Смекни!
smekni.com

Зарубежные ИМС широкого применения Чернышева (стр. 4 из 40)

5. Тип корпуса: при отсутствии буквы — металлический корпус (ТО-5; ТО-99; ТО-100); D — пластмассовый типа мини-DIP; Е — пластмассовый DIP (ТО-116; МР-117); G — керамический типа ми­ни-DIP; J — керамический типа DIP; К — керамический типа DIP; Р — плоский (ТО-91); R — металлический (ТО-3); U — пластмассо­вый плоский мини-корпус.

6. Диапазон температуры: при отсутствии буквы для цифровых схем — от 0°С до +70 °С; С — от 0°С до +70°С; Т — от — 25 °С до + 85°С; V — от — 40°С до +85°С; М — от — 55°С до +125°С.

Фирма Signetics Corp. (Philips)

Пример обозначения: N 74123 F

1. Рабочий диапазон температуры: N или NE — от 0°С до 70 °С (N8 — от 0°С до +75°С); S или SE — от — 55°С до 125°С; SA — от — 40 °С до 85 °С; SU — от — 25 °С до +85 °С; серии 5400 — от — 55 °С до +125 °С; серии 7400 — от О °С до +70 °С.

2. Серийный номер: 8200 — стандартные MSI; 82SOO — с дио­дами Шоттки MSI; 8T — интерфейсные схемы.

Примечание: Типы приборов, выпускаемых с обозначением других фирм:-СА, DS, LF, LH, LM, МС, ОМ, SG, ТАА, ТВА, ТСА, TDA, TDB, TEA, UA, ULN — аналоговые стандартные; DAC — циф­ро-аналоговые преобразователи; HEF, MB, MJ, PCD, PCE — серии КМОП; SAF, SC — цифровые; SD — аналоговые ДМОП.

3. Тип корпуса: D — микроминиатюрный пластмассовый (типа SO) с 8, 14 или 16 выводами; N — пластмассовый с 8, 14, 16, 18, 22, 24, 28 или 40 выводами; F — керамический DIP с 8, 14, 16, 18, 20, 22, 24 или 28 выводами; Н — металлический ТО-99 или ТО-100; I — керамический DIP с 8, 10, 14, 16, 18, 24, 28, 40 или 50 вывода­ми; К — ТО-100; L — ТО-99; Q — керамический плоский с 10, 14, 16 и 24 выводами; R — бериллиевый плоский с 16, 18, 24, 28 или 40 вы­водами; W — керамический плоский с 10, 14, 16 или 24 выводами.

Фирма Siticonix Sem. Dev.

Пример обозначения: DG 187 А Р

1. Фирменное буквенное обозначение: D — схемы управления для ключей на полевых транзисторах; DF-цифровые схемы; DG — аналоговые ключи; DGM — аналоговые ключи (монолитный вариант гибридных схем); G — многоканальные переключатели; Н — высоко­вольтные (28 В) логические схемы; L — аналоговые схемы; LD — аналого-цифровые преобразователи; LH — аналоговые гибридные схемы; LM — аналоговые монолитные схемы.

2. Серийный номер (три или четыре цифры).

3. Диапазон температуры: А — от — 55 °С до +125°С- В от — 20 °С до +85 °С; С — от О °С до +70 °С; D — от — 40 °С до + 85°С.

4. Тип корпуса: А — ТО-99, ТО-100; F — плоский с 14 и 16 вы­водами; J — пластмассовый DIP с 14 и 16 выводами; К — керами­ческий DIP с 14 и 16 выводами; L — плоский с 10 и 14 выводами; Р — DIP с 14 и 16 выводами; R — DIP с 28 выводами; N — пласт­массовый типа мини-DIP.

Фирма Silicon General

Пример обозначения: SG 108 AT

1. Фирменное буквенное обозначение: SG

2. Серийный номер.

3. Характеристика: А — улучшенный вариант; С — ограничен­ный температурный диапазон.

4. Тип корпуса: F — плоский; J — DIP (Cerdip) с 14 и 16 выво­дами; К — типа ТО-3; М — пластмассовый DIP с 8 выводами; N — пластмассовый DIP с 14, 16 выводами; Р — типа ТО-220 пластмас­совый; R — типа ТО-66 (3 и 8 выводов); Т — типа ТО-5 (ТО-39 ТО-99, ТО-100, ТО-101); Y — керамический DIP (Cerdip) с 8 выво­дами.

