Смекни!
smekni.com

Зарубежные ИМС широкого применения Чернышева (стр. 35 из 40)

В отличие от ОЗУ динамического типа в запоминающей ячейке статических ОЗУ используются потенциальные триггеры. Поэтому для этих ОЗУ в регенерации необходимости нет. Для их работы, как правило, необходим только один источник питания. Современ­ные статические ОЗУ по принципу действия можно разделить на три класса:

1) нетактируемые ОЗУ, в которых каждое изменение адреса вы­зывает получение нового результата, если кристалл выбран. По­требляемый ток и, следовательно, рассеиваемая мощность не зави­сят от того, выбран или не выбран кристалл. Примерами ЗУ дан­ного типа служат изделия 2613 фирмы Signetics, 4044 фирмы

Таблица 3.16. Оперативные статические запоминающие устройства емкостью 4 Кбит

Тип Информа­ционная емкость (битХ разряд) Время вы­борки адреса, но Время цикла записи, не рпот- мВт Тип корпуса и количество вы­водов
n-МОП-типа
TMS4045-15JDL (JL, NL) 1024x4 150 150 550 КД-18, ПД-18
TMS40L45-20JL(NL) 1024X4 200 200 330 ПД-18
TMS40L47-20JDL 1024X4 200 200 330 ПД-20, КД-18
(JL, NL)
TMS4047-20JDL(JL, NL) 1024X4 200 200 550 КД-20, ПД-20
TMS40L45-25JDL (JL, NL) 1024X4 250 250 330 КД-18, ПД-18
TMS40L47-25JDL (JL, NL) 1024X4 250 250 330 КД-20, ПД-20
TMS4047-25JDL(JL, NL) 1024x4 250 250 550 КД-20, ПД-20
TMS4045-45JDL(JL, NL) 1024X4 450 450 550 КД-18, ПД-18
C2142-2 1024X4 200 200 475 КД-18
C2142L-2 1024X4 200 200 325 КД-18
D2114-2 1024x4 200 200 525 КД-18
D2114L-2 1024X4 200 200 370 КД-18
P2114-2DC, (2PC) 1024X4 200 200 500 КД-18, ПД-18
P2114-3 D2114-3 1024X4 300 300 525 ПД-18
P2114L-3 D2114L-3 1024X4 300 300 385 ПД-18
C2142 1024X4 450 450 475 КД-20
AM9130DDC (DPC) 1024X4 250 395 578 КД-22, ПД-22
AM9131CDM, (CPC, CDC) 1024x4 300 470 578 КД-22, ПД-22
AM9131BPC, 1024X4 400 620 578 КД-22, ПД-22
(BDC, BDM)
D2 147-3 4096 X 1 55 55 850 ПД-18
D2147 4096 X 1 70 70 750 ПД-18
D2147L 4096X1 70 70 675 ПД-18
D2141-2 4096 X 1 120 120 350 ПД-18
D2141-3 4096X1 150 150 350 ПД-18
D2141L-3 4096X1 150 150 200 ПД-18
D2141-4 4096X1 200 200 275 ПД-18
D2141-5 4096X1 250 250 275 КД-18
D2141L-5 4096 X 1 250 250 200 КД-18
TMS4044-15JDL(JL, NL) 4096X1 150 150 440 ПД-18, КД-18
TMS40L44-20JDL (JL, NL) 4096 X 1 200 200 275 ПД-18, КД-18
TMS4046-20JDL(JL, NL) 4096 X 1 200 200 440 ПД-20, КД-20
TMS40L44-25JDL(JL NL) 4096 X 1 250 250 275 КД-18 ПД-18
TMS4046-25JDL(JL, NL) 4096 X 1 250 250 440 КД-20, ПД-20

Продолжение табл. 3.16

TMS4044-45JDUJL, NL) 4096 X 1 450 450 440 КД-18, ПД-18
MK4104J-4, J-34, N-4 4096 X 1 250 385 150 ПД-18
MK4104J-35 }
MK4104N-5 4096X1 300 460 150 ПД-18
MK4104N-35 j
MK4104J-6, (N-6) 4096 X 1 350 535 150 ПД-18
ЭСЛ-типа
MB 7077 1024X4 25 20 625 КД-22
F 10470 DC 4096 X1 30 25 1000 ПД-18
F100470DC, (PC) 4096X1 35 25 877 ПД-18, КП-18
КМОП-типа
HMI-6514-2 HMI-6519-9 1024x4 270 240 0,25 ПД-18
NMC-6514J-2 NMC-6514J-9 1024X4 300 420 0,25
HMI-6514-5 1024X4 320 420 2,5 ПД-18
HMI-6533-2 HMI-6533-9 1024X4 350 475 0,5 ПД-22
HM9-6533-2 1024X4 350 475 0,5 КП-22
MWS5H4-5D, (5E) 1024X4 650 500 0,5 КД-18, ПД-18
MWS5114-D, (E) 1024X4 650 500 0,25 КД-18, ПД-18
HMI-6504-2 HM I -6504-9 4096 X 1 270 350 0,25 ПД-18
HM9-6504-2 4096X1 270 350 0,25 КП-18
NMC-6504J-2 NMC-6504J-9 4096X1 300 420 0,25
HMI -6504-5 4096-X 1 320 420 2,5 ПД-18
HMI-6543-2 4096 X 1 350 475 0,5 ПД-22
HM9-6543-2 4096 X 1 350 475 0,5 КП-22
NMC6504J-5 NMC6504-N-5 4096X1 350 500 2,5
ТТЛ-типа
SN54S400J(N) [
SN54S401J(N) 4096X1 75 75 500 — —
SN74S400J(N)
SN74S401
HM2540 4096 X 1 45 35 575 ПД-18
N82S400A-1 N82S401A-1 4096X1 45 70 775 КД-18
N82S400-1 N82S401-1 4096X1 45 35 775 КД-18
93470DC, (PC) 93471DC, (PC) 4096x1 55 30 950 ПД-18
93470DM 1 93471DM 4096X1 55 30 1000 ПД-18

1. Для ЗУ КМОП-типа указана потребляемая мощность в режиме хранения.

