| Тип | Разрядность | Встроенное | Число линий ввода-вывода | Тактовая частота, МГц | Напряжение питания, В | Pпот, мВт | Число команд | Тип корпуса и число выводов | Технология | Дополнительные сведения | |||||||||||||
| ОЗУ, бит | ПЗУ, бит | ||||||||||||||||||||||
| С8748-4 | 8 | 64X8 | 1 КХ8 | 27 | 6 | +5 | 1300 | 95 | — | n-МОП | |||||||||||||
| F3870DC(DM, PC, | 8 | 64X8 | 2КХ8 | 32 | 4 | +5 | 1000 | 76 | КД-40, | n-МОП | |||||||||||||
| DL, PL, PM) | ПД-40 | ||||||||||||||||||||||
| MC6803EP(L, P) | 8 | 128X8 | 2КХ8 | 31 | 3,58 | +5 | — | 31 | ПД-40 | n-МОП | |||||||||||||
| MC6805L(P) | 8 | 64X8 | 1 КХ8 | — | 4 | +5 | — | — | — | n-МОП | |||||||||||||
| PIC1650 PIC 1655 | 8/12 | 32X8 | 512X12 | 32 | 1 | +5 | 350 | 31 | КД-40 | n-МОП | 12-разряд ная адрес- ная шина | ||||||||||||
| PIC 1670 | 8/12 | 32X8 | 1 КХ12 | 32 | 1 | +5 | 350 | 31 | КД-40 | n-МОП | |||||||||||||
| P8035-4 D8035-4 | } < | 64X8 | 256X8 | 27 | 6 | +5 | 1300 | 95 | — | n-МОП | |||||||||||||
| РЯП48 | ч | ||||||||||||||||||||||
| i OUrrO D8048 | } 8 | 64X8 | 1КХ8 | 27 | 6 | +5 | 675 | 96 | ПД-40 | n-МОП | |||||||||||||
| РЯПЧР | 1 | ||||||||||||||||||||||
| a O*JOv7 D8039 | } 8 | 128X8 | 0 | 27 | 11 | +5 | 700 | 96 | ПД-40 | n-МОП | |||||||||||||
| D8049 | 8 | 128X8 | 2КХ8 | 27 | 11 | 4-5 | 700 | 96 | ПД-40 | n-МОУ | |||||||||||||
| P8021 | 8 | 64X8 | 1 КХ8 | 21 | 4 | +5 | 300 | 70 | ПД-28 | n-МОП | |||||||||||||
| P8022 | 8 | 64X8 | 2КХ8 | 27 | 4 | +5 | 400 | 74 | КД-40 | n-МОП | Встроенный АЦП | ||||||||||||
| Р8051 | 8 | 128x8 | 1КХ8 | 32 | 12 | — | — | — | ПД-40 | НМОП | |||||||||||||
| R6500 | I 8 | 64X8 | 2КХ8 | 32 | 4 | 4-5 | 700 | 56 | ПД-40 | — | |||||||||||||
| R6501 | ) | ||||||||||||||||||||||
| SY6500 | } 8 | 64X8 | 2КХ8 | 32 | 2 | +5 | 500 | 53 | — | n-МОП | — | ||||||||||||
| SY6501 | J | ||||||||||||||||||||||
| Z8 | 8 | 128X8 | 2КХ8 | 32 | 8 | +5 | — | 129 | — | n-МОП | |||||||||||||
| 8041 | } 8 | 64X8 | 1 КХ8 | 18 | 6 | 4-5 | — | 90 | — | n-МОП | 8741 с ППЗУ | ||||||||||||
| 8741 | J | ||||||||||||||||||||||
| 87С48 | 8 | 64X8 | 1 КХ8 | 18 | 6 | 3 — 12 | 50 | 90 | — | КМОП | |||||||||||||
| МК3872 МК3873 | 8 8 | 64X8 128X8 | 4КХ8 2КХ8 | 32 32 | 4 4 | +5 4-5 | 435 | 76 70 | — | n-МОП n-МОП | Имеет последовательный канал ввода-вывода | ||||||||||||
| СОР 1804 | 8 | 64X8 | 2КХ8 | 13 | 8 | 5 — 10 | — | 102 | — | кмоп/ кнс | |||||||||||||
| TMS9940M | 16 | 128X8 | 2КХ8 | 32 | 5 | 4-5 | — | 68 | — | n-МОП | |||||||||||||
| TMS9940E | 16 | 128X8 | 2КХ8 | 32 | 5 | 4-5 | ~ | 68 | n-МОП | Имеет встроенное ППЗУ | |||||||||||||
| Z8611 | 8 | 128X8 | 4КХ8 | — | 8 | 4-5 | — | — | — | n-МОП | |||||||||||||
| Z8612 (Z8613) Z8671 | 8 8 8 | 128X8 128X8 128X8 | Нет Нет 2КХ8 | — | 8 8 8 | -4-4-4- 1 СЯ СЛ СЯ | — | — | Е | n-МОП n-МОП n-МОП | |||||||||||||
| Z8681 | 8 | 128X8 | Нет | 8 | Ч- Сг | n-МОП | Расширяется до 62 Кбайт внешней памятью или каналами ввода -вывода | ||||||||||||||||
3.3. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ЗАПОМИНАЮЩИЕ УСТРОЙСТВА
По конструктивно-технологическому признаку полупроводниковые запоминающие устройства (ЗУ) делятся на два больших класса: ЗУ на основе МОП-структур и биполярные. Среди МОП-структур выделяют р-канальные, <-канальные и комплементарные (КМОП) ЗУ. Последние могут изготавливаться либо в монолитном кремнии, либо на основе структур кремний на сапфире (КНС ЗУ). Биполярные ЗУ в зависимости от типа используемой логики бывают ЭСЛ-типа, ТТЛ-типа или ТТЛ с диодами Шоттки и на основе инжекци-онной логики (И2Л).
По функциональному назначению и областям применения ЗУ подразделяются на оперативные с произвольной выборкой информации (ОЗУ), применяющиеся, например, в основной памяти вычислительных машин, и постоянные ЗУ с программированием на стадии изготовления (ПЗУ) или пользователем (ППЗУ), предназначенные для хранения программ или для блоков микропрограммного управления вычислительных машин, генераторов символов, таблиц. Разновидностью ППЗУ являются ЗУ с перепрограммированием — так называемые репрограммируемые ЗУ (РПЗУ), применяемые для отладки программ, когда необходима многократная смена информации.
По схемотехническому принципу построения ячеек запоминающей матрицы либо электронного обрамления ЗУ бывают статического и динамического типов.
В динамических ЗУ информация хранится в виде электрического заряда на МОП-конденсаторе. Вследствие утечки накопленного заряда требуется его регенерация. Необходимость использования дополнительных схем регенерации и иногда трех источников питания с различным напряжением является недостатком схем данного типа. Однако благодаря большей степени интеграции и низкой стоимости ЗУ этого класса широко применяются в основной памяти вычислительных машин, в периферийных и буферных устройствах. Серийно выпускаются динамические ОЗУ емкостью до 64 Кбит и ведутся разработки ОЗУ емкостью 256 и 512 Кбит на одном кристалле.