Фирма Sprague Electric Пример обозначения: UL N 2004 А

1. Фирменное буквенное обозначение: UC — серии КМОП, PL; U.D — цифровые формирователи; UG — с датчиками Холла; UL — аналоговые схемы; UH — интерфейсные.

2. Диапазон температуры: N — от — 25 СС до +70 °С- S — от — 55 °С до +125°С.

3. Серийный номер.

4. Тип корпуса: А — пластмассовый типа DIP; В — пластмассо­вый типа DIP с теплоотводом; С — бескорпусная ИМС; D — ТО-99; Е — пластмассовый DIP с 8 выводами; F — ТО-86 или с 30 вывода­ми плоский; J — TO-87; К — ТО-100; М — пластмассовый DIP с 8 выводами; N — пластмассовый с 4-рядным расположением выво­дов; R — керамический DIP с 8 выводами; S — с однорядным рас­положением выводов SIP с 4 выводами; Т — SIP с 3 выводами- Y — ТО-92; Z — типа ТО-220 с 5 выводами. Для серии UH : 2 — тип корпуса (С — плоский; К — бескорпус­ная ИМС; D — типа DIP; Р — пластмассовый типа DIP).

Фирма Solitron

Пример обозначения: СМ 4000 A D

1. Фирменное буквенное обозначение: СМ — КМОП; UC4XXX — аналоговые схемы; UC6XXX, UC7XXX — запоминающие устройства (р-МОП-схемы).

2. Серийный номер.

3. Рабочее напряжение: А — (3 — 15) В; В — (3 — 18) В.

4. Тип корпуса и диапазон температуры:

а) для КМОП-схем; D — керамический типа DIP, от — 55 °С до + 125°С; Е — пластмассовый типа DIP, от — 40°С до +85°С- F — керамический типа DIP, от — 55 °С до +85 °С; Н — бескорпусная ИМС; К — плоский, от — 55 °С до +85 °С;

б) для аналоговых схем: без буквы — ТО-99, от — 55 °С до 125 °С; С — ТО-99, от О °С до +70 °С; СЕ — мини-DIP с 8 выводами, от О °С до +70 °С; ID — бескорпусная ИМС.

Фирма Texas Instruments

Примеры обозначения: SN 74 S 188 J; IMS 4030 - 15 J L

1. Фирменное буквенное обозначение: SBP — биполярные мик­ропроцессоры; SN — стандартные типы ИМС; SNA, SNC, SNH, SNM — повышенной надежности; ТВР — биполярные запоминающие устройства; TL — аналоговые схемы; TMS — МОП-схемы (запоми­нающие устройства; микропроцессоры); ТМ — модули микро-ЭВМ.

2. Диапазон температуры: серии 52, 54, 55, ТР — от — 55 °С до +125 °С; серии 72, 74, 75 — от О °С до +70 °С; серия 62 — от — 25 °С до +85 °С; для биполярных схем: С — от 0°С до +70°С; I — от — 25 °С до +85 °С; Е — от — 40 °С до +85 °С; М — от — 55 °С до + 125°С; для МОП-схем (TMS): L — от 0°С до +70°С; С — от — 25 °С до + 85°С; R — от — 55 °С до +85 °С; М — от — 55 °С до + 125°С.

3. Классификация для ТТЛ-схем: Н — быстродействующие, L — маломощные; LS — маломощные с диодами Шоттки; S — с дио­дами Шоттки.

4. Серийный номер.

5. Тип корпуса: FA — плоский; J — плоский керамический; JA, JB, JP — с двухрядным расположением выводов типа (DIP); L, LA — металлический; N — пластмассовый; ND, Р — пластмассовый типа DIP; RA, U, W — плоский керамический; SB — плоский метал­лический; Т — плоский металлостеклянный.

6. Только для быстродействующих МОП-схем в обозначении дополнительно указывается быстродействие: 15 — <150 не; 20 — < <200 не; 25 — <250 не; 35 — <350 не.

Фирма Toshiba

Пример обозначения: ТА 7173А Р Т 2 Т

1. Фирменное буквенное обозначение: ТА — биполярные ли­нейные (аналоговые) схемы; ТС — КМОП-схемы; TD — биполярные цифровые схемы; ТМ — МОП-схемы.

2. Серийный номер и вариант прибора (А — улучшенный).

3. Тип корпуса: С — керамический; М — металлический; Р — пластмассовый.

Фирма TRW

Пример обозначения: TDC 1016 J M

1. Фирменное буквенное обозначение: MPY — умножители; TDC — все другие функции.

2. Серийный номер.

3. Тип корпуса: J — керамический типа DIP; N — пластмассо­вый типа DIP.

4. Диапазон температуры: М — от — 55 °С до +125°С; без обо­значения — от О °С до +70 °С.

В табл. 1.1 приведены буквенные обозначения ИМС, выпускае­мых различными фирмами.

Таблица 1.1. Буквенные обозначения ИМС различных фирм

Буквенное обозна­чение Фирма Буквенное обозна­чение Фирма
AD Analog Devices HS Harris
ADC Datel Systems (DS) HT Harris
ADX National Sem. Corp. IB Intel
(NSC) 1C Intel
AF NSC ICL Intersil
АН NSC ICM Intersil
AM Advanced Micro De- ID Intel
vices IDM NSC
AN Matsushita IH Intersil
AY General Instrument IM Intel, Intersil, NSC
(GI) IMP NSC
BUF Precision Monolithics INS NSC
Inc. (PMI) IP Intel
CA RCA IPC NSC
CD RCA; NSC ISP NSC
CDP RCA ITT ITT
CF Harris IX Intel
CM Solitron J Matsushita
CMP PMI L Siliconix, SGS-Ates
CP GI LA Sanyo
CU GI LB Sanyo
D Intersil; Siliconix LC Sanyo; GI
DAC DS; PMI LD Siliconix
DAS DS LE Sanyo
DAX NSC LF NSC
DF Siliconix LFT NSC
DG Intersil; Siliconix LG GI
DGM Siliconix LH NSC; Raytheon; Sili-
DH NSC conix
DL GI LM NSC; Raytheon; Sa-
DM NSC ny; Siliconix; Signe-
DN Matsushita tics
DP NSC M Mitsubishi; Matsushita
DS GI; NSC MAA ITT
ER GI MAT PMI
ESM Sescosem (Thomson) MB Intel; Fujitsu
F Fairchild MC Motorola; Intel
G Siliconix MCB Motorola
H Siliconix MCBC Motorola
HA Harris; Hitachi MCC Motorola
HC Harris MCCF Motorola
HD Harris; Hitachi MCE Motorola
HI Harris MCM Motorola
HM Harris; Hitachi MD Intel
HN Hitachi MEM GI
HPROM Harris MH NSC
HRAM Harris MIC ITT
HROM Harris MK Mostek
ML Plessey SM NSC
MLM Motorola SMP PMI
ММ Intel, NSC SN TI; Monolithic Memo-
MN Matsushita rices
МР Intel; Plessey SNA TI
мт Plessey SNC TI
мих PMI SNH TI
MV Datel Systems (DS) SNM TI
MX DS; American Micro* SP American Microsys-
systems; Intel tems; Plessey
MW RCA ss GI
N Signetics sss PMI
NC GI STK Sanyo
NE Signetics su Signetics
NH NSC sw PMI
NOM Plessey ТА Toshiba; RCA
OP PMI TAA ITT; Siemens; Valvo;
PAL Monolithic Memories Telefunken
PC GI TBA ITT; Siemens; Valvo;
PIC GI Telefunken
PM PMI TBB Siemens
R Raytheon TBC Siemens
RA GI TBP TI
RC Raytheon TC Toshiba
REF PMI TCA ITT; Siemens; Valvo;
RM Raytheon Telefunken
RO GI TD Toshiba
RV Raytheon TDA ITT; Siemens; Telefunken
S American Microsystems; Signetics TDB Sescosem; Siemens
SA Signetics TDC TRW; Siemens
SAB Telefunken TL TI; Telefunken
SAK ITT; Valvo TM Toshiba
SAJ ITT TMS TI
SAS Telefunken и Telefunken
SAY ITT UAA Telefunken
SBA GI UCN Spraque
SBP Texas Instruments ucs Spraque
(TI) UC4 Solitron
SD NSC UC6 Solitron
SDA Siemens UC7 Solitron
SE Signetics UDN Spraque
SFC Sescosem UDS Spraque
SFF Sescosem UGN Spraque
SG Silicon General UL American Microsys-
SH Fairchild tems
SHM DS ULN Spraque
SL Plessey; GI; NSC ULS Spraque
мА Fairchild VF DS
м РА NEC XR Exar Integr. Systems
мPB NEC ZN Ferranti
мРС NEC ZSS Ferranti
мPD NEC ZST Ferranti

РАЗДЕЛ ВТОРОЙ