèòè÷åñêîå îñàæäåíèå, ðåàêöèÿ êîòîðîãî ïðîòåêàåò ïðè âçàèìîäåéñòâèè ñèëàíà è àììèàêà:

3SiH4 + 4NH3=Si3N4+ 12Í2

Îñàæäåíèå Si3N4 ïðîèñõîäèò ïðè 900°Ñ. Âîçìîæíî òàêæå èñïîëü- çîâàíèå ðåàêöèè âçàèìîäåéñòâèÿ ÷åòûðåõõëîðèñòîãî êðåìíèÿ ñ àììèàêîì

3SiCl4+4NH3 Si3N4+ 12ÍÑl

Íèòðèä êðåìíèÿ îñàæäàþò íà óñòàíîâêàõ ýïèòàêñèàëüíîãî íà- ðàùèâàíèÿ èëè â äèôôóçèîííûõ îäíîçîííûõ ïå÷àõ, ñíàáæåííûå ñïåöèàëüíûì óñòðîéñòâîì ãàçîðàñïðåäåëåíèÿ. Ñêîðîñòü îñàæäåíèÿ íèòðèäà êðåìíèÿ çàâèñèò îò òåìïåðàòóðû è ðàñõîäà ñèëàíà è àììèàêà. Ôîòîëèòîãðàôèÿ. Ýëåêòðè÷åñêèå è ýêñïëóàòàöèîííûå õàðàêòåðèñòèêè èçãîòîâëÿåìûõ ìèêðîýëåêòðîííûõ ïðèáîðîâ íåðàçðûâíî ñâÿçàíû ñ ðàçìåðàìè ýëåìåíòîâ è èõ âçàèìíûì ðàñïîëîæåíèåì. Ôîòîëèòîãðàôèÿ ÿâëÿåòñÿ îñíîâíûì è ïðàêòè÷åñêè åäèíñòâåííûì ñïîñîáîì ïðåöèçèîííîé ëîêàëüíîé ìèêðîîáðàáîòêè, ïðèìåíÿåìûì äëÿ ïîëó÷åíèÿ íåîáõîäèìûõ ðàçìåðîâ è êîíôèãóðàöèé ýëåìåíòîâ ÈÌÑ (îò åäèíèö äî äåñÿòûõ äîëåé ìèêðîìåòðà). Ôîòîëèòîãðàôèÿ ñîñòîèò èç ñîâîêóïíîñòè öåëîãî ðÿäà ôèçè÷åñêèõ, ôîòîõèìè÷åñêèõ è õèìè÷åñêèõ ïðîöåññîâ è èñïîëüçóåòñÿ äëÿ ñîçàíèÿ çàùèòíîãî ðåëüåôà (ìàñêè) íà ïîâåðõíîñòè ïîëóïðîâîäíèêîâîé ïëàñòèíû. Äëÿ ýòîãî ïðèìåíÿþò ñïåöèàëüíûé ñâåòî÷óâñòâèòåëüíûé ììàòåðèàë - ôîòîðåçèñò, îáëàäàþùèé óñòîé÷èâîñòüþ ê âîçäåéñòâèþ àãðåññèâíûõ ñðåäñòâ (êèñëîò, ùåëî÷åé) . Òîíêèé ñëîé ôîòîðåçèñòà íàíîñÿò íà ïîëóïðîâîäíèêîâóþ ïîäëîæêó è ïðîèçâîäÿò çàñâåòêó (ýêñïîíèðîâàíèå) ÷åðåç ñïåöèàëüíûé èíñòðóìåíò - ôîòîøàáëîí, èìåþùèé ïðîçðà÷íûå è íåïðîçðà÷íûå äëÿ èñïîëüçóåìîãî ñâåòà ó÷àñòêè, îïðåäåëÿþùèå òîïîëîãèþ ïðèáîðà. Ïîä äåéñòâèåì ñâåòà â ôîòîðåçèñòå ïðîòåêàþò ôîòîõèìè÷åñêèå ðåàêöèè, êîòîðûå â çàâèñèìîñòè îò òèïà èñïîëüçóåìîãî ôîòîðåçèñòà ïðèâîäÿò ê óñèëåíèþ èëè îñëàáëåíèþ åãî ðàñòâîðèìîñòè â îïðåäåëåííûõ õèìè÷åñêèõ ðàñòâîðàõ. Ìîñëå ïðîÿâëåíèÿ íà ïîâåðõíîñòè ïîäëîæêè îñòàåòñÿ çàùèòíûé ñëîé ôîòîðåçèñòà, ïîâòîðÿþùèé ïîçèòèâíîå èëè íåãàòèâíîå èçîáðàæåíèå ôîòîøàáëîíà. Ïîñëåäóþùåå èñïîëüçîâàíèå çàùèòíîãî ðåëüåôà â çàâèñèìîñòè îò òåõíîëîãè÷åñêîãî ýòàïà èçãîòîâëåíèÿ ïðèáîðà çàêëþ÷àåòñÿ â òðàâëåíèè ìàòåðèàëà ïîäëîæêè íà íåçàùèùåííûõ ôîòîðåçèñòîì ó÷àñòêàõ èëè íàíåñåíèå êàêîãî-ëèáî ìàòåðèàëà íà ýòè ó÷àñòêè. Òàê , ïðè ïðîâåäåíèè ôîòîëèòîãðàôèè ïî ñëîþ SiO2 ïðè òðàâëå- íèè ïðîâîäÿò ñåëåêòèâíîå óäàëåíèå äèýëåêòðèêà íàä òåìè ó÷àñòêàìè ïîëóïðîâîäíèêà, ãäå äîëæíû áûòü ñîçäàíû äèôôóçèîííûå ñòðóêòóðû, à ïðè ôîòîëèòîãðàôèè ïî ñëîþ ìåòàëëà ôîðìèðóþò òîïîëîãèþ êîíòàêòíûõ ïëîùàäîê, ìåæñîåäèíåíèé, ïàññèâíûõ ýëåìåíòîâ.