Улучшение электрических параметров и характеристик каждого поколения ОУ (повышение быстродействия, улучшение точностных показателей, уменьшение потребляемой мощности) было обусловлено как прогрессом технологии (изготовление транзисторов с весьма высоким коэффициентом усиления, высокоомных резисторов, горизонтальных р-n-р транзисторов, высокочастотных комплементарных биполярных и полевых с р-n переходом и МОП-транзисторов), так и разработкой новых схемотехнических решений и принципов (использование на входе составных — по схеме Дарлингтона — транзисторов, создание сложных входных каскадов с большим усилением,