Texas Instr., 7141 фирмы Intersil емкостью 4КХ1 и 2614 фирмы Signetics, 2114 фирмы Intel, 4045 фирмы Texas Instr. емкостью 1КХ4;

2) тактируемые ОЗУ, в которых каждый раз для получения ре­зультата надо выбирать кристалл, а затем возвращаться к невы­бранному состоянию для перезарядки внутренних цепей. Потребляе­мый ток в невыбранном состоянии обычно меньше, длительность цикла примерно в 1,5 раза больше времени выборки адреса. Приме­ром ЗУ такого типа служат изделия 4104 фирмы Mostek и 6104 фир­мы Zilog с организацией 4КХ1 и 6114 фирмы Zilog с организа­цией 1КХ4;

3) нетактируемые ОЗУ с уменьшением потребляемой мощности, если кристалл не выбран (в режиме хранения информации). При­мером таких ЗУ являются изделия 2147 и 2141 фирмы Intel. Вре­мя выборки адреса равно длительности цикла. Статические ЗУ та­кого типа наиболее перспективны.

Постоянные запоминающие устройства выпускаются двух ти­пов: программируемые в условиях изготовления с помощью фото­шаблона (так называемые масочные ПЗУ) и однократно програм­мируемые в условиях эксплуатации (ППЗУ). Программирование осуществляется пережиганием плавких перемычек из нихрома, спла­вов титана или поликристаллического кремния либо запатентован­ным фирмой Intersil методом миграции алюминия при лавинном пробое, в результате чего транзистор в матрице трансформируется в диод, закорачивающий соответствующие шины. Недостатком ППЗУ является однократное программирование. Возможность jie-однократно изменять информацию присуща РПЗУ. Выпускаемые в настоящее время РПЗУ относятся к двум типам: РПЗУ с плавающим затвором и со стиранием информации ультрафиолетовыми лучами (типов FAMOS) и РПЗУ на основе МНОП-структур с электричес­ким стиранием и программированием. В 1982 г. появился новый класс электрически стираемых РПЗУ на основе двузатворных n-МОП-структур, в которых один затвор — плавающий — использу­ется для хранения заряда, другой — управляющий — для управле­ния процессом записи и стирания информации (например, РПЗУ 2816, 2817 фирмы Intel). В табл. 3.16, 3.17 приведены параметры наиболее широко применяемых статических ОЗУ емкостью 4 Кбит и однократно программируемых ППЗУ емкостью свыше 1Кбит.

Таблица 3.17. Однократно электрически программируемые постоянные запоминающие устройства

Тип Информаци­онная ем­кость ,битХ разряд о a If 8,13 < ffl то А Тип корпуса и количество вы­водов
10149F 256X4 20 750 ПД-16
GXB10149 256X4 20 780 ПД-16
MCM10149F(L) 256X4 25 676 КП-16, ПД-16
НМ1-7610А5 НМЗ-7610А5 } 256X4 40 650 ПД-16
93417DC(FC, PC) 93427DC(FC, PC) } 256X4 45 550 КД-16, ПД-16 КП-16,
D3621-1 256X4 50 650 ПД-16
DM74S287J(N) DM74S387J(N) } 256X4 50 650 ПД-16
63LS140F 256X4 55 325 КП-16
93417DM(FM) 93427DM(FM) } 256X4 60 550 КД-16, КП-16
AM27S10DC(DM) 256X4 60 550 ПД-16
29662DM 29663 DM | 256X4 75 650
HM1-6611-A2 HM1-6611-A9 1 256X4 250 2,5 ПД-16
НМЭ-6611-А2 256X4 250 2,5 КП-16
HM9-6611-2 HM9-6611-9 1 256X4 350 0,5 ПД-16, КП-16
53RA281J(N) 63RA281J(N) 1 256X8 30 550 ПД-24
HM1-7625R5 HM3-7625R5 | 256X8 60 925 ПД-16, ПД-24
N82S114J(N) 256X8 60 875 КД-24, ПД-24
6308-1 6309-1 1 256X8 70 775 ПД-20
6335- IF (J) 256X8 70 850 КП-24, ПД-24
MCM7620LDC MCM7621LDC } 512X4 70 325 ПД-16
HM1-7620A5, HM3-7620A5 } 512X4 45 650 ПД-16
93436DC(FC) 93446DC(FC) } 512X4 50 650 КД-16, КП-16
DM74S570J(N) 93436DM(FM) 93446DM(FM) 512X4 | 512X4 55 60 650 650 ПД-16 КД-16, КП-16
D3602A-2 )
D3622A-2 [ 512X4 60 700 ПД-16
D3602
D3602A 512X4 70 700 ПД-16

Продолжение табл. 3